Способ автономной регулировки количества

 

Союз Соеетскик

Социалистических республик

Комитет оо делам изобретений и открмтий ори Сосете бйииистрое

СССР

Авторы изобретения

Б. H. Клярфельд и Б. И. Москалев

Заявитель

СПОСОБ АВТОНОМНОЙ РЕГУЛИРОВКИ КОЛИЧЕСТВА

И ЭНЕРГИИ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ

В ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ПЛАЗМЕ

Изобретение относится к способам регулирования газоразрядных лазеров и прочих спектральных излучателей.

Согласно известным способам для регулирования характеристик быстрых электронов в газоразрядных приборах изменяют либо ток разряда либо плотность газа. При этом .происходит одновременное изменение как количества, так и энергии быстрых электронов, сопровождаемое изменением всех основных свойств плазмы.

Предложенный способ позволяет изме нять количество и энергию быстрых электронов в газовом разряде без заметного изменения остальных параметров плазмы.

Способ заключается в том, что в плазму вводят дополнительный электрод с регулируемым отрицательным относительно плазмы потенциалом и изменяемыми величинами и эмиссионными характеристиками его поверхности.

Допол нительный электрод впрыскивает в плазму быстрые электроны, уходящие с его поверхности под действием вторичной или термоэлектронной эмиссии и ускоряемые сильным электрическим полем в лрпэлектродном слое, имеющем толщину порядка длины Де5 бая. При этом потенциал зонда определяет энергию электронов, а абсолютная величина тока эмиссии — их количество.

Предмет изобретения

Способ автономной регулировки количества и энергии быстрых электронов в газоразрядной плазме, например в лазерах или спектральных излучателях, отличающийся тем, 15 что, с целью регулирования количества и энергии быстрых электронов газоразрядной плазмы при сохранении неизменными ее основных параметров, в плазму вводят дополнительный электрод с регулируемым отрица20 тельным относительно плазмы потенциалом и изменяемыми величиной и эмиссионными характеристиками его поверхности.

Способ автономной регулировки количества 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области физики, в частности к квантовой электронике, и может быть использовано в высокоэффективных мощных лазерах, в системах технологической обработки материалов

Изобретение относится к лазерной технике, в частности к полупроводниковым лазерам с накачкой электронным пучком лазерным электронно-лучевым трубкам (ЭЛТ)

Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к газоразрядным проточным лазерам с замкнутым контуром непрерывного и импульсно-периодического действия

Изобретение относится к лазерному оборудованию, а точнее к устройству газообмена электрозарядного CO2-лазера

Изобретение относится к твердотельным оптическим квантовым генераторам и может быть использовано при изготовлении лазерной техники

Изобретение относится к лазерной технике, а точнее к блокам генерации излучения лазера с поперечной прокачкой газового потока

Изобретение относится к импульсным твердотельным лазерам, работающим в режиме с электрооптической модуляцией добротности, и может быть использовано для получения мощных импульсов лазерного излучения в наносекундном диапазоне длительностей импульса с частотами повторения импульсов до 100 Гц в видимом и ближнем инфракрасном, в том числе безопасном для человеческого зрения, спектральных диапазонах для целей нелинейной оптики, лазерной дальнометрии, оптической локации и экологического мониторинга окружающей среды

Изобретение относится к лазерной технике, а более конкретно к неодимовым лазерам, генерирующим в области 1,060,1 и 1,320,1 мкм

Изобретение относится к лазерной технике, а именно к конструкциям твердотельных лазеров
Наверх