Гибридная интегральная схема

Авторы патента:

H01L27/12 - с подложкой из неполупроводника, например диэлектрика

Сущность изобретения: кристаллы схемы установлены в застывшем расплаве эвтектического состава. Многослойная коммутация нанесена над кристаллами по планарной технологии. Металлическая подложка является шиной питания. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5!)5 Н 01 1 27/12

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ (21) 4893694/21 (22) 26.12.90 (46) 07.04,93, Бюл. ¹ 13 (71) Институт точной механики и вычислительной техники им, С.А,Лебедева (72) В.Н,Пырченков (73) Институт точной механики и вычислительной техники им, С.А,Лебедева (56) 1, Патент США N 4766670, кл. Н 05 К

3/34, 1988.

2. Заявка Великобритании N 1426539, кл, Н 01 1 27/12, 1974.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении гибридных интегральных схем.

Целью изобретения является повышение прочности, На чертеже изображена гибридная интегральная схема, содержащая керамическое основание 1, металлическую подложку

2. В металлической подложке 2 установлены полупроводниковые кристаллы 3 с нижней поверхностью 4 и лицевой поверхностью 5, причем лицевая поверхность 5 полупроводниковых кристаллов 3 находится на одном уровне с поверхностью металлической подложки 2, Выводы 6 питания полупроводниковых кристаллов 3 соединены с металлической подложкой 2, Элементы 7 многослойной коммутации расположены на планарной поверхности подложки с полупроводниковыми кристаллами 3. На выводной рамке 8 находятся планарные контакты

9, сверху устройство закрыто крышкой 10, „„Ы„„18ОВИ8 АЗ (54) ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА (57) Сущность изобретения: кристаллы схемы установлены в застывшем расплаве эвтектического состава. Многослойная коммутация нанесена над кристаллами по планарной технологии, Металлическая подложка является шиной питания. 1 ил.

В предлагаемой конструкции гибридной интегральной схемы полупроводниковые кристаллы 3, установленные в металлической подложке 2 таким образом, что их лицевая поверхность 5 находится на одном уровне с металлической подложкой 2, ляется своеобразным теплорассекателем для теплонагруженных элементов, создающим одинаковый температурный режим работы кристаллов 3.

Металлическая подложка 2 также выполняет функции шины питания при соединении выводов 6 кристаллов 3 с ней. Это позволяет сократить количество слоев тонкопленочных проводников и снизить токовую нагрузку, образуя монолитную структуру с безрельеф- (ф ной поверхностью, позволяют уменьшить количество планарных операций по созданию многослойной коммутации. что увеличивает надежность устройства. Кроме того, металлическая подложка 2, в которой находятся полупроводниковые кристаллы 3, яв- ОО

1808148

Составитель В.Перченков

Техред М,Моргентал Корректор Е.Папп

Редактор Л.Волкова

Заказ 1401 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул.Гагарина 1п1

Таким образом, предлагаемая конструкция гибридной интегральной схемы при упрощении повышает ее надежность, Формула изобретения

Гибридная интегральная схема, содержащая металлическую подложку с запрессованными в ней полупроводниковыми кристаллами и элементы многослойной коммутации, о т л и ч а ю ща я с я тем, что, с целью повышения прочности, введено керамическое основание, с которым соединена подложка, верхняя плоскость которой выполнена на. одном уровне с лицевой поверхностью кристаллов, при этом одноименные выводы питания кристаллов соединены с металлической подложкой.

Интегральный инвертор и способ его изготовления // 698454

Прибор с интегральной схемой // 679168

Полупроводниковое устройство // 243076

Патент 233103 // 233103

Способ изготовления тонкопленочных или твердых схем // 191662

Многокристальный модуль // 2140688

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых микросхем

Структура - кремний на изоляторе для сбис (варианты) // 2149482

Планарная совмещенная нейроструктура для убис кни // 2175460

Способ изготовления гибридной интегральной схемы // 2003207

Полевой транзистор // 2029415

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при создании элементной базы сверхпроводниковой микроэлектроники и, в частности, полностью сверхпроводниковых интегральных схем

Интегральная схема свч // 2556271

Изобретение относится к интегральным схемам СВЧ и может быть использовано в электронной технике СВЧ. Интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку, выполненную из алмаза, элементы интегральной схемы - активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы, на обратной стороне диэлектрической подложки выполнено металлизационное покрытие, при этом элементы интегральной схемы электрически соединены и заземлены согласно ее электрической схемы. На лицевой стороне упомянутой диэлектрической подложки дополнительно выполнен слой кристаллического полуизолирующего кремния толщиной не более 10 мкм, а элементы интегральной схемы - активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы выполнены на поверхности этого слоя кристаллического полуизолирующего кремния, при этом элементы интегральной схемы выполнены монолитно, в упомянутой диэлектрической подложке и слое кристаллического полуизолирующего кремния выполнены сквозные металлизированные отверстия, а заземлена интегральная схема посредством этих сквозных металлизированных отверстий. Техническим результатом является улучшение электрических характеристик и повышение их воспроизводимости, повышение надежности, снижение массогабаритных характеристик, уменьшение трудоемкости изготовления интегральной схемы СВЧ. 5 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.

Способ изготовления эпитаксиального слоя кремния на диэлектрической подложке // 2618279

Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии. В качестве материала подложки могут использоваться, в частности, лейкосапфир (корунд), шпинель, алмаз, кварц. Способ заключается в расположении подложки в реакторе, нагреве рабочей поверхности подложки до 900-1000°C, подаче потока реакционного газа, содержащего инертный газ-носитель и моносилан, наращивании кремния до образования начального сплошного слоя на рабочей поверхности подложки, добавлении к потоку реакционного газа потока галогенсодержащего реагента и формировании эпитаксиального слоя кремния требуемой толщины. Начальный сплошной слой кремния наращивают со скоростью от 3000 /мин до 6000 /мин. После формирования данного слоя на рабочей поверхности подложки расход потока реакционного газа уменьшают, снижая скорость роста на 500-2000 /мин. К потоку реакционного газа добавляют поток насыщенного пара галогенида кремния или газообразного галогенсилана, значение расхода которого задают таким образом, чтобы скорость роста кремниевого слоя вернулась к значениям 3000-6000 /мин. Технический результат изобретения - получение слоя кремния высокого качества и снижение себестоимости процесса изготовления. 3 ил., 1 пр.