Способ гальванического золочения

 

Использование1 гальваническое золочение Сущность изобретения: осаждение золотого покрытия из цитратно-фосфатного электролита на импульсном токе с интегральной плотностью 2 мА/см , импульсами напряжений со скошенным задним фронтом крутизной 101-102 В /С при равной длительности импульса и паузы 80 мкс. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (С!)5 С 25 D 3/48, 5/18

I OÑÓÄAPÑTÂÅННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОспАтент сссР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4853637/26 (22). 23.07.90 (46) 23.07.93. Бюл. М 27 (71) Научно-производственное обьединение

"ЭЛАС" (72) Б.А.Нарнов и А,И.Волков (56) Патент ГДР N 218532. кл. С 25 0 3/48, 1984, Патент Ф РГ М 2121150, кл. С 25 D 5/18, 1980.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем.

Целью изобретения является уменьшение удельного сопротивления золотого гальванического покрытия;

Поставленная цель достигается тем, что при гальваническом осаждении золота к электродам ванны прикладывают импульсы напряжения прямоугольной формы со скошенным задним фронтом, крутизну которого устанавливают в диапазон 10 — lO В/С.

Т 2

Пример. На полупроводниковых, пластинах диаметром 60 мм методом вакуумного напыления формировали контактный слой золота, Затем с использованием позитивного фоторезиста формировали маску для гальванического осаждения золота.

С целью исследования качества гальванического покрытия золотые элементы изготав, ливались в виде полосков шириной 500 мкм и длиной 40 мм.

БЫ„„1828880 А1 (54) СПОСОБ ГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ЗОЛОЧЕНИЯ (57) Использование: гальваническое золочение. Сущность изобретения: осаждение золотого покрытия иэ цитратно-фосфатного электролита на импульсном токе с интегральной плотностью 2 MA/см, импульсами напряжений со скошенным задним фрОнтом крутизной 10 — 10 В/С при равной дли1 2 тельности импульса и паузы 80 мкс. 1 табл.

Для осаждения использовался цитратно-фосфатный электролит гальванического осаждения золота следующего состава, г/л: 3

Дицианоаурат калия 8

Лимонная кислота 80

Ортофосфорная кислота 25

Для процесса гальванического осаждения к электродам ванны. прикладывали прямоугольные импульсы напря жения длительностью 80 мкс с паузой 80 мкс, ско- ©© шенным задним фоонтом и крутизной заднего. фронта 10 -10 В/С. Импульсы формировали с помощью потенциостата CO

П50И-1 и программатора ПР— 1. Время осаж- QO дения — 40 мин, интегральная плотность то- QQ ка 2 мА/см, толщина золотого покрытия — {"

5 мкм. Измерение сопротивления золотых полосков проводили 4-зондовым методом с .использованием зондовой головки ПБЛ

7700-4004; Ток и напряжение фиксировались с помощью приборов ЦУИП и 13 МП05-.-001.

1828880

Таким образом, наилучшие параметры покрытий по сопротивлению получены при крутизне заднего фронта ормующего импульса в диапазоне 10 -10 В/L.

Составитель Б,Нарнов

Техред М.Моргентал Корректор Н. Милюкова

Редактор

Заказ 2468 Тираж. Подписное

ВНИИПИ Государствейного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

1.136 35, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-иэдательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Результаты измерения сопротивления покрытия представлены в таблице.

Минимальное сопротивление золотой пленки 2,47 10 Ом м получено при использовании импульса с крутизной заднего фронта 10 B/С. При увеличении крутизны фронта от 10 В/С удельное сопротивление

1 возрастает до 2,8 10: GM м. Полученное в этом режиме покрытие имеет менее гладкую поверхность. Уменьшение крутизны заднего фронта до 10 B/C приводит к возрастанию сопротивления до 3,6 10

Ом.м, цвет покрытия в этом случае темный, пленка имеет слабую адгезию. Покрытие, сформированное в импульсном режиме нулевой крутизной заднего фронта (прототип) имеет сопротивление 3,96 10 Ом м, покрытие темное со слабым блеском. а

Технико-зкономическая эффективность предлагаемого изобретения заключается в повышении выхода годных приборов при изготовлении изделий микроэлектроники эа

5 .счет снижения на 387; сопротивления золотого покрытия, Твк, при использовании способа, приведенного в качестве прототипа. сопротивление гальванической пленки составляет

10 3,96 10 Ом м, а при использовании изобретения (2;47-2,86) 10 Ом м.

Формула изобретения

Способ гальванического золочения, преимущественно из цитратно-фосфатного электролита, включающий осаждение на импульсном токе прямоугольной формы, о т-: л.и ч а ю шийся тем, что, с целью снижения удельного сопротивления покрытия, осаждение ведут при интегральной плотности тока 2 мА/см импульсами напряжения со. скошенным задним фронтом крутизной .

10:10 В/С при равной длительности имг пульса и. паузы 80 мкс.