Фоточувствительный элемент

 

Использование: изобретение относится к электронике, в частности к устройствам, чувствительным к свету и преобразующим световую энергию в электрическую. Сущность: фоточувствительный элемент содержит ряд фоточувствительных слоев с электродами, планарно расположенных на подложке с общим электродом к фоточувствительным слоям. Фоточувствительные слои выполнены соответственно из хлориндийфталоцианина, фталоцианина свинца и линейного хинакридона, причем электроды к фоточувствительным слоям выполнены в виде общего слоя. 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к оптоэлектронике, и может быть использовано при конструировании недорогих и простых в изготовлении преобразователей энергии.

Известен фоточувствительный элемент [1] , выполненный из ряда полупроводниковых слоев, обладающих различной спектральной чувствительностью. Однако прибор сложен в изготовлении.

Известен фоточувствительный элемент [2] , содержащий ряд фоточувствительных слоев с электродами, планарно расположенных на подложке с общим электродом к фоточувствительным слоям. Для изменения спектрального диапазона к отдельным фоточувстительным слоям прикладывается различное напряжение, что усложняет конструкцию.

Целью изобретения является расширение спектральной чувствительности за счет сложения спектров поглощения при упрощении конструкции фоточувствительного элемента.

Цель достигается тем, что в известном элементе фоточувствительные слои выполнены соответственно из хлориндийфталоцианина, фталоцианина свинца и линейного хинакридона, причем электроды к фоточувствительным слоям выполнены в виде общего слоя.

На фиг. 1 изображен фоточувствительный элемент; на фиг. 2 - спектр чувствительности.

Фоточувствительный элемент содержит стеклянную подложку 1, прозрачный электрод 2 из SnO2, фоточувствительный слой 3 хлориндийфталоцианина, фоточувствительный слой 4 фталоцианина свинца, фоточувствительный слой 5 линейного хинакридона, электрод 6 из алюминия.

Пример выполнения фоточувствительного элемента.

Составной полупроводниковый слой формируют поочередным вакуумным напылением на очищенную стеклянную подложку с прозрачным проводящим слоем из SnO2 хлориндийфталоцианина, фталоцианина свинца и линейного хинакридона в любой последовательности. Затем на составной слой вакуумным напылением наносят металлический электрод из алюминия. Вакуум - 1,33 10-3 Па.

Спектр чувствительности элемента определяется по изменению отношения напряжения холостого хода Uxx элемента к мощности падающего излучения Р в зависимости от длины волны излучения в диапазоне 400-900 нм. В качестве монохроматора использовалась оптическая система спектрофотометра СФ-26. Зависимость Р от определялась термоэлементом РТН-10С, подключенным к вольтметру постоянного тока В2-36. Uxx элементов измерялись также вольтметром В2-36.

Результаты испытаний образцов представлены (освещение через алюминиевый электрод) на фиг. 2, где дан спектр чувствительности элемента.

По сравнению с известным данный фоточувствительный элемент значительно дешевле, так как стоимость 1 кг органического красителя в 100 раз дешевле 1 кг кремния и толщина пленки данного элемента в 106 раз меньше, чем, например, фоторезистора из германия. Данный фоточувствительный элемент не требует дополнительного источника энергии как у полупроводникового элемента и обеспечивает широкую спектральную чувствительность за счет сложения спектров поглощения. (56) 1. Патент Японии N 60-577713, кл. Н 01 L 31/08, 1985.

2. Патент Японии N 61-45871, кл. Н 01 L 31/10, 1986.

Формула изобретения

ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий ряд фоточувствительных слоев с электродами, планарно расположенных на подложке с общим электродом к фоточувствительным слоям, отличающийся тем, что, с целью расширения спектральной чувствительности за счет сложения спектров поглощения при упрощении конструкции, фоточувствительные слои выполнены соответственно из хлориндийфталоцианина, фталоцианина свинца и линейного хинакридона, причем электроды к фоточувствительным слоям выполнены в виде общего слоя.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для регистрации потоков излучения в диапазоне длин волн от 0,3 до 2000 мкм

Изобретение относится к области электроники , в частности к области криоэлектроники, и может быть использовано для ввода информации в крио-ЭВМ

Изобретение относится к области олтоэлектроникн

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в фотоэнергетике

Изобретение относится к области преобразования энергии оптического излучения с произвольной шириной спектра в энергию электромагнитных колебаний или волн радиодиапазона, например СВЧ (сверхвысокочастотного) диапазона, а также в энергию электромагнитных колебаний более низкочастотного диапазона, в частности в энергию электромагнитных (электрических) колебаний промышленной частоты (т.е

Изобретение относится к приборам, состоящим из нескольких полупроводниковых компонентов, чувствительных к различным видам фотонного излучения, от оптического до гамма-излучения, преобразующих энергию этих излучений в электрическую энергию

Изобретение относится к способу изготовления солнечного элемента, а также солнечному элементу, изготовленному этим способом

Изобретение относится к области непосредственного преобразования солнечной энергии в электрическую и может быть использовано в фотоэлектрических модулях, применяемых преимущественно для энергопитания научной аппаратуры, устанавливаемой на космических кораблях, к которым предъявляются особенно жесткие требования в отношении уровня магнитных и электрических полей, возникающих при работе фотоэлектрических модулей

Изобретение относится к гелиоэнергетике, в частности к солнечным фотоэлектрическим модулям с концентраторами солнечного излучения для получения тепла и электричества

Изобретение относится к гелиотехнике, в частности касается создания фотоэлектрических модулей с концентраторами солнечного излучения для выработки электричества

Изобретение относится к области физики процессов преобразования энергии, а именно к устройствам преобразования солнечной энергии в электрическую на основе полупроводникового фотопреобразователя
Наверх