Способ измерения давления и устройство для его осуществления

Авторы патента:

G01L21/12 - с помощью измерения изменений электрического сопротивления измерительных элементов, например нитей; вакуумметры Пирани

Использование: изобретение относится к вакуумной технике, а именно к приборам для измерения давления разреженного газа - теплоэлектрическим вакуумметрам и может найти применение в различном вакуумном оборудовании для контроля давления в диапазоне Па. Сущность изобретения: способ измерения давления с помощью теплоэлектрического преобразователя включает нагрев чувствительного элемента преобразователя пропусканием электрического тока, измерение падения напряжения на чувствительном элементе и обработку результатов измерений, при этом осуществляют дополнительный нагрев чувствительного элемента преобразователя путем контакта его с нагреваемым электрическим током дополнительным элементом, температуру которого поддерживают постоянной, или обеспечивают режим его нагрева при постоянной величин электрического тока. Устройство для измерения давления содержит теплоэлектрический преобразователь давления 1 электрическими тоководами 3, к которым прикреплены концы нити 5 из электропроводного материала, подключенной к источнику тока 7 и регистратору падения напряжения 8, В преобразователь введена дополнительная нить 6 из электропроводного материала, концы которой прикреплены к введенным дополнительным электрическим токовводам 4. которые соединены с введенным в устройство дополнительным источником тока 9, при этом середины нитей 5 и б жестко соединены между собой, а оба источника тока 7 и 9 изолированы друг от друга. 2 с.п.ф-лы, 3 ил. (Л с 00 со о СА) о Сл

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5(>5 G 01 L21/12

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 1

К ПАТЕНТУ

10 (21) 4949119/10 (22) 26.06;91 (46) 23.07.93. Бюл. М 27 (71) Научно-производственное обьединение

"Вакууммашприбор" (72) А,А.Биршерт (73) А,А.Биршерт (56) Грошковский Я. Техника высокого вакуума, М.: 1975, с.. 347, 348, Там же, с. 350-355. (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ И

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ (57) Использование: изобретение относится к вакуумной технике, а именно к приборам для измерения давления разреженного газа вЂ” теплоэлектрическим вакуумметрам и может найти применение в различном вакуумном оборудовании для контроля давления в диапазоне 10 2-10 Па. Сущность изобретения: способ измерения давления с помощью теплоэлектрического преобразователя включает нагрев чувствительного элемента преобразователя пропусканием электрического тока, измерение падения напряжения

„„5Ц „„18301 39АЗ на чувствительном элементе и обработку результатов измерений, при этом осуществляют дополнительный нагрев чувствительного элемента преобразователя путем контакта его с нагреваемым электрическим током дополнительным элементом, температуру которого поддерживают постоянной, или обеспечивают режим его нагрева при постоянной величин электрического тока. Устройство для измерения давления содержит теплоэлектрический преобразователь давления 1 электрическими тоководами 3, к которым прикреплены концы нити 5 из электропроводного материала, подключенной к источнику тока 7 и регистратору падения напряжения 8, В преобразователь введена дополнительная нить б из электропроводного материала, концы которой прикреплены к введенным дополнительным электрическим токовводам 4, которые соединены с введенным в устройство дополнительным источником тока 9, при этом середины нитей S и б жестко соединены между собой, а оба источника тока 7 и 9 изолированы друг от друга. 2 с.п.ф-лы, 3 ил.

Таким образом, предложенный способ измерения давления на основе дополнительного нагрева чувствительного элемента путем контакта его с нагреваемым электрическим током дополнительным элементом, а также устройство для осуществления данного способа обеспечивают повышение чувствительности при измерении низких давлений разреженного газа.

Формула изобретения

1. Способ измерения давления с помощью теплоэлектрического преобразователя, включающий нагрев чувствительного элемента преобразователя пропусканием электрического тока, измерение падения напряжения на чувствительном элементе и обработку результатов измерений, о т л ич а ю шийся тем, что. с целью расширения диапазона измерения в область низких давлений, осуществляют дополнительный нагрев чувствительного элемента преобразователя путем контакта его с нагревэемым электрическим током дополнительным элементом, температуру vîòoðîãо поддерживают постоянной, или обеспечивают режим ега нагрева при постоянной

5 величине электрического тока, 2, Устройство для измерения давления, содержащее теплоэлектрический преобразователь давления с электрическими токовывадэми, к которым прикреплены концы нити из электропроводного материала, подключенный к источнику тока и регистратору падения напряжения нэ нити, о т л и ч э ющ е е с я тем, что, с целью повышения чувствительности, в преобразователь введена

".> дополнительная нить из электропроводного материала, концы которой прикреплены к введенным дополнительным электрическим такавводэм, которые соединены с введенHblM в устройство дополнительным источником тока, при этом середины обеих нитей жестка соединены между собой, а оба источникаэ тока изолированы друг o F друга, 1830139

Составитель А.Биршерт

Техред M,Moðråíòàë Корректор А, Козориз

Редактор

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород. ул.Гагарина, 101

Заказ 2964 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Способ измерения давления и устройство для его осуществления

Похожие патенты:

Теплоэлектрический вакууметр // 1786378

Датчик давления // 1760421

Изобретение относится к измерительной технике, в частности, к теплоэлектрическим датчикам давления, и может быть использовано для измерения малого избыточного давления с повышенной точностью

Способ измерения давления разреженного газа и устройство для его осуществления // 1747968

Изобретение относится к измерительной технике

Способ измерения вакуума и устройство для его осуществления // 1700405

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения вакуума

Способ градуировки теплового вакуумметра // 1675710

Изобретение относится к вакуумной технике и позволяет снизить погрешность градуировки теплового вакуумметра путем проведения индивидуальной калибровки типовой градуировочной зависимости в трех точках диапазона измеряемых давлений: в крайних при нулевом и атмосферном давлениях и в середине диапазона

Устройство контроля вакуума в электровакуумном приборе // 1657991

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к устройствам контроля вакуума п отпаянных электровакуумных приборах (ЭВП)

Теплоэлектрический вакуумметр // 1599688

Изобретение относится к приборостроению и позволяет расширить диапазон рабочих температур теплоэлектрического вакуумметра

Теплоэлектрический преобразователь давления // 1569627

Изобретение относится к приборам для измерения давлений разреженных газов и может найти применение в различном вакуумном оборудовании для измерения давления в диапазоне 10<SP POS="POST">-1</SP> - 10<SP POS="POST">5</SP> Па

Тепловой вакуумметр // 1525514

Изобретение относится к приборостроению и позволяет повысить удобство эксплуатации теплового вакуумметра при замене датчика

Способ измерения вакуума // 1509655

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в вакуумметрических системах для измерения давления разреженных газов

Теплоэлектрический вакуумметр // 2104507

Способ измерения давления газа и устройство для его осуществления // 2036448

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в устройствах измерения давления газов в широком диапазоне давлений

Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой и датчик вакуума на его основе // 2485465

Изобретение относится к датчикам вакуума для измерения давления разреженного газа в вакуумных установках различного назначения

Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе // 2505885

Изобретение относится к измерительной технике. В способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой получают гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x. Массовую долю компонента х определяют (задают) в интервале 50%≤х≤90% путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом. Золь приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O). Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н.п. ф-лы, 10 ил.

Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности и датчик вакуума на его основе // 2506659

Изобретение относится к измерительной технике. Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)20%(SnO2)80% путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O) в определенных соотношениях. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.

Способ изготовления наноструктурированного чувствительного элемента датчика вакуума и датчик вакуума // 2539657

Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться при изготовлении датчиков вакуума для измерения давления разреженного газа в вакуумных установках различного назначения. Предложен способ изготовления наноструктурированного чувствительного элемента датчика вакуума, заключающийся в образовании гетероструктуры из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)40%(SnO2)50%(In2O3)10%, где 40% - массовая доля диоксида кремния (SiO2), 50% - массовая доля диоксида олова (SnO2), 10% - массовая доля оксида индия (In2O3), путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O), а также дополнительно 4,5-водный нитрат индия (In(NO3)3·4,5H2O). Предложен также датчик вакуума с наноструктурой, изготовленной по предлагаемому способу. Технический результат - повышенная чувствительность датчика по сравнению с ранее известными. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Способ изготовления датчика вакуума наноструктурой на основе смешанных полупроводниковых оксидов и датчик вакуума на его основе // 2602999

Изобретение относится к датчикам давления разреженного газа, а также к способам изготовления таких датчиков. Способ изготовления датчиков давления включает образование гетероструктуры, формирование в ней тонкопленочного полупроводникового резистора, имеющего вид сетчатой наноструктуры (SiO2)50%-c(SnO2)50%(In2O3)c (где c - массовая доля In2O3, 1%≤с≤15%), закрепление указанной гетероструктуры в корпусе датчика, и соединение контактных площадок гетероструктуры с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Датчик давления, изготовленный в соответствии с предложенным способом, включает в свою конструкцию корпус, установленную в нем тонкопленочную гетерогенную структуру со сформированным в ней тонкопленочным полупроводниковым резистором, контактные площадки, сформированные в гетерогенной структуре, выводы корпуса и контактные проводники, соединяющие контактные площадки с выводами корпуса. Технический результат изобретения заключается в увеличении чувствительности датчика давления при осуществлении измерений в области низкого вакуума. 2 н.п. ф-лы, 8 ил.