Способ получения стеклокристаллического сегнетоэлектрического материала

 

Изобретение относится к производству стеклокристаллических материалов и может быть использовано при создании элементов мощных газовых лазеров, а также в качестве рабочего тела высоковольтных конденсаторов большой емкости. Для повышения диэлектрической проницаемости материала в способе получения стеклокристаллического сегнетоэлектрического материала, включающем расплавление на воздухе шихты, содержащей TiO₂, кристаллизацию и отжиг, шихта дополнительно содержит BaCO₃ и Si при следующем соотношении компонентов, мас. % : TiO₂ 27,3 - 28,0; BaCO₃ 67,5 - 69,2 и Si 2,8 - 5,2. Величина диэлектрической проницаемости полученного материала составляет 450000 - 530000. 1 табл.

Изобретение относится к производству стеклокристаллических материалов и может быть использовано при создании элементов мощных газовых лазеров, в частности при изготовлении предионизаторов, а также в качестве рабочего тела высоковольтных конденсаторов большой емкости. Цель изобретения повышение диэлектрической проницаемости материала. Стеклокристаллический сегнетоэлектрический материал и способ его получения реализован следующим образом. П р и м е р 1. Шихту, содержащую, мас. Si 2,8; ТiO₂ 28,0; ВаCO₃ 69,2, расплавляют при 1350^оС на воздухе в алундовом тигле и проваривают в течение 0,5 ч. Расплав разливают в графитовые формы, нагретые до 750^оС, кристаллизуют и отжигают в электрической печи на воздухе при этой же температуре в течение 0,5 ч. Затем полученные образцы охлаждают до комнатной температуры в печи со скоростью 40 град/ч. На образцы в виде плоских пластин напыляют серебряные электроды и измеряют электрическую емкость измерителем Е7-8. По емкости и геометрическим размерам образцов рассчитывают диэлектрическую проницаемость ε. У материала образцов затем определяют химический состав методами стандартного химического "силикатного" анализа с применением газовой хроматографии. В таблице приведены состав шихты, материала и значения диэлектрической проницаемости материала.

Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА, включающий расплавление шихты, содержащей TiO₂ и восстановитель, кристаллизацию и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости материала, шихта в качестве восстановителя содержит кремний и дополнительно BaCO₃ при следующем соотношении компонентов, мас. TiO₂ 27,3 28,0 Кремний 2,8 5,2 BaCO₃ 67,5 69,2 причем расплавление ведут на воздухе.

РИСУНКИ

Рисунок 1