Импульсный модулятор

 

Импульсный модулятор используется в импульсных модулирующих устройствах для повышения помехозащищенности модулятора Устройство содержит схему питанир 1, состоящую из N источников 2 питания, нагрузку 3 в виде импульсного трансформатора. N транзисторов 4, N первых, резисторов 5, N вторых резисторов 6. N первых диодов 7 N-1 третьих резисторов 8 N- 1 вторых диодов два источника управляющего и«гнл.1а 10 и 11. транзисторный ключ 12, два ргзистгря 11 и 15 и диод 14 1 ил

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ

Комитет Российской Федерации по патентам и товарным знакам (21) 4856706/21 (22) 01.0890 (46) 1510.93 Бюл. На 37-38 (71) Научно-исследоватепьский эпектромехани— ческий институт (72) Горшков ВН, Шувапов АВ. (73) Научно-исследовательский электромеханический институт (54) ИМПУЛЬСНЫЙ МОДУЛЯТОР (57) Импупьсный модупятор используется в им(и) аи пп 2901505 С1 (Я) ЗК пупьсных модупирующих устройствах дпя повнгнения помехозащищенности модупнтора Устройство содержит схему питания 1, состоящую из N игточников 2 питания, нагрузку 3 в виде импупьсного транг-,орматора, N транзисторов 1, N первых резис-оров 5, N вторых резисторов 5, N первых диодов 7. N-1 третьих резисторов 8 N--1 вторых диодов . два источника управляющего ««непа 10 и

11,;ранзисторный ключ 12, два рс зистс ра 13 и 15 и диод 11 1 ип

2001505

Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в импульсных модулирующих устройствах, Известен высоковольтный переключатель, содержащий N последовательно соединенных транзисторов, N последовательно включенных источников питания, схему управЛения, нагрузку и формирующие цепочки для базовых цепей, Недостатком устройства, при применении их в качестве импульсного модулятора. является недостаточная помехозащищенность иэ-за высокого уровня помех, возникающих в импульсных модуляторах, Наиболее близким по технической сущности и функциональному назначению является высоковольтный переключатель. выполняющий функцию импульсного модулятора и содержащий схему. питания на N последовательно соединенных источниках питания, N последовательно включенных транзисторов, источник запускающего сигнала и нагрузку.

Недостатком прототипа является недостаточно высокая помехозащищенность, которая в основном обусловлена высоким уровнем помех, передаваемых с высоковольтного выхода (нагрузки) модулятора на низковольтный вход.

Цель изобретения — выполнение помехоэащищенности модулятора, Поставленная цель достигается за счет того, что в импульсный модулятор, содержащий N последовательно включенных источников питания, N последовательно и согласно соединенных транзисторов, перехоры коллектор — эмиттер которых зашунтированы первыми резисторами, N первых диодов, включенных встречно-параллельно база-эмиттерным переходом соответствующих транзисторов и зашунтированных вторыми резисторами, N-1 третьих резисторов, первый источник управляющего сигнала, выход которого подключен к входу первого транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, коллектор N-ного транзистора подключен через нагрузку, в качестве которой является импульсный трансформатор, к положительному полюсу N-ного источника питания, N-1 вторых диодов. включенных параллельно третьим резисторам, база каждого транзистора, начиная со второго до N через соответствующий третий резистор, подключена к точке соединения положительного полюса предыдущего источника питания с отр. цательным полюсом последующего источника питания, введены: транзисторный ключ, третий диод, четвертый и пятый резисторы и источник управля5

55 ющего сигнала, выход которого подключен к базе транзисторного ключа. коллектор которого подключен к отрицательному полюсу первого источника питания. а эмиттер транзисторного ключа соединен с общей шиной, переход коллектор — змиттер транзисторного ключа зашунтирован четвертым резистором. а переход база — эмиттер транзисторного ключа зашунтирован последовательно соединенными третьим диодом и пятым резистором, при этом анод третьего диода соединен с базой транзисторного ключа.

Введенные в данное устройство элементы с соответствующими связями обеспечивают очень высокую степень помехозащищенности, так как транзисторы модулятора могут быть переведены в открытое состояние лишь при одновременном наличии помеховык импульсов положительной полярности на выходе первого источника управляющего сигнала и отрицательной полярности на выходе второго источника управляющего сигнала.

На чертеже представлена принципиальная схема импульсного модулятора, Устройство содержит схему питания 1, состоящую иэ N последовательно включенных источников питания 2, при этом положительный полюс N-ного источника 2 подключен к первому выводу нагрузки, в качестве которой используется импульсный трансформатор. второй вывод нагрузки 3 подключен к коллектору N-ного иэ последовательно соединенных транзисторов 4, эмиттер первого транзистора 4 соединен с общей шиной, переходы коллектор — эмиттер каждо о иэ транзисторов 4 эашунтированы первыми резисторами 5, переход база — змиттер каждого иэ транзисторов 4 эашунтирован первой цепочкой, состоящей из параллельно соединенных второго резистора б и первого диода 7, при этом катод первого диода 7 N-ной иэ первых цепочек подключен к базе N-ного транзистора 4 и к первому выводу N-1 иэ вторых цепочек. состоящей из параллельно соединенных третьего резистора 8 и второго диода 9, при этом второй вывод N-1 из вторых цепочек и катод N-1 второго диода 9 подключены к точке соединения положительного полюса

N-1 источника питания 2 с отрицательным полюсом N источника питания 2. остальные цепочки из третьих резисторов 8 и вторых диодов 9 от М-2 до первой подключены соответственно так же. база перво о транзистора 4 соединена с выходом первого источника 10 управляющг in èi нала, выход вгорого источника 11 ynp i„i н «si.ro сигнаflrl подключен к ба.з i t). I «1. f Inl ) KOINE÷ý

2001505.12. переход база — змиттер транзисторного ключа 12 эашунтирован третьей цепочкой, состоящей иэ параллельно соединенных третьего диода 14 и четвертого резистора

13, переход коллектор — змиттер транзисторного ключа зашунтирован вторым резистором 15. коллектор транзисторного ключа

12 подключен к отрицательному полюсу первого источника 2 питания, а эмиттер транзисторного ключа 12 соединен с общей шиной.

Устройство работает следующим образом (56) Авторское свидетельство СССР

25 М 767969, кл. Н 03 К 17/60, 1980, Авторское свидетельство СССР

N. 841115, кл. Н 03 К 17/60, 1981.

Формула изобретения импульсный модулятор, содержащий N по- 30 подключена к точке соединения положиследовательно включенных источников,пи- ельного полюса предыдущего источника тания, переключатель, состоящий из N питания с отрицательным полюсом послепоследовательно и согласно соединенных дующего источника питания, отличающийтранзисторов, переходы коллектор - амит- ся тем, что. с целью повышения тер которых зашунтированы первыми ре- помехозащищенности модулятора, в, него

35 зисторами, N первых диодов, включенных введены транзисторный ключ, третий дивстречно параллельно база-эмиттерным од, четвертый и пятый резисторы и источпереходам соответствующих транзисторов ник управляющего сигнала. выход и зашунтированных вторыми резисторами, 40 которого подключен к базе транзисторного

N - 1 третьих резисторов, первый источник ключа. коллектор которого подключен к управляющего сигнала, выход которого отрицательному полюсу первого источника подключен к входу первого транзистора. nHTaHHs. a эмиттер транзистррного ключа эмиттер которого соединен с общей ши- соединен с общей шиной, переход коллекной, коллектор N-го транзистора подклю- 45 тор - амиттвр транзисторного ключа зачен через нагрузку, в качестве которой шунтирован четвертым резистором, а является импульсный трансформатор, к по- переход база - змиттер транзисторного ложительному полюсу N-го источника пи- ключа эашунтирован последовательно соетания. N - 1 вторых диодов, включенных диненными третьим диодом и пятым резипараллельно третьим резисторам, база 50 стором, при этом анод третьего диода каждого транзистора, начиная с второго до соединен с базой транзисторного ключа.

N, через соответствующий третий резистор

Составитель В,Горшков

Техред М.Моргентал . Корректор П.Гереши

Редактор Т.никольская

Заказ 3132

Тираж Подписное

НПО "Поиск" Роспатента

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина. 101

В статическом состоянии управляющие сигналы на выходах 10 и 11 отсутствуют, все транзисторы заперты, падение напряжения на нагрузке 3 равно нулю. Работа источников управляющего сигнала 10 и 11 происходит синхронно, при этом длительность импульса с выхода 11 должна быть больше длительности импульса с выхода источника

10 на,время открывания и запирания транзисторного ключа 12, либо длительности импульсов с выходов 10 и 11 могут быть равны, или время включения и выключения транзисторного ключа 12 будет меньше суммарного времени включения и выключения трзнзисторов 4, т.е импульсы с выхода 11 не должны искажать длительность запускающего импульса с выхода 10 и. как следствие, длительности импульса на нагрузке 3, 5 При приходе сигнала с выхода 11 транзисторный ключ 12 открывается с временной задержкой, равной или более длительности включения транзисторного ключа 12, с выхода 10 для запуска первого транзистора 4

1О приходит второй запускающий импульс 4, который открывает транзисторы 4 и формирует на нагрузке 3 необходимое напряжение. Диод 14 и резистор 13 необходимы для повышения помехозащищенности перехо15 да эмиттер — база транзисторного ключа 12, а резистор 15 необходим для обеспечения пути протекания тока делителя на резисторах 5 и теплового тока транзисторов 4. При приходе сигналов на один иэ входов 10 или

20 11 схема модулятора не открывается и сигнал на нагрузке 3 будет отсутствовать, т.е. обеспечивается хорошая помехозащищенность.