Термоэлектрический материал

 

Изобретение предназначено для изготовления положительной ветви термоэлементов . Цель изобретения - повышение термоэлектрической добротности. Сущность изобретения:термоэлектрический материал на -основе В12Тез о,97 (ОузТе4)о,5- (Оу2Тез)о,,оз содержит Ge при следующем соотношении компонентов, мол.%: ,97-(ОузТе4)о,5 х (Оу2Тез)о,,оз} 99,61-99,75; Ge 0,39-0,25, 2 табл.

CO/03 СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 1 35/16

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР)

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

«i

СВИДЕТЕЛЬСТВУ

К АВТОРСКОМУ

k (21) 4748133/25 (22) 12.10,89 (46) 07.05,93. Бюл. ¹ 17 (71) Азербайджанский государственный университет им,С.М,Кирова (72) cD.M.Ñàäûãîâ, Т,М,Ильясов, О.М.Алиев, А.В.Эйнуллаев, П.Г.Рустамов и С.М.Гаджиев (56) Гольцман Б.М. и др. Полупроводниковые материалы на основе Вl>Teз, M. Наука, 1972, с.35.

Рустамов П,Г. и др, Известия АН СССР.

Неорганические материалы, 1984, т.20, №

12, с.1976, с.24.

Изобретение относится к получению высокоэффективных термоэлектрических материалов для положительной ветви термоэламентов, Целью изобретения является повышение термоэлектрической добротности материала на основе (BizTeg)p,è ((0узТе4)о,в . (0у2Тез)о,Б)о,оз, работающей в широком интервале температур.

Полученный новый состав соответствует общей химической формуле ((В1 Тез)о,gт, ((0узТе4)о,Б (0у2Тез)0,Б)о,оз) -хбех, где х

=0,001 — 0,005. Оптимальный состав, при котором достигается максимальное значение добротности, является ((В Ь Тез)мт((0узТе4)о, Б(0узТез}о,ь)о,оз) о,эи

Geo,ооз, Предложенный материал получается стравлением В4Тез, ОузТе4, 0у2Тез и Ge o

ÄÄ5U ÄÄ 1814113 А1 (54) ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ (57) Изобретение предназначено для изготовления положительной ветви термоэлементов. Цель изобретения — повышение термоэлектрической добротности. Сущность изобретения: термоэлектрический материал на:основе (BlzTe3)o,ë ((0узТе4)оБ. .(DyzTeg)o,ü)p,0з содержит Ge при следующем соотношении компонентов, мол.%; ((BizTe3)o,ov. ((0узТе4)о,В х (0у21ез)о,5)о,оз}

99,61-99,75; Ge 0,39-0,25, 2 табл, вакуумированных до 10 мм рт.ст. кварце-: вых ампулах при 1070 — 1 l00 К. Затем образ-, цы медленно охлаждаются до 800 К и при, этой температуре дополнительно прово- дится гомогенизирующий отжиг в тече-, ние 300 ч.

Конкретные примеры исполнения с оп-, реде;,енными электрическими свойствами в, сопоставлении с прототипом приведены в, табл. 1. Как видно из табл. 1, с увеличением содержания Ge в (ВiaTe3)o97 °

° ((0узТе4)о,в(0у2Тез}о,Б)о,оз до - 0,5 мол,% коэффициент добротности Еизменяется в пределах от 3,15 до 3,53, достигая своего максимума при 759 К Z = 3,61 ° 10 град

Для подтверждения стабильности термоэлектрических параметров были получены пять образцов с оптимальным составом

1814113 ((81гТез)о,97 ((О узТе4)о,5(Оу2Тез)о,5)о,оз)о.997- (у прототипа 3,53 .10 з град <) и имеет широ.Geo,î3. кий интервал рабочей температуры 300 — 850

Результаты изучения их термоэлектри- К. ческих свойств приведены в табл. 2. Ф о р м у л а и э о б р е т е н и я

Значение термоэлектрической доброт- 5 Термоэлектрический материал на осноности с ростом температуры от 300 до 850 К ве (В12Те)о,97((ОузТее)о,s (Оу2Тез)о,в), о т л ииэменяется в среднем незначительно ч а ю шийся тем, что, с целью повышения (+ 0,03). Поэтому интервал рабочей обла- термоэлектрической добротности, он дости температуры предлагаемого материала полнительно содержит Ge при следующем можно считать от 300 до 850 К. 10 соотношении компонентов, мол,g:

Таким образом, предлагаемый термо- ((В!2Те)о,97 ((ОузТе4)о,s электрический материал обладает высоким -(ОугТез)о,ь)о,оз значением добротности Qp = 3 61 ° 10 з град 1 Ge

Тa блица 1 терюэлентрииесние свойства лрототила C BieTe (Dy теь)ит (Оуатет)и>1ета и лредлоиенного материала QBfeTeДтт (РуаТе )ит (DyeTe>)„,d,,рай) .Се„° а а. вез, „ где х 0,1 0,5

99,61 — 99,75

0,39-0,25

2-10 а град

И, от В*/Ои си д

Обрааец

Состав натериала, юль %

Х 10 а>Вт/си>град

300 К 750 К 850 К

300 К 750 К

850 К т

TP J Ge

99,9 0,1

99,8 0,2

3,14 2 ° 86.

3,40 3,06

3,61 3,18

3,38 3,03

3,61 2,85

3,53 3,04

41 ° 5

43,5

43.2

41,8

39,9

42,3

63,5 .

72,5 . 79.5

60,2

58,2

78,5

2

4

56,5

64,5

63,5

57,5

57,1

62,2

18,1

17 ° 5

17,6

17,0

1 7. 79

17,7Е

2Р 1

25,5

27,5

22>02

28,35

28, 04

14,5

14 ° 2

13,6

13,Е

14,0

13,ЕЕ

2,87

2,84

2,40

2,75

2>69

2 ° 80

99 ° 7 О 3

99,6 0,4

99,9 0>5

1! рото тнл

О р и и е ч а н и е. TP - теерлий раствор на основе LBizTe31>egDy Tee)og (Оуа2ет),,г3,,»g

Таблица 2 ь.

Измение термоэлектрической добротности сплава оптимального состава ((Blz Тез)î97((Оуз Те4)о,5 (Оуг Тез) о,5)ооз)о997 Ge оооз в зависимости от температуры

Составитель Ф.Садыгов

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор М Петрова

Редактор

Заказ 1829 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул.Гагарина, 101