Раствор для получения полупроводниковых пленок на основе диоксида олова

 

Использование: в оптоэлектронике. Раствор содержит следующие компоненты: оксалат олова 48-120 г, пероксид водорода 8-30 г, Nl-оксид третичного амина 0,1-0,5 г, вода до 1 л. Этот состав обеспечивает снижение агрессивности, повышение устойчивости раствора и прозрачности пленок. Для регулирования проводимости пленок от 10 до 10 Ом-сми температурного коэффициента сопротивления от +1.1 до 3,9% раствор дополнительно содержит трихлорид олова в количестве 0,002 до 20% по отношению к оксалату олова. Получены прозрачные пленки ЗпзОз толщиной 0,5 мкм с пропусканием в видимом диапазоне длин волн 75-83%. 1 з.п, ф-лы. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ (21) 4867545/26 (22) 18,07,90 (46) 15.04.93. Бюл. № 14 (71) Минское производственное обьединение "Калибр" (72) Л,И.Конюшко, В,Е.Щадрин и В,А,Малочко (73) Минское производственное объединение "Калибр" (56) Raviendra D., Sharma J.Ê. Electroless, дерозШоп of Sn02 and antimony doped SnOz

films ." J,Phys, and Chem. Solids, 1985, 46, ¹ 8, 945-950.

Fujimoto M.at,al.. MIcrostructure of SnOzconductive films prepared by pyrohydrolytlc

decomposition onto а 9!аэз substrate. "Jap,.j.

Appj, Phys.", 19M, Pt 1, 27, ¹ 4, 534 — 539.

Изобретение касается получения прозрачных полупроводниковых покрытий и может быть использовано в оптоэлектронике, Цель изобретения — повышение устойчивости раствора, снижение его агрессивности при одновременном повышении прозрачности получаемых пленок, а также возможность регулирования проводимости в пределах от 0,1 до 10 Ом см и температурного коэффициента сопротивления (ТКС) от

-1,13 до +3,9%.

Поставленная цель достигается тем, что в состав раствора вводят оксалат олова, растворенный в пероксиде водорода, и N-оксид третичного амина C

ДИОКСИДА ОЛОВА (57) Использование: в оптоэлектронике, Раствор содержит следующие компоненты: оксалат олова 48 — 120 г, пероксид водорода

8 — 30 г, N-оксид третичного амина 0,1 — 0,5 г, вода до 1 л, Этот состав обеспечивает снижение агрессивности, повышение устойчивости раствора и прозрачности пленок. Для регулирования проводимости пленок от 10 до 10 Ом.см и температурного коэффициента сопротивления от +1,1 до 3,9% раствор дополнительно содержит трихлорид олова в количестве 0,002 до 20% по отношению к оксалату олова, Получены прозрачные пленки $пзО толщиной 0,5 мкм с пропусканием в видимом диапазоне длин волн 75-83%. 1 з,п, ф-лы. вЪ творителя, В качестве добавки для получе- (ф ния проводящих покрытий используется хлорид сурьмы до 6 .

Предлагаемый раствор исключает использование хлоридов олова, загрязняющих пленку и снижающи" ее @" электрофизические и оптические характери- О стики. Кроме того раствор обладает высокой устойчивостью, сохраняя свои свойства в течение длительного времени, не требуется „ сложное оборудование для нанесения пленок, пленки, полученные из него, обладают высокой адгезией к подложке, имеют более высокую проводимость, прозрачность. Использование предлагаемого раствора позволяет управлять проводимостью и ТКС получаемых пленок.

1809846

Осаждение пленок при использовании предлагаемого раствора может производиться методом полива или центрифугирования на подлох<ки из стекла, кварца, ситалла, слюды, кремния, термостойких пластмэсь и других материалов, После высушивания пленочный раствор прокаливают при 300-400 С.

Пример 1. 24 г SnC204растворяют в

3 мл 30 раствора пероксида водорода (Hz0z), добавляют 0,2 мл 4 -ного раствора

N-оксида третичного амина в воде, после .чего доводят раствор водой до 50 мл, Методом полива раствор наносят на заранее очищенную поверхность стекла, сушат при

100 С в течение 30 глин. и прокаливэют при

400 С 2 часа.

В результате, как показывает рентгенографический анализ, получают пленку

Яп304 толЩиной 0,5 мкм с следующими ха рактеристикагли; удельное сопротивление р 1,05 х 10 Ом см з

ТКС в области температур 18 — 100 С вЂ” 1,13 % оптическое пропускание в видимой области спектра, Т 85

Раствор сохраняет свои свойства более одНОГО ГОДЭ, Состав раствора:

SnC204 — 48 г

Н202 — 18 г

N-оксид третичного амина — 0,16 r

Hz0 до1л.

Пример 2. 2,4 SnC204 растворяют в

3 мл 30 Н202 в воде, растворяют 0,1 r $ЬС«з добавляют 0,2 мл 4%-ного раствора N-оксида третичного амина D воде, доводят раствор водой до 50 мл, центрифугированием наносят раствор на кварцеву о подложку. Б результате получа от пленку Sn30p: ЯЬ20з толщиной 0,53 мкм со следующими характеристиками: р= 9 Ом.См, ТКС в области температур, . указанной выше, 3,9

T-=80 .

Раствор сохраняет свои свойства в течение

1 года и более.

Состав раствора:

Яп С204 48 г

НгОг 18г

ЯЬС«з 2г

N-оксид третичного амина 0,16 r

Н20 до1л

П риме р 3,2,5 г ЯпС204растворяютв

3 мл 30 раствора НгОг в воде, растворяют

0,2 r SbCb, доводят объем до 50 мл. Далее как в примере 1. Полученная пленка имеет следующие характеристики: р=7 2 Ом см

5 TKC--1,9

Т=79

Раствор сохраняет свои свойства не менее

1 года.

Состав раствора:

10 SnС20л 100 г

Нг02 18г

ЯЬС«з 4,1 г

N-оксид третичного амина 0,16 г

HzO до 1 л.

Пример 4. 6 r $пС204 растворяют в 5 мл 30 % раствора H20z в воде, растворяют

0 38 r ЯЬС«з и 0 5 мл 4% раствора N-оксида третичного амина в воде, доводят раствор водой до 50 мл. Далее как в примере 1, Полученная пленка имеет следующие характеристики, р = 63 Ом.см

ТКС = 1,6

Т=78

Раствор сохраняет свои свойства не менее,. чем 1 год

Состав раствора:

Sn С204 120г

Н202 30г

$ЬС«з1 7,5 г

N-оксид третйчного амина 0,2 r

«-I20 до 1л.

Пример 5. 6 r $пСг04 растворяют в 5 мл 30 Н20г в воде, растворяют 0,65 г SbCb

35 и 0,5 мл 4 раствора N-оксида третичного амина в воде, доводят раствор водой до 50 мл и наносят его центрифугированием на кварцевую подложку. Далее как в примере

1.

"0 Пленка имеет следующие характеристики; р= 40 Ом.см

ТКС=1,2 т = 82 %

Состав раствора:

45 SnC204 120 r

Н202 30г

Sb CI3 13г

N-оксид третичного амина . 0,16 г

Н20 до 1л.

50 Раствор сохраняет свои свойства более 1 года.

Пример 6. 6 г ЯпС204 растворяют в 5 мл 30% раствора HzOz. растворяют 0,9 г

55 ЯЬС«з затем 0,5 мл 4 раствора N-оксида

° третичного амина в воде, доводят раствор водой до 50 мл. Далее как в примере 1.

Полученная пленка имеет следующие характеристики, 1809846

Составитель Л,Конюшко

Техред M.Moðãåèòàë Корректор Л.Пилипенко

Редактор Л.Пигина

Заказ 1297 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент". г, Ужгород, ул,Гагарина, 101

p=200м см

ТКС= 1,2 %

Т= 77о

Раствор сохраняет свои свойства более 1 года. 5

Состав раствора:

SI1C204 120 г

Н202 30г

ЯЬС!з 18г

N-оксид третичного амина 0,2 r 10

Н20 до 1л.

Пример 7. При составе раствора

Яп С204 120 r

I 1202 30 г

N-оксид третичного амина 0,2 r 15

Н20 до 1л приготовленного вышеописанным методом, получают пленки с р= 18 Ом см

ТКС=1 1 20

Т=75 о

При увеличении количества вводимого оксалата олова в предлагаемый состав, сопротивление пленок изменяется незначительно и остается на уровне 10 — 10 Ом см, 25

ГКС:также не изменяется (-1,13 — 1,1 " ) пропускание ухудшается. Это говорит о том, что для достижения цели нет необходимости повышать расход исходной соли. Уменьшение количества вводимого оксалата 30 олова.приводит к резкому возрастанию сопротивления до 10 Ом см и уменьшению адгезии пленки и ее растрескиванию, Таким образом, указанное количество оксалата олова, вводимого в раствор, является апти- 35 мальным, при котором достигается цель изобретения.

При концентрациях ЯЬС!з, вводимого в раствор, больших 18 г.существенного повышения йроводимости и изменения ТКС не .40 наблюдается, а прозрачность получаемых пленок падает. Отсюда вытекает вывод, что повышение концентрации ЯЬС(з выш 24 г в составе предлагаемого раствора нецелесообразно по зкономическим соображени- 45 ям. Цель изобретения может быть достигнута при указанных в формуле изобретения концентрациях ЯЬС!з.

Избыток пероксида водорода по сравнению с указанным в примерах приводит к уменьшению стабильности раствора. Его количество выдержано в пределах, необходимых для полного растворения вводимого оксалата олова.

N-оксид третичного амина использован в качестве смачивателя, уменьшение его количества ухудшает адгезионные свойства получаемых слоев, увеличение сверх 0,5 г/л ухудшает стабильность раствора.

Предлагаемые растворы позволяют получать пленки с большим набором удельных сопротивлений (20 Ом см — 10 Ом см) и з

ТКС (-1,13 — 3,9 ).

Заявляемое изобретение позволяет исключить использование агрессивных и легко воспламеняющихся жидкостей, сократить энергоэатраты при получении пленок, упрощает технологию их изготовле-. ния, повышает срок службы используемых растворов и производительность работ при нанесении покрытий, Формула изобретения

1, Раствор для получения полупроводниковых пленок на основе диоксида олова, содержащий соль олова, органическое соединение и воду, от л и ч а ю щи и с я тем, что, с целью снижения агрессивности, повышения устойчивости раствора и прозрачности пленок, раствор дополнительно содержит пероксид водорода, в качестве соли олова он содер>кит оксалат олова, а в качестве органического соединения — N-оксид третичного амина при следующем соотношении voìïîêåíòoâ:

Оксалат олова 48 — 120 г

Пероксид водорода 8-30 г

Оксид третичного амина 0,1-0,5 r

Вода До 1л.

2, гаствор по п. 1, отл ич а ю щи и ся тем, что, с целью регулирования проводимости пленок от 10 до 10 Ом см и температурного коэффициента сопротивления от + 1,1 до 3,9 раствор дополнительно содержит трихлорид олова в количестве 0,002 до 20;4 по отношению к оксалату олова.

Раствор для получения полупроводниковых пленок на основе диоксида олова Раствор для получения полупроводниковых пленок на основе диоксида олова Раствор для получения полупроводниковых пленок на основе диоксида олова 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов на затравках, ростовая поверхность которых представляет собой естественную грань

Автоклав // 1759044
Изобретение относится к автоклавам, используемым для выращивания кристаллов кварца в гидротермальных условиях методом температурного перепада

Изобретение относится к способам получения монокристаллов оксида висмута и может быть использовано в химической промышленности для создания сверхпроводящих материалов, а также в пьезотехнике и акустооптике

Изобретение относится к гидротермальному способу перекристаллизации диоксида германия тетрагональной модификации (/ Ge02), который может быть использован как исходное сырье для создания композиционных материалов, в пьезотехнике, в частности в резонаторах и фильтрах различного назначения, и в других областях материаловедения

Изобретение относится к способам окрашенных монокристаллов оксида цинка и может быть использовано в ювелирной промышленности

Изобретение относится к получению монокристаллов оксида цинка гидротермальным методом и может быть использовано в оптоэлектронике при создании твердотельных лазеров, излучающих в ультрафиолетовой и фиолетовой областях спектра и используемых в системах передачи информации, в вычислительной технике и на телевидении

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов оксидов сурьмы и может быть использовано в акустооптике и как композиционный материал для создания сверхпроводящих материалов

Изобретение относится к получению специальных материалов электронной техники и может быть использовано в оптои акустоэлектронике при создании ультрафиолетовых твердотельных лазеров, люминофоров и т.д

Изобретение относится к выращиванию кристаллов, в частности к твердофазному сращиванию оптических кристаллов, может быть использовано в оптике и обеспечивает повышение величины двулучепреломления

Раствор для получения полупроводниковых пленок на основе диоксида олова

Наверх