Патент ссср 193439

Авторы патента:

C30B31 - Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей

0 П И С А Н И Е l9343ct

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 31.l.1966 (№ 1052575/23-26) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 13.l I l.1967. Бюллетень № 7

Дата опубликования описания 24Х.19б7

Кл. 12с, 2

=;lg, 11/02

М11К В 016

Н 01

УДК 66.046.516:546-162 (088.8) Комитет по делам иво0ретеиий и открытий при Совете Мииистрав

СССР

СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ

ПОРОШКОВ НЕОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИИ

Известный способ легирования поликристаллических порошков неорганических соединений состоит в том что в шихту поликристаллов вводят фториды редкоземельных металлов.

Однако этот способ не позволяет получать монокристаллы с высокой оптической и кристаллической однородностью.

С целью устранения указанных недостатков, предлагается в качестве солей редкоземельных металлов использовать раствор хлоридов, который вводят в процессе получения поликристаллов неорганического соединения.

П р и M е р. Углекислый кальций квалификации ЧДА пропитывают дистиллированной водой до густого сметанообразного состояния и в полученную массу постепенно вводят плавиковую кислоту с 0,5%-ным избытком. Затем туда хке по каплям добавляют при перемешивании раствор хлорида редкоземельного металла. Образовавшийся раствор упарпвают, осадок промывают декантацией 3 вЂ” 4 раза дистиллированной водой, сушат при б0"С и прокаливают в течение 2 час прп 400 вЂ 5 С.

Предмет изобретения

Способ легирования поликристаллических

10 порошков неорганических соединений введением солей редкоземельных металлов, orлича обийся тем, что, с целью повышения оптической и кристаллической однородности монокристал лов, в качестве солей редкоземельных металлов используют раствор хлоридов, который

15 вводят в процессе получения поликристаллов неорганического соединения.

Способ получения кремниевых заготовок // 138062

Способ регулирования типа проводимости и электросопротивления антимоната алюминия // 126269

Способ синтеза монокристаллов алмаза и реактор для его реализации // 2102542

Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА) из низкомолекулярных углеродсодержащих соединений при высоких температурах в гетерогенных селикатных средах

Способ получения искусственных кристаллов алмаза особо крупных размеров // 2118562

Изобретение относится к технологическим приемам получения искусственных кристаллов алмаза из углеродсодержащего сырья, при высокой температуре и в атмосфере сжатого газа, относительно низкого давления

Способ термобарического отжига комплексных радиационных дефектов в ядерно-легированных полупроводниковых кристаллических веществах // 2141544

Способ введения лигатуры в расплав при получении берилла // 2147049

Изобретение относится к области производства синтетических драгоценных камней

Способ получения интеркалированных соединений и соединения, полученные этим способом // 2156329

Изобретение относится к области технологии получения и легирования неорганических веществ и может быть использовано в микроэлектронике, полупроводниковом приборостроении

Способ ионного легирования твердых тел // 2193080

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем облучения ионами фазообразующих элементов и может быть использовано для ионной модификации структуры и физико-механических свойств металлов, полупроводников и сверхпроводников

Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния // 2193609

Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния // 2193610

Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности

Способ получения легированных ультрадисперсных алмазов // 2202514

Изобретение относится к технологии получения сверхтвердых материалов, а именно искусственных алмазов, при непосредственном использовании высоких давлений и температур, развивающихся при детонации конденсированных взрывчатых веществ (ВВ)

Способ получения резистентного кремния // 2202655

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии получения полупроводниковых материалов, устойчивых к воздействию радиации и температурных полей