Способ подбора силовых тиристоров для параллельного включения

 

Сущность изобретения: способ подбора силовых тиристоров для параллельного включения заключается в том, что тиристоры подбираются не только по величинам прямых падений напряжения на полностью включенных полупроводниковых структурах , но и по параметрам, характеризующим процесс распространенных включенного состояния в них. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТ СКИХ

СОЦИЛЛИС1И 1ЕСКИХ

РЕСПУВЛИК,1831756 А3 (я)5 Н 02 М 1/00

ГОСУДАРСТВЕ1ФЮЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОспАтент сссР) .1

Оп ИСАН И Е И ЗО БР ЕТЕ Н И Я,.

К ПАТЕНТУ (21) 5007284/07 (22) 31. 10.91 (46) 30.07.93. Бюл. N. 28 (71) Челябинский государственный технический университет (72) М.Е.Гольдштейн и Ю,В.Коровин (73) Челябинский государственный технический университет (56) Мощные управляемые выпрямители для электроприводов постоянного тока. Аптер

Э.М„Жемеров Г,Г., Левитан И.И. и др. М.:

Энергия, 1975, с. 209.

Электротехническая промышленность.

Преобразовательная техника. 1981, N .8, с.7 — 8.

Авторское свидетельство СССР

Nò 1617558, кл. Н 02 M 1/00, 1990.

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при подборе тиристоров для параллельного включения без применения делителей тока, Целью изобретения является повышение надежности работы преобразовательных устройств с параллельным соединени м тиристоров, На чертеже приведена вольт-амперная характеристика тиристора, поясняющая предложенный способ, Способ осуществляется следующим образом, Пусть, например, из имеющейся партии тиристоров необходимо выбрать два тиристара для параллельного включения, Для этого первоначально все тиристоры партии разбиваются по группам, в каждую из которых входят тиристоры с заданным разбросом паспортных значений прямых падений (54) СПОСОБ ПОДБОРА СИЛОВЫХ ТИРИСТОРОВ ДЛЯ ПАРАЛЛЕЛЬНОГО ВКЛЮЧЕНИЯ (57) Сущность изобретения: способ подбора силовых тиристоров для параллельного включения заключается в том, что тиристоры подбираются не только по величинам прямых падений напряжения на полностью включенных полупроводниковых структурах, но и по параметрам, характеризующим процесс распространенных включенного состояния в них. 1 ил, напряжения (на практике величина разброса этого напряжения не должна превосходить 0,1 В). Затем поочередно каждый из тиристоров включают в контур с источником тока. подают к управляющему электроду тиристора постоянный ток управления, соответствующий техническим условиям для данного типа тиристора, включают источник тока и постепенно от нуля повышают анодный ток тиристора, контролируя при этом напряжение на тиристоре. Измеряют напряжение на тиристоре да скачкообразного уменьшения — U> и напряжение на тиристоре после скачкообразного уменьшения — Ug.

Режим постепенного увеличения тока означает возможность контроля напряжения на тиристоре при постоянном токе в течение сколь угодно долгого времени, необходимоra äëÿ контроля, Скачкообразное уменьшение напряжения на тиристоре свидетел ьствует а

1831756 о Vg Up

Составитель Е. Кузьмин

Техред M.Mîðãåíòàë

Корректор С. Лисина

Редактор

Заказ 2554 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина. 101 переключении в проводящее состояние той области полупроводниковой структуры тиристора, которая до этого блокировала процесс РВС, Величина напряжения U> характеризует условие, необходимое для начала протекания. процесса РВС, а величина напряжения Uz характеризует собственно протекание процесса РВС.

Если одновременно с повышением анодного тока тиристора осциллографировать его ВАХ (см.фигуру), то последняя хорошо иллюстрирует преодоление блокировки процесса РВС в точке 1 при напряжении Ui.

В режиме постепенного увеличения анодного тока ВАХ снимается на постоянном токе. Поэтому скачкообразное уменьшение напряжения на тиристоре происходит практически при неизменном токе и в точке

2 величина напряжения Uz соответствует так называемой критической плотности анодного тока в уже включенной области полупроводниковой структуры, Критическая плотность анодного тока тиристора является одним из основных параметров, характеризующих процесс РВС в тиристоре, т,к, определяется электрофизическими свойствами материала полупроводниковой структуры, ее геометрией, технологией изготовления. При плотности анодного тока меньше критической происходит стягивание включенной области, а при больше критической — процесс РВС. Поэтому величина напряжения Uz и характеризует собственно протекание процесса РВС. Участок 1-2 ВАХ соответствует протеканию процесса РВС в тиристоре при постоянном токе после преодоления блокировки этого процесса (точка

1) до установления во включенной области структуры плотности тока равной критической (точка 2).

После проведения измерений выбирают два тиристора, у которых разницы между соответствующими значениями напряжений AU1 и ЛUz не превышают заданных величин, При практической реализации способа AU> 0,2 В, Л02 0,1 8, При этом обеспечивается более высокая надежность работы параллельных тиристоров, так как улучшается равномерность распределения

"0 нагрузок между ними.

Применение предлагаемого способа повышает надежность преобразовательных устройств с параллельным соединением тиристоров, что в итоге увеличивает срок службы устройства либо улучшает его массогабаритные показатели, Формула изобретения

Способ подбора силовых тиристоров

20 для параллельного включения, заключающийся в последовательном выборе иэ имеющейся партии тиристоров тиристора с паспортным значением прямого падения напряжения в заданном диапазоне, включе25 нии тиристора в контур с регулируемым источником постоянного тока, подаче к управляющему электроду тиристора постоянного тока управления, соответствующего техническим условиям, включении источни30 ка тока, постепенном от нуля увеличении анодного тока тиристора, контроле напряжения на тиристоре. измерении напряжения на тиристоре перед его скачкообразным уменьшением, от.л и ча ю щий с я тем,что измеряют напряжение на тиристоре сразу после его скачкообразного уменьшения, а в группу для параллельного включения подбирают тиристоры с заданными разбросами соответствующих измеренных значений на40 п ряжения,