Способ измерения импульсного давления
Изобретение предназначено для измерения импульсного давления. Сущность: способ измерения давления заключается в том, что осуществляют импульсное сжатие образца кристалла диэлектрика измеряемым давлением, по смещению спектральной R-линии самопроизвольного излучения судят о величине давления. 2 ил.
Изобретение относится к технической физике, а именно к способам измерения давления и может быть использовано для регистрации давления в экспериментальных установках и при обработке материалов импульсным давлением. Целью изобретения является упрощение измерения импульсного давления. На фиг. 1 показана схема измерения давления; на фиг. 2 спектр излучения при импульсном сжатии рубина. Предложенный способ измерения импульсного давления иллюстрируется с помощью устройства, изображенного на фиг. 1 Стержень рубина 1
=3 мм, l 40 мм, помещался в цилиндрическую ячейку сжатия 2, установленную на оси магнитокумулятивного генератора (МК-1)3, к торцу рубина присоединялся световод 4, по которому излучение выводилось на спектрограф 5, и спектр регистрировался ФЭРом 6. Импульсное магнитное поле, генерируемое в МК-1 взрывным сжатием начального магнитного поля цилиндрическим проводящим лайнером, сжимает ячейку сжатия вместе с рубином до давления приблизительно 200 ГПа за t=18 мкс. При р
ГПа в рубине возникает излучение, которое по световоду выводится на спектрограф ИСП-51 и на выходе регистрируется ФЭРом (трубка УМИ-93, два усилителя света). Спектр излучения показан на фиг. 2. R линия в процессе сжатия сдвигается в длинноволновую область спектра. Максимальная величина давления, определенная по шкале Мао и Белла, в экспериментах была равна приблизительно 70 ГПа и в пределах ошибки эксперимента совпадала с данными, полученными по сжатию Al.
Формула изобретения
Способ измерения импульсного давления в технологических установках, заключающийся в том, что кристалл диэлектрика помещают в установку, воздействуют на него измеряемым давлением, регистрируют излучение R-линии и измеряют изменение спектрального положения R-линии, по величине которого судят о величине давления, отличающийся тем, что, с целью упрощения определения за счет исключения подсветки кристалла диэлектрика в случаях измерений давлений, превосходящих предел упругости кристалла, регистрируют самопроизвольное излучение R-линии, возникающее непосредственно в процессе деформации кристалла диэлектрика.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2
