Устройство для регистрации флуктуации работы выхода электронов

 

Использование: изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для регистрации шумов, возникающих в контактах металл-полупроводник спонтанно или под действием неконтролируемых факторов внешней среды. Сущность изобретения: устройство выполнено в виде полупроводниковой пластины n-типа. На ее поверхность нанесены два электрода из разных металлов. Электроды подключены к блоку измерения. 1 з. п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для регистрации шумов, возникающих в контактах металл - полупроводник спонтанно или под действием неконтролируемых факторов внешней среды.

Исследование шумов, возникающих в различных твердотельных элементах радиоэлектроники, имеет большой практический интерес: с одной стороны, эти шумы (обычно имеющие характер неравновесных флуктуаций со спектром типа 1/f) представляют собой помехи, с которыми приходится бороться различными методами, а с другой стороны, они могут служить индикаторами необратимых процессов старения радиоэлектронных устройств [1] .

Во всех известных устройствах, используемых для регистрации шумов в твердотельных элементах радиоэлектроники, непременно присутствует внешний источник тока. В результате оказывается невозможным установить, служит ли источником шума сам твердотельный элемент, или же шум возникает в этом элементе под действием тока, т. е. в результате самого измерения.

При работе с различными фотоприемниками регистрируемые шумы обусловлены воздействием некоторых неконтролируемых факторов внешней среды, например электромагнитных полей космофизического происхождения [2] . Предполагается, что непосредственной причиной возникновения флуктуаций фототока служат малые изменения работы выхода электронов; однако и в этом случае невозможно установить, служит ли источником шума сам фотоприемник, или же шум со спектром типа 1/f возникает в результате прохождения через фотоприемник тока, подаваемого извне. Сказанное относится ко всем фотоприемникам, в том числе и любым фотодиодам, в которых рабочее тело (полупроводник) контактирует с двумя металлическими электродами [3] .

Цель изобретения заключается в том, чтобы из устройства для регистрации флуктуаций работы выхода электронов исключить помехи, способные возникать в измерительной цепи из-за наличия самостоятельного источника питания.

Цель достигается за счет того, что устройство для регистрации флуктуаций работы выхода электронов (фиг. 1) содержит полупроводник 1, на поверхность которого нанесены слои двух различных металлов 2 и 3, включенных в цепь измерения тока без дополнительного источника питания. Металлы создают в полупроводнике два противоположно ориентированных контактных слоя 4 различной толщины (l1 l2) и проводимости, определяемые соотношением работы выхода электронов из полупроводника и металлов (А1, А2 и А3 соответственно, причем А2 А3). При изменении работы выхода А1 в системе происходит перераспределение носителей заряда, в результате чего в измерительной цепи возникает ток, флуктуации которого непосредственно отражают флуктуации работы выхода электронов А1; если же работа выхода не меняется, ток в измерительной цепи не возникает или остается постоянным.

П р и м е р. На противоположные поверхности пластины (площадь 5 см2, толщина 200 мкм), вырезанной из полупроводника n-типа, изготовленного на основе фосфида галлия, термическим напылением в вакууме были нанесены слои бериллия (А2 3,9 эВ) и серебра (А3 4,3 эВ) толщиной 10 мкм каждый; для измерения тока устройство было помещено между двумя плоскими посеребренными медными контактами, исключающими доступ света к полупроводнику, и включено в цепь электрометрического вольтметра В7-45 (диапазон измерений тока - от 10-7до 10-17 А), соединенного с самописцем через имеющийся аналоговый выход. При замыкании измерительной цепи в ней возникли затухающие гармонические колебания тока с начальной амплитудой порядка 10-9A и периодом 10-40 с, величина которого зависела от RC-характеристик цепи (типа и толщины полупроводника). После затухания гармонических колебаний ток выходил на плато Ф, где и наблюдались незатухающие флуктуации типа 1/f с амплитудой порядка 10-10-10-11 А, фрагмент записи которых приведен на фиг. 3.

Если на участке Ф (фиг. 2) на полупроводниковый элемент воздействовали импульсным магнитным полем (постоянный магнит с напряженностью поля 100 Э быстро проносился над измерительной ячейкой), в цепи вновь возникали затухающие гармонические колебания индуцированного тока с тем же периодом и временем затухания колебаний, как и после замыкания цепи; затем с выходом тока на плато флуктуации типа 1/f возникали вновь. Подобный эффект не наблюдался, если в измерительную цепь вместо полупроводникового устройства было включено эквивалентное пассивное сопротивление (резистор с R 100 МОм). При непосредственном контакте двух различных металлов или их контакте через эквивалентное пассивное сопротивление, а также контакте полупроводника с двумя одинаковыми электродами указанных эффектов не наблюдалось. (56) 1. Коган Ш. М. Низкочастотный токовый шум по спектром типа 1/f в твердых телах. "Успехи физических наук", 1985, т. 145, вып. 2, с. 285-328.

2. Владимирский Б. М. Макроскопические флуктуации, солнечно-земные связи и методические проблемы точных измерений. "Изв. Крымской астрофизической обсерватории", 1990, т. 182, с. 161-172.

3. Справочник радиолюбителя. Киев, Гос. изд-во технической литературы УССР, 1961, с. 288.

Формула изобретения

1. Устройство для регистрации флуктуаций работы выхода электронов, имеющих характер неравновесного шума типа 1/f, содержащее полупроводниковую пластину с нанесенными на нее двумя электродами и подключенную к измерительному блоку, отличающееся тем, что использована полупроводниковая пластина n-типа, а электроды выполнены из разных металлов.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что использована полупроводниковая пластина из фосфида галлия.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупороводниковой технике и может быть использовано для контроля времени жизни неравновесных носителей ( ) в стандартных двусторонне полированных пластинах, применяемых для изготовления полупроводниковых приборов

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники, используемой в производстве приборов и устройств на основе тонкопленочных структур для микроэлектроники, магнитооптики, оптоэлектроники, в особенности в производстве полупроводниковых, пленочных и гибридных микросхем

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для разрушающего контроля параметров полупроводниковых структур

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов, в частности МДП-ИС, и предназначено для контроля качества операций технологического процесса изготовления МДП-ИС, следующих за операцией формирования подзатворного диэлектрика

Изобретение относится к области контроля параметров полупроводниковых структур после технологических операций

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх