Коммутационный проводник для интегральной схемы

Авторы патента:

АЛЕКСАНДРОВ ЕВГЕНИЙ ВЕНИАМИНОВИЧ

ИЛЮК ИГОРЬ ЕВГЕНЬЕВИЧ

МОЛЧАНОВ КОНСТАНТИН ВИКТОРОВИЧ

ПЕНЦАК ИВАН БОРИСОВИЧ

САРАПИН ЯРОСЛАВ НИКОЛАЕВИЧ

H01L21/60 - присоединение проводов или других электропроводящих элементов, используемых для подвода или отвода тока в процессе работы прибора

союз соВетских

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВедомстВО сссР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (21) 4919861/21 (22) 19.03,91 (46) 30.04.93. Бюл. % 16 (71) Завод "Позитрон" (72) Е.В.Александров, И.Е.Илюк, К.В.Молчанов, И.Б.Пенцак и Я.Н.Сарапин (56) Коледов Л.А.:Технология и конструкция микросхем, микропроцессоров и микросборок. М,; Радио и связь, 1989,с. 71-73, .Заявка Японии М 62-174948, . кл, Н 01 L21/88, 1987. (54) КОММУТАЦИОННЫЙ ПРОВОДНИК

ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготбвлении межсоединений интегральных микросхем (ИС).

Целью изобретения является увеличение надежности межсоединения, На фиг.1 изображен коммутационный .проводник в разрезе; на фиг.2 вЂ” общий вид проводника с возможными дефектами.

Межсоединение состоит из ряда отдельных токопроводящих дорожек 1, размещенных между защитным покрытием 2 и изолирующей пленкой 3, расположенной на полупроводниковой подложке 4, Соседние дорожки соединены токопроводящими перемычками 5, При количестве дорожек 1 более двух перемычки 5 расположены- в шахматном порядке, Токопроводящие до« рожки 1 соединяют коммутируемые элементы А и В (фиг,2) при наличии дефектных областей С (повреждения, полученные в процессе фотолитографии) и D (механические повреждения, царапины).

„„5g„, 1812578 А1 (51)5 Н 01 1. 21/60

2 (57) Назначение: коммутационный проводник интегральной схемы предназначен для изготовления межсоединейий. Сущность изобретения: коммутационный проводник состоит из набора. отдельных токопроводя щих дорожек, размещенных между защитным покрытием и изолирующей пленкой, расположенйой на полупроводниковой подложке. Соседние дорожки соединены токопроводящими перемычками. При количестве дорожек более двух перемычки расположены в шахматном порядке. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Поврежденйе части дорожек 1 ведет к тому, что в области нарушения проводника ток течет по перемычкам 5 в обход дефектного участка (см. фиг,2) причем - Я

lgA = 1 + 2 + f3 = tg B = I 3 + l2 + !3

Перемычки 5 нецелесообразно располагать в один ряд, так как это ведет к возникнове.нию значительных поперечных напряжений, составляющих например, для алюминия, по- рядка(1...2).10 Н/м . Поэтому предлагается для компенсации этих напряжений перемычки располагать попеременно с каждой стороны токопроводящей дорожки, 1..е. в шахматном порядке, Предложенную конструкцию прбводника целесообразно использовать для коммутации наиболее нагруженных элементов интегральной схемы. При этом перемычки повышают надежность проводника, который сохраняет работоспособность даже при повреждении части токопроводящих дорожек в различных местах проводника.

1812578 увеличения надежности, соседние дорожки соединены токопроводя щими перемычками, Составитель Е, Александров

Техред M,Ìîðãåíòàë . Корректор M. Петрова

Редактор

Заказ 1577 . Тираж Подписное

В lMNflM Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r, Ужгород» улХагарина, 101

Формула изобретения

1. Коммутационный проводник для интегральной схемы, содержащий по крайней мере две параллельные токопровадящие дорожки, покрытые защитйым слоем и размещенные на изолирующей пленке, расположенной на полупроводниковой подложке, отличающийся тем, что, с целью

2. Проводник по п.1, о т л и ч ai ю щ и йс я тем, что количество дорожек выбрано превышающим две, а перемычки расположены в шахматном порядке.

Мощный полупроводниковый прибор // 1749952

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора // 1738039

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве ППП и ИС для присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю преимущественно путем пайки на эвтектику AlGe, Al-Ge-Au

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 1702825

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИМС

Способ изготовления полупроводникового прибора // 1691910

Способ присоединения золотой проволоки к тонкой алюминиевой пленке, нанесенной на кремниевую подложку // 1691909

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при сборке полупроводниковых приборов Цель изобретения - повышение выхода годных Способ заключается в том, что кремниевую подложку с нанесенной алюминиевой пленкой толщиной 80-100 нм разогревают до 320°С

Носитель для монтажа интегральной схемы // 1674294

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструированию носителей для монтажа интегральных схем

Способ сборки многокристальных свч-транзисторов и интегральных микросхем // 1545864

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к производству СВЧ арсенидгаллиевых и кремниевых транзисторов, и может быть использовано в производстве ГИС, МИС и изделий оптоэлектроники

Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке // 1518834

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к монтажу полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке гибридной схемы

Автомат для присоединения проволочных выводов полупроводниковых приборов // 1481871

Изобретение относится к приборостроению ,в частности, к оборудованию для монтажа выводов мощных транзисторов

Способ монтажа интегральной схемы с многоэлементным фотоприемником // 2121731

Изобретение относится к технологии сборки полупроводниковых приоров, а точнее к способам присоединения токоведущих элементов к полупроводниковому приору, и может использоваться для монтажа интегральной схемы (ИС) с многоэлементным фотоприемником (ФП)

Многослойная коммутационная плата (варианты) // 2133081

Изобретение относится к разработке и производству аппаратуры на основе изделий микроэлектроники и полупроводниковых приборов и может быть широко использовано в производстве многослойных печатных плат, а также коммутационных структур для многокристальных модулей

Способ изготовления выводных рамок // 2183366

Полупроводниковый прибор // 2222844

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике

Способ нанесения проводников на поверхности электронных компонентов // 2312423

Изобретение относится к области производства электронных компонентов

Устройство для перемещения сварочной головки // 2068600

Изобретение относится к производству электронных приборов, в частности к оборудованию для присоединения проволочных выводов к интегральным схемам (ИС)

Способ монтажа кремниевого кристалла на плате // 2003204

Полупроводниковый кристалл и его монтажная структура // 2487435

Изобретение относится к полупроводниковым кристаллам и монтажным структурам таких кристаллов

Легирование бессвинцовых паяльных припоев и структуры, сформированные с их помощью // 2492547

Изобретение относится к микроэлектронике

Проводящие пасты // 2509789

Изобретение относится к проводящим пастам для формирования металлических контактов на поверхности субстратов для фотогальванических элементов. Проводящая паста по существу свободна от стеклянной фритты. По одному варианту выполнения изобретения проводящая паста содержит металлоорганические компоненты, которые образуют твердую металлоксидную фазу при обжиге, и проводящий материал. Металлоорганические компоненты выбраны из группы, включающей карбоксилаты металлов или алкоксиды металлов, где металлом является бор, алюминий, кремний, висмут, цинк или ванадий. По другому варианту проводящая паста включает несколько предшественников, которые образуют проводящие элементы при обжиге или нагревании. Паста адаптирована для сцепления с поверхностью субстрата и при обжиге формирует твердую оксидную фазу с образованием из проводящих материалов электрического проводника на субстрате. Использование указанной проводящей пасты в линии проводящей сетки фотогальванических элементов обеспечивает повышение эффективности и коэффициента заполнения гальванического элемента. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 пр.