Датчик магнитного поля

 

Примэн- .ние: датчик ччгч для 1 СГЮПЬ cUdHLW В ЭЛечГрОЧИОЙ И Э РКТрОТРХги -1 .гксн гп-эрчгуре различною , - чаче- Сучч изобретения при вс действии на датчик магннгнсго по,я напряжения Холла, возникающее между потенциальными выводами элемента Холла приводит к разбалансу токов транзистора 11 и Г2. Вместе с нагрузочными резисторами R1 и R2 транзисторы образуют схему дифференциального усилителя, выходной сигнал которого снимается с выводов 1 и 2 и является выходным сигналом датчика. При одинаковы А характерны иках транзчсторов и небольшой величине; сигнала суммарный тех . че меняется. Это означает мо ток питания эламонга Хо ъма не меняется п ..ледоватгльно, к гоняется и его /РСТВИГ ;ЛЬНООТЬ к магнитному полю. цос а очно малых полях с.)И сигнал :,эгч1 Ко линейно оисит ст поля. 2 ил

(О(ОЭ ()BEÒCÊÈÕ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (sf)s Н 01 1 43/06

ГОСУДАРСТВЕНЮЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (f OCflATEMT CCCP) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТО зСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ОО Э

Ф ( (Я

О

1 (21) 1937764/25 (22) 29.03,91 (46) 30,06.93. Бюл.t+ 24 (71) Особое конструкторское бюро при Саратовском заводе "Тантал" (72) Л.И Рабинович и Ю.Д.Биленко (56) Зарубежная электроника, 1909, N. 1?, с.13, рис.8.

Зарубех(ная электоонная техник >, .963, (+ 7, .: 45-46, рис.16.

{54) ДДТ i", МАГНИТHOf (i 10. 1é (57) Г(римзн =.|(èe: датчик пре,,лиаз(- эчен для исг(ольвования в электронной и 3 "(ктротех> И .е КОй а Р Па ра ГурЕ разЛИЧНО(П Н :" (аЧЕСу (!:. oе ь f<3oбpе effvя: nри в(Здействии на да1 чик магн(1(«QÃÎ г(оля на 4зобретение предназначено для ис пользования в электронной и электротехнической аппаратуре различного íàзначения, в том числе в бесколлекторных электродвигателях, в измерительной и контрольной Jflпаратуре.

Целью изобретения являе(ся уменьц;ение мощносги питания датж,к.-. при со ранении высокой чувств . гельнос и.

Пос авленн;-, .ль догтигается те,.:, ITo в датчике- магнитного поля, содер кащем элемент Холла и два транзистора, управляющие выводы которых соединены с потенциальными выводами элемента, общие выводы соединены между собой, в качестве транзисторов использованы полевые транзисторы, а общие выводы соединены с одним из токовых выводов элемента Холла, 5U 1824659 А1 прлжения Холла, возникающее между потенциальными выводами элемента Холла приводит к разбалансу токов транзистора

Т1 и Т2. Вместе с нагрузочными резисторами R1 и 82 транзисторы образуют схему дифференциального усилителя, выходной сигнал которого снимается с выводов 1 и 2 и является выходным сигналом датчика, При одинаковы. хаоактер. (. (Иках транзисторов и небольшой величине сигнала суммарный т(,к трвнз; с-оров не ме яется, Это азначае;, что ток пигания эл меига Холла не меня(ся, л ледоватсльно, (-:.;;; (.((яется и его увствит;льность к магнитному полю. При дос аточно малых полях выходной сигнал

:,агчик;, линейно: висит от поля. 2 ил. при этом второй токовый вывод соединен с общеи шиной.

Новизна предлагаемого решения (см.фиг.1) заключается в подключении соединенных общих выводов транзисторов не к самостоятельному выводу датчика, а к одому из токовых выводов элемента Холла.

Благодаря этому суммарный ток транзисторов является, одновременно, и током питания элемента, При этом элемент Холла, выполняя функцию магниточувствительной части датчика, определяет в то же время и рабочую точку транзисторов. Таким образом. при использовании датчика в аппаратуре (см.фиг.2) из схемы исключается резистор автосмещения, а следовательно, и рассеяние на нем избыточной питающей мощно ти.

1Я24 або

Ч7

Составитель Л. Рабинович

Редактор С. Кулакова Техред М.Моргентап Корректор С, Шекмар

Заказ 2227 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. уп,Глгарина, 101

Чувствительность датчика r. магнит ному полю Кв при использовании его согласно фиг.2 определяется как

Ke - G Кв (В/Тл) где Ke — чувствительность элемента ХолН ла, а G — усиление дифференциального каскада, выражаемое через величину резисторов и (в предположении R1 =: й2 ==- R3) и крутизну транзисторов g как

О-й, 10

Таким образом, ясно, что выбирая транэисторы с большой g и увеличивая R, можно получить высокую чувствительность Reв даже при малой величине Ke,малом токе

Н питания или малой постоянной Холла использованного элемента).

Наилучшим вариантом исполнения предложенного датчика является изготовление его в виде интегральной схемы, так как при этом легко обеспечивается совпаде- 20 ние характеристик транэисгоров, а следовательно минимальное остаточное напряжение. На фиг.1 показана схема датчика, а на фиг.2 одна их схем его применения. При использовании согласно схема фиг.2 с р зистооами 10 K0f1 чувствительность датчика была более 200 В/Тл при по- .требляемом токе не более 3 мА.

Предложенное техническое решение выгодно отпичается от схемы прототипа, по,кольку прлводит к уменьшению потребляемой датчиком мощности. Это особенно важно для аппаратуры с жесткими ограничениями на энергопотребление и габаритно-весовые параметры, например, переносной или бортовой.

Формула изобретения

Датчик магнитного поля, содержащий элемент Холла и два транзистора, управляющие выаоды которых соединены с потенциальными выводами элемента, общие выводы соединены между собой, о т л ич а ю щ и и с я тем, что, с целью уменьшения мощности питания при сохранении высокой ióâñTâèTåãüHocTè, B качсстве транзисторов использованы полевые транзисгоры, а общие выводы соединены с одним из токовых выводов элемента Хоппа, при этом второй токовый вывод соединен с общей шиной.

Датчик магнитного поля Датчик магнитного поля 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковым магниточувствительным датчикам, использующим эффект Холла

Изобретение относится к полупроводниковым магниточувствительным устройствам и может быть использовано как датчик магнитной индукции в составе измерительной аппаратуры и в различных системах ориентации и навигации летательных аппаратов

Изобретение относится к полупроводниковым магниточувствительным датчикам, использующим технологию микроэлектромеханических систем

Изобретение может быть использовано для создания миниатюрных датчиков для трехосевой магнитометрии. Датчик магнитного поля содержит сенсорные узлы, реализованные на использовании эффекта Холла, которые выполнены в составе криволинейной оболочки с системой слоев. В системе слоев присутствуют восприимчивые к магнитному полю - функциональные и формообразующие. Последними обеспечена кривизна оболочки и возможность ориентации крестообразных холловских элементов сенсорных узлов в пространстве с выполнением соответствия измеряемых холловских напряжений ортогональным компонентам вектора внешнего магнитного поля. Способ изготовления датчика магнитного поля заключается в следующем. На подложке формируют многослойный пленочный элемент/элементы. При этом используют материалы, геометрию и внутренние механические напряжения, обеспечивающие ориентацию крестообразных холловских элементов сенсорных узлов в пространстве, при которой реализовано соответствие измеряемых холловских напряжений ортогональным компонентам вектора внешнего магнитного поля. На стадии формирования пленочного элемента изготавливают слои, формообразующие, механически напряженные, и функциональные, восприимчивые к магнитному полю, с холловскими контактами. Пленочный элемент отделяют от подложки, трансформируя его под действием внутренних механических напряжений в оболочку с достижением ориентации крестообразных холловских элементов в пространстве, при которой реализовано соответствие измеряемых холловских напряжений ортогональным компонентам вектора внешнего магнитного поля. Решения обеспечивают достижение точности и надежности одновременных измерений ортогональных компонент магнитного поля, а также компоненты вектора магнитного поля, отличной от перпендикулярной к плоскости датчика; повышение надежности датчика и воспроизводимости параметров датчиков. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 6 ил., 5 пр.
Наверх