Способ изготовления арсенидгаллиевых структур

Авторы патента:

H01L21/26 - воздействие волновым излучением или излучением частиц (тепловое излучение H01L 21/324)

Способ изготовления арсенидгаллиевых структур, включающий имплантацию кремния в подложку из арсенида галлия, импульсный отжиг и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет исключения неуправляемого уширения профиля легирования и снижения удельного сопротивления подложки, охлаждение осуществляют со скоростью не более 250^oС/с.

Способ создания интегральных схем микросхем с диодами шоттки, имеющими различную высоту потенциального барьера // 1814432

Способ изготовления полупроводниковых структур // 1813303

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления интегральных схем, имеющих элемент памяти с затвором из поликристаллического кремния

Способ изготовления кремниевых магниточувствительных транзисторов // 1811637

Способ изготовления силовых кремниевых диодов // 1809701

Способ изготовления биполярных транзисторов // 1800501

Изобретение относится к микроэлектро нике и может быть использовано при изготовлении транзисторов в изделиях, эксплуатируемых в условиях воздействия радиации

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур с внутренним геттером // 1797403

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления эпитаксиальных структур и полупроводниковых приборов

Способ получения мезотаксиальных слоев дисилицида кобальта в кремнии // 1795821

Изобретение относится к радиационной физике твердого тела, микроэлектронике, в частности к способам получения заглубленных эпитаксиальных (мезотаксиальных) тонкопленочных слоев в полупроводниках

Способ легирования полупроводников // 1783930

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Способ изготовления прибора с переносом заряда с областью виртуальной фазы // 1782139

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к оптоэлектронике, и может быть использовано в производстве интегральных схем и полупроводниковых приборов различного назначения

Способ изготовления биполярных полупроводниковых приборов // 2100871

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Способ обработки лавинных диодов // 2100872

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Способ регулирования величины заряда обратного восстановления полупроводниковых приборов с заданной точностью // 2110113

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ легирования полупроводниковых пластин // 2111575

Изобретение относится к технике, связанной с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники и металлы, а именно к способам диффузионного перераспределения примеси с поверхности по глубине полупроводниковых пластин путем обработки в потоке электронного пучка, и может быть использовано в пространстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Устройство для удаления поверхностных загрязнений с подложки (варианты) // 2114486

Изобретение относится к устройствам для удаления нежелательных поверхностных примесей с плоской или имеющей нерегулярную форму поверхности подложки 12 высокоэнергетическим излучением

Способ формирования проводящей структуры // 2129320

Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока заряженных частиц и может быть использовано в микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем, запоминающих устройств и оптических элементов

Способ получения структур кремния-на-изоляторе методом зонной перекристаллизации и устройство для его осуществления // 2133520

Способ геттерирующей обработки подложек кремния // 2134467

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов

Способ формирования твердотельных наноструктур // 2141699

Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении