Фотоумножитель

 

Использование: электронная техника, в частности к конструкции фотоумножителя. Сущность изобретения: фотоумножитель содержит эквипотенциальную поверхность торцового полупрозрачного фотокатода и изоляционную боковую внутреннюю поверхность катодной камеры. На изоляционной боковой внутренней поверхности расположено резистивное покрытие, верхняя граница которого, близлежащая к фотокатоду, электрически соединена с фотокатодом, а противоположная граница имеет дополнительный вывод, обеспечивающий подачу напряжения на это покрытие вдоль образующей боковой внутренней поверхности катодной камеры. Резистивное покрытие может быть выполнено из полупроводникового фоточувствительного слоя. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к сцинтилляционным фотоумножителям с высоким амплитудным разрешением. Целью изобретения является улучшение амплитудного разрешения. Цель достигается тем, что в фотоумножителе, содержащем эквипотенциальную поверхность торцевого полупрозрачного фотокатода и изоляционную боковую внутреннюю поверхность катодной камеры, на изоляционной боковой внутренней поверхности расположено резистивное покрытие, верхняя граница которого, близлежащая к фотокатоду, электрически соединена с фотокатодом, а противоположная граница имеет дополнительный вывод, обеспечивающий подачу напряжения на это покрытие вдоль образующей боковой поверхности катодной камеры. Резистивное покрытие может быть выполнено из полупроводникового фоточувствительного слоя. На чертеже представлен фотоумножитель. Фотоумножитель содержит эквипотенциальную поверхность торцового полупрозрачного фотокатода 1. На изоляционной боковой внутренней поверхности 3 расположено резистивное покрытие 2, выполненное, например, из полупроводникового фоточувствительного слоя, верхняя граница 4 электрически соединена с фотокатодом 1, а противоположная граница 5 имеет дополнительный вывод 6. Фотоумножитель работает следующим образом. Фотоэлектроды, испускаемые торцовой поверхностью фотокатода 1 в результате подачи на него светового излучения, двигаются к первому диноду умножительной системы 7. При подаче рабочего напряжения на фотоумножитель благодаря дополнительному выводу 6 на границе резистивного покрытия 2 по боковой внутренней поверхности 3 в области катодной камеры эквипотенциали выравниваются по краям, что улучшает изохронность траектории фотоэлектронов и увеличивает их сбор на первый динод. С увеличением сбора фотоэлектронов улучшается амплитудное разрешение фотоумножителя. Использование изобретения по сравнению с прототипом позволяет улучшить амплитудное разрешение фотоумножителя на 30% по экспериментальным данным.

Формула изобретения

1. ФОТОУМНОЖИТЕЛЬ, содержащий эквипотенциальную поверхность торцового полупрозрачного фотокатода и изоляционную боковую внутреннюю поверхность катодной камеры, отличающийся тем, что, с целью улучшения амплитудного разрешения, на изоляционной боковой внутренней поверхности расположено резистивное покрытие, верхняя граница которого, близлежащая к фотокатоду, электрически соединена с фотокатодом, а противоположная граница имеет дополнительный вывод, обеспечивающий подачу напряжения на это покрытие вдоль образующей боковой поверхности катодной камеры. 2. Фотоумножитель по п.1, отличающийся тем, что резистивное покрытие выполнено из полупроводникового фоточувствительного слоя.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к оптико-электронной технике и используется для изготовления микроканальных пластин (МКП), применяемых для конструирования электронно-оптических преобразователей ЭОП) в электронно-лучевых трубках (ЭЛТ) для индикации излучений

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, в частности, при интегральном методе измерений параметров импульсов излучения в автоматическом режиме

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при проектировании координатно-чувствительных фотоэлектронных умножителей
Изобретение относится к способам изготовления фотоэлектронных-умножителей (ФЭУ) с фотокатодом (ФК)на основе монокристаллического GaAs

Изобретение относится к электронным методам ядерной физики, в частности к экспериментам, требующим регистрации слабых световых потоков

Изобретение относится к области оптических устройств, в частности к фотоумножителям (Ф) астрофотометров, и может быть использовано при исследовании физических и химических процессов , сопровождаемых оптическим излучением для регистрации пороговых световых потоков

Изобретение относится к области

Изобретение относится к электронной технике, в частности к вторично-эмиссионным умножительным системам, используемым в многоканальных фотоэлектронных умножителях

Изобретение относится к области электротехники и к электронной технике, в частности к изготовлению микроканальной пластины, и может быть использовано при изготовлении волоконно-оптических пластин

Изобретение относится к электротехнике и электронной технике, в частности к изготовлению микроканальной пластины, и может быть использовано при изготовлении волоконно-оптических пластин
Изобретение относится к оптико-электронному приборостроению, в частности к технологии изготовления микроканальных пластин (МКП), и может быть использовано в электронно-оптических преобразователях

Изобретение относится к технологии изготовления микроканальных пластин (МКП) с повышенными коэффициентом усиления, отношением сигнал/шум, разрешающей способностью и может быть использовано в производстве МКП

Изобретение относится к электронной оптике и может быть использовано в электронно-оптических преобразователях (ЭОП)

Изобретение относится к вакуумной электронике и может быть использовано в электронно-оптических преобразователях (ЭОП)

Изобретение относится к области измерительной техники

Изобретение относится к технике генерации мощных широкополосных электромагнитных импульсов (ЭМИ) субнаносекундного диапазона длительностей и может быть использовано при разработке соответствующих генераторов
Изобретение относится к оптико-электронному приборостроению, в частности к технологии изготовления микроканальных пластин (МКП), и может быть использовано в электронно-оптических преобразователях

Изобретение относится к электронной технике, в частности к сцинтилляционным фотоумножителям с высоким амплитудным разрешением

Наверх