Амплитудный модулятор на полупроводниковыхдиодах

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетскит

Социалистическими

Республин

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено ОЗ.Ч.1966 (¹ 1073394/26-9) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 29.XII.1967. Бюллетень ¹ 3

Дата опубликования описания 12.Ш.1968

Комитет ло делам иаооретеиий и открытий ори Сосете Мииистрое

СССР

88.8) Авторы изобретения

К. П. Жукаускас и И. И. Масюлис

Заявитель

АМПЛИТУДНЫЙ МОДУЛЯТОР НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ДИОДАХ

Известны мостовые схемы на полупроводниковых диодах. Известны также схемы I13раметрических амплитудных модуляторов, выполненных в виде управляемых модулирующим сигналом делителей напряжения.

Предлагаемый амплитудный модулятор на полупроводниковых диодах содержит два диодных моста, соединенных последовательно для модулируемого колебания и параллельно для модулирующего. Через мосты пропускается ток от постоянного источника напряжен ия, посредством которого выбирается начальная рабочая точка устройства. Благодаря применению двух диодных мостов постоянная составляющая на выход устройства не поступает.

Вследствие внутренней компенсации постоянной составляющей начальная рабочая точка практически независима от уровня подводимых модулирующего и модулируемого напряжений. Введение начального смещения диодов позволяет осуществить модуляцию при малых значениях напряжений (порядка десятков и сотен милливольт) и получить малые искажения модулированного колебания.

Принципиальная схема амплитудного модулятора представлена на чертеже.

Основными элементами модулятора являются диодные мостики 1 и 2. Через сопротивления 8 и 4 на диодные мостики подается положительное напряжение. Этим напряжением подбирается рабочая точка диодов.

В точку 5 через конденсатор б поступает модулируемое напряжение, которое распределяется поровну на каждый из мостиков.

Амплитуда модулируемого напряжения в точке 7 наполовину меньше, чем в точке 5.

Индуктивности 8, 9, 10 и 11 имеют большое сопротивление для модулируемого сигнала и небольшое — для модулирующего сигнала, Модулирующее напряжение поступает на точки 12, И в противофазе. В тот момент, когда в точке 14 амплитуда модулирующего напряжения положительной полярности, в точке

15 она будет равна амплитуде модулирующего напряжения в точке 14, но с отрицательной полярностью по отношению к напряжению между точками 5 и 1б диодного мостика и земли. Постоянная составляющая напряжения в точке 1б из-за противофазных напряжений в точках 14 и 15 диодного мостика не изменится по сравнению с исходным состоянием.

Сопротивление мостика по диагонали 5 и 1б изменится, так как изменится ток, проходящий чсрез диоды, а вольтамперные характеристики диодов нелинейные. При соответстvóþùåé рабочей точке для небольших амплитуд модулирующего сигнала сопротивления диодов будут меняться по закону модулирую30 щего сигнала. Второй мостик работает анало

208004

Составитель М. Порфирова

Редактор Б. С. Нанкина Техред Т, П. Курилко Корректоры: Т. П. Лаврухина и Л. В. Наделяева

Заказ 196/4 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 гично, но на,вход модулирующего сигнала модулирующее напряжение поступает в противофазе по сравнению с напряжением, поступающим на вход модулирующего сигнала первого диодного мостика. Модулированный сигнал снимается с точки 7 через конденса-.ор 17.

Предмет изобретения

Амплитудный модулятор на полупроводниковых диодах, состоящий из двух диодных мостов и развязывающих цепочек на элементах R и С, отличающийся тем, что, с целью получения глубокой амплитудной модуляции при малых амплитудах модулирующего напряжения и уменьшения нелинейных искажений

s в цепь источника несущей частоты, оба моста включены последовательно своими диагоналями с разноименными полюсами диодов, причем выходной сигнал снимается с общей точки обоих мостов, а модулирующее напряжение

10 подведено к диагоналям с одноименными полюсами диодов каждого из мостов со сдвигом по фазе на 180 .