Эмиттерный повторитель

 

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ Е

Ь> (Р

С (.И Э

Комитет Российской Федерации по патентам и товарным знакам (21) 4893868/21 (22) 25.1290 (46) 15.11.93 Бюл йа 41-42 (71) Шахтинский технологический институт бытового обслуживания (72); Попов А.З.; Соколов Ю.M.; Ясюкевич

Н.И. (73) Шахтинский технологический институт бытового обслуживания (54) ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ (57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронных схемах (В) RU (11) 2003217 С1 (51) 5 H 03 F 3 50 различного назначения. Целью изобетения является увеличение точности и повышение КПД путем снижения токопотребления. Цепь достигается введением в устройство, содержащее транзисторы 1 и

2 различного типа проводимости, токостабилизирующий двухпопюсник Э, повторитель тока 4, дополнительного повторителя тока 5, транзистора 6 такого же типа проводимости и транзистора 7 другого типа проводимости. Устройство позволяет увеличить статическую и динамическую точность и повысить КПД. 2 ил.

2003217

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронных схемах различного назначения.

Известно устройство, содержащее три транзистора, повторитель тока, токостабилизирующий двухполюсник, причем входной сигнал подается на базу первого транзистора, а выходной снимается с его амиттера, Недостатком данной схемы является низкая точность, так как разность входного и выходного напряжений не может быть меньше 0,6...0,8 В, Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является устройство, содержащее первый транзистор, база которого соединена с входной шиной, эмиттер — через генератор тока с первой шиной питания и непосредственно с базой второго транзистора, эмиттер которого соединен с выходной шиной, первый отражатель тока, первый и второй выводы которого соединены соответственно с коллектором первого транзистора и со второй шиной питания.

Недостатком данной схемы является большой ток потребления и невысокая точность.

Целью изобретения является увеличение точности и повышение КПД путем снижения токопотребления.

Цель достигается тем, что в устройство, содержащее первый транзистор, база которого соединена с входной шиной, эмиттер— через генератор тока с первой шиной питания и непосредственно с базой второго транзистора, эмиттер которого соединен с выходной шиной, первый отражатель тока, первый и второй выводы которого соединены соответственно с коллектором первого транзистора и со второй шиной питания, введены третий и четвертый транзисторы и второй отражатель тока, первый вывод которого соединен с коллектором второго транзистора, второй с первой шиной питания, и коллектором третьего транзистора, база которого соединена с третьими выводами первого и второго отражателей тока и с базой четвертого транзистора, коллектор которого соединен со второй шиной питания, змиттер- с эмиттером третьего транзистора и с выходной шиной, при этом тип йроводимости первого и четвертого транзисторов отличается от типа проводимости второго и третьего транзисторов.

На чертеже изображена схема заявляемого устройства.

Устройство содержит транзистор 1, база которого соединена с входной шиной, эмиттер — через генератор тока 3 с шиной питания 8 и непосредственно с базой транзистора 2, эмиттер которого соединен с выходной шиной, отражатель тока 4, первый и второй выводы которого соединены соответственно с коллектором транзистора 1 и со второй шиной питания 9, транзисторы 6 и 7 и отражатель тока 5, первый вывод которого соединен с коллектором транзистора 2, второй — с шиной питания 8 и коллектором транзистора 6, база которого соединена с

10 третьими выводами отражателей тока 4 и 5 и с базой транзистора 7, коллектор которого соединен с шиной питания 9, эмиттер — c эмиттером транзистора 6 и выходной шиной, при этом тип проводимости транзисто15 ров 1 и 7 отличается от типа проводимости транзисторов 2 и 6.

П редлагаемое устройство работает следующим образом. При появлении положительного приращения входного напряжения

20 ток коллектора транзистора 1 уменьшается, ток коллектора транзистора 2 увеличивается. одновременно возникает ток базы транзистора 6, при этом ток нагрузки увеличивается. При появлении отрицатель25 ного приращения процесс происходит наоборот.

Разность напряжений между входом и выходом определяется разностью напряжений база — эмиттер транзисторов 1 и 2, кото30 рая зависит от отношения их токов коллекторов;

ЛОэБ = 1 т}п(— )+ ЛОтехн, (1)

}м

}}г где й3эв — разность напряжений эмиттер— база; }к} — ток коллектора l-го транзистора;

pr — температурный потенциал (при 20 С

pr = 25 мВ); ЛО е н — технологический раз-. брос (Ь.)техн= 1„,5 M В).

Приращение тока коллектора транзистора 2 определяется как

}кг= р —. (2) где lg — приращение тока нагрузки; К вЂ” коэффициент передачи отражателя тока 5; приращение тока коллектора транзистора 1 равно:

Pêä (3) где К} — коэффициент передачи отражателя тока 4; — коэффициент усиления тока каскада на транзисторах 6 и 7, Следовательно разность напряжений вход — выход равна:

}к} К4

ЖЗ = (рт(}п(— ) = р т}п(— ). (4)

}кг

Подставив в (4) реальные значения коэффициентов передачи отражателей тока можно определить, что разность приращений входного и выходного напряжений не превышает 3...4 MB.

2003217! нвах = 13 ф2 (Q + 1) ниах = 3 P7

В то же время у прототипа эта разность равна

Л0 = In(, ). (5) где Pz — коэффициент передачи тока второго транзистора и может составлять сотни милливольт.

Максимальный ток нагрузки для предлагаемого устройства составляет

Формула изобретения

ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ. содержащий первый транзистор, база которого соединена с входной шиной, эмиттер через генератор тока - с первой шиной питания и непосредственно с базой второго транзистора, змиттер которого соединен с выходной шиной, первый отражатель тока, первый и второй выводы которого соединены соответственно с коллектором первого транзистора и второй шиной питания, отличающийся тем, что, с целью повышения точности при одновременном повышении КПД, в него введены третий и где )з — ток генератора тока 3; P — коэффициент передачи тока i-го транзистора, в то время как у прототипа ниах = Зф

5 ниах = 3, Таким образом, при одинаковых токах нагрузки токопотребление предлагаемого устройства более чем на порядок ниже, чем у прототипа, а точность в 30...100 раз выше.

10 (56) Патент США М 4103871, кл. Н 03 F 3/50, 1976.

15 четвертый транзисторы и второй отражатель тока, первый вывод которого соединен с коллектором второго транзистора. второй - с первой шиной питания и с кол20 лектором третьего транзистора, база которого соединена с третьими выводами первого и второго отражателей тока и с базой четвертого транзистора, коллектор которого соединен с второй шиной питания, 25 эмиттер - с эмиттером третьего транзистора и выходной шиной, при этом тип проводимости первого и четвертого транзистора отличается от типа проводимости второго и третьего транзисторов.