Способ электролитического осаждения меди на железо и сталь

Авторы патента:


 

209936

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Союетокиа

Социалиотичеокиа

Реопублик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 48а, 5/18

Заявлено 02. IV.1966 (№ 1065405/22-1) с присоединением заявки №

Приоритет

МПК С 23Ь

УДК 621.357.7:669.38:621. .3.035.444 (088.8) Комитет по делам изобретений и открйтий при Советв Миниотрое

СССР

Опубликовано 26.1.1968. Бюллетень № 5

Дата опубликования описания 29.III.1968

Авторы изобретения

Н, Н. Балашова, Н. М. Дятлова и К. И. Головня

Заявитель

СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛ ИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ МЕДИ

НА ЖЕЛ ЕЗО И СТАЛ Ь

Известен способ осаждения меди из этилендиаминового электролита. Такой электролит неустойчив в работе, .и осаждение меди ведут при малых плотностях тока.

Особенностью предложенного способа является то, что в качестве основного компонента B электролит вводят диэтилентриаминпентауксусную кислоту при следующем соотношении компонентов, г/л: сернокислая медь пятиводная 80 — 100 диэтилентриаминпентауксусная кислота 380 †4 едкий натр 80 — 100 и процесс ведут при комнатной температуре, 15

Д,=I — 3 а/д и-, pH=6 — 6,5.

Это позволяет интенсифицировать процесс и .получить качественное покрытие.

Медный комплекс с диэтилентриаминпентауксусной кислотой (ДТПЛ) более прочный по 20 сра внению с медным этилендиаминовым и по своей константе нестойкости Кн приближается к К„цианистого медного комплекса.

Методика приготовления электролита проста. 25

В щелочной раствор диэтилентриаминпентауксусной кислоты вводят 0,3 М раствор медной соли. рН раствора доводят до 6 — 6,5 серной кислотой. Электролит стабилен в работе, рассеивающая способность его .равна 50% по

Херингу и Блюму. Катодный выход по току составляет 80 — 90%. Предел рабочей плотности тока от 1 до 3 а/для.

Предмет изобретения

Способ электролитического осаждения меди на железо и сталь из комплексного электролита, содержащего сернокислую медь, отличаюи ийся тем, что, с целью интенсификации процесса и .получения качественного покрытия, в электролит в качестве основного компонента вводят диэтилентриаминпентауксусную кислоту при следующем соотношении компонентов, г/л: сернокислая медь пятиводная 80 — 100 диэтилентриаминпентауксусная кислота 380 †4 едкий натр 80 — 100 и процесс ведут при комнатной температуре, Д„1 — 3 а/дм -, рН 6 — 6,5.

Способ электролитического осаждения меди на железо и сталь 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области гальваностегии, в частности к нанесению медных покрытий на сталь без промежуточного подслоя и может быть применено в машиностроении и приборостроении для получения пластических медных покрытий с минимальным наводораживанием стальной основы

Изобретение относится к области гальванотехники, в частности получению электролитических компактных гладких и блестящих или матовых покрытий медью и ее сплавами, а также гальванопластических изделий из них

Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности, к электролитическому способу получения медных фосфорсодержащих анодов из отходов меди (вторичного сырья)

Изобретение относится к области гальваностегии, в частности, к электролитическому осаждению медных покрытий

Изобретение относится к области нанесения металлических покрытий, в частности к составам растворов для контактного меднения тугоплавких металлов, например циркония и его сплавов, и может быть использовано для нанесения технологической подсмазки при волочении

Изобретение относится к гальваностегии, в частности к нанесению блестящих медных покрытий на сталь без промежуточного подслоя

Изобретение относится к гальваностегии, в частности к нанесению блестящих медных покрытий на сталь без нанесения промежуточного слоя

Изобретение относится к гальваностегии, в частности к нанесению медных покрытий, и может найти применение в различных отраслях промышленности

Изобретение относится к гальваностегии, в частности к нанесению медных покрытий на сталь без применения промежуточного слоя

Изобретение относится к гальваностегии, в частности к нанесению блестящих медных покрытий на сталь без промежуточного подслоя
Наверх