Способ изготовления маски для напыления пленочных структур

 

Использование: вакуумная технология, устройства для олучения тонкопленочных топологических рисунков. Сущность изобретения: при изготовлении маски для напыления тонкопленочных структур в пластине монокристаллического кремния ориентации

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)э С 23 С 14/04

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВЙДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4840516/21 (22) 18.06.90 (46) 15.06.93. Sion. bk 22 (71) Научно-исследовательский институт

"Поиск" (72) А.Г. Четчуев, О.В. Чукалин и А.В.Юссон (56) Майссел Jl. и др. "Технология тонких пленок" т.I,Ì.: "Сов, радио", 1977. с; 562564.

Электронная техника, сер. 2, Полупроводниковые приборы. М 2 (137), 1980, с. 102107. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАСКИ ДЛЯ

НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР

Изобретение относится к вакуумной технике, а точнее к устройствам и способам напыления тонких пленок через свободные маски на вакуумных установках, и может быть использовано при изготовлении встречно-штыревых решеток и других структур

Целью изобретения является расширение технологических возможностей способа за счет создания масок со сложным топологическим рисунком с выступами при соотношении длины выступа к его ширине более 10.

На чертеже показана маска для напыле-, ния пленочных структур, где изображена . пластина 1 с выступами 2, которые образо- ° ваны прямоугольными окнами 3 в виде щели.

Пример. На пластине 1 из.монокристаллического кремния с ориентацией (100) формируют защитное покрытие из оксида кремния %02. Для получения маски с высту-

„„.Я2„„1821494 А1 (57) Использование: вакуумная технология, устройства для, получения тонкопленочных топологических рисунков. Сущность изобретения: при изготовлении маски для напыления тонкопленочных структур в пластине монокристаллического кремния ориентации (100) формируют через окна защитного покрытия, сквозные отверстия в виде прямоугольников. Стороны прямоугольников располагаются вдоль осей пластины кремния (110). Такая ориентация позволила изго- . тавливать прецизионные прочные маски с консольными выступами при отношении длины выступа к его ширине более 10, 1 ил, пами 2 длиной l и шириной Ь в оксиде путем прецизионной фотолитографии формируют окна в виде прямоугольников, стороны которых ориентированы вдоль кристаллографических осей пластины (110). Далее глубоким аниэонтронным травлением в щелочных травителя при температуре порядка 100 С в пластине кремния получают отверстия 3 в виде щели. При этом боковые стенки отверстий совпадают с плоскость о (111), образуют угол порядка 55 к плоскости прилегания подложки.

Выполнение боковых стенок выступа, совпадающими с наиболее прочной для кремния плоскостью (111), обеспечивает максимальный срок службы маски и воэможность получения длинных и узких консольных выступов.

Минимальная погрешность изготовления размеров рисунка маски составляет

0,005 мм, благодаря высокой воспроизводимости размеров края маски. Повышается

1821494 (иа)

Составитель Н. Овсянникова

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор С. Пекарь

Редактор

Заказ 2092 . Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35. Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент". г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 точность воспроизведения формы щели ввиду устранения эффекта экранирования стенками маски при напылении.

Маска из, кремния имеет температурный коэффициент линейного расширения (ТКЛР) (2-4).f 0 близкой к ТКЛР подложек из ситалла, керамйки и совпадающий с

TKJlP подложки из кремния. Это обеспечи. вает минимальную погрешность линейных размеров в широкои температурном диапа зоне эксплуатации. Изготовлены кремниевые:маски различной конфигурации с одним и двумя выступами из пластины кремния диаметром 76 мм для напыления петлеобразных проводников, Минимальные разме.ры проводников по ширине 20-60 мкм, максимальные по длине до 5-7 мм, нечеткость края не более 5-10 мкм. Погрешность линейных размеров напыляемых прОвбдников не .более 20 мкм. Изготавливаемые длинные выступы с соотношением — > 10

Ь при толщине маски (300-340) мкм имеют высокую жесткость, не изгибаются от собст5 венного веса и внутренних напряжений, стойки при многократных (20-30) напылениях.

Формула изобретения

Способ изготовления маски для напыления пленочных структур, включающий травление пластины монокристаллического кремния с ориентацией (100) через окна в .. защитном покрытии, отличающийся

15 тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа, окна защитного покрытия формируют s виде прямоугольников, стороны которых. ориентированы вдоль кристаллографических осей пластины крем20 ния (110),

Способ изготовления маски для напыления пленочных структур Способ изготовления маски для напыления пленочных структур 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к прокатному производству и может быть использовано на металлургических и машиностроительных заводах преимущественно для листовой прокатки с одновременным нанесением на прокатываемую полосу различных металлических покрытий

Изобретение относится к области литейного производства, в частное ти к способу изготовления кокилей,

Изобретение относится к области общего машиностроения, в частности к способам формообразования листовых пружин

Изобретение относится к химико-термической обработке жаропрочных сплавов и может быть использовано в машиностроении

Изобретение относится к области нанесения тонкопленочных покрытий в вакууме
Наверх