Способ изменения проводимости канала исток - сток полевого транзистора

 

Использование: в электронной технике, в униполярных полупроводниковых приборах, управляемых электрическим полем. Сущность изобретения: в момент аварийного отключения источника запирающего напряжения затвора полевого транзистора в зону чувствительности затвора к электрическому полю вводят электрет, приближая и удаляя который регулируют проводимость канала.

Изобретение относится к электронной технике, к униполярным полупроводниковым приборам, управляемым электрическим полем.

Известен способ управления полевыми транзисторами, в том числе транзисторами с изолированным затвором, с помощью электрического поля, создаваемого напряжением (потенциалом), приложенным к управляющим электродам [1] .

Недостатком известного способа, проявляющимся при использовании полевого транзистора в ждущем запертом для тока, режиме, является то, что при аварийном отказе источника запирающего напряжения, подключенного к управляющим электродам прибора, имеет место его несанкционированное отпирание по силовой цепи. Если нагрузкой силовой цепи полевого транзистора является электродетонатор взрывчатого вещества или электровоспламенитель ракетного топлива, несанкционированное отпирание прибора способно привести к катастрофическим последствиям.

Кроме того, необходимость использования для запирания прибора дополнительного источника питания усложняет и удорожает схему включения полевого транзистора. Это относится и к случаю использования дополнительного источника питания в цепи управляющих электродов для создания исходного постоянного электрического поля, задающего начальную рабочую точку на проходной характеристике прибора.

Изобретение направлено на создание такого способа воздействия на проводимость канала исток - сток полевого транзистора, который бы вообще не требовал подачи на его управляющие электроды напряжения от источника питания.

Предотвращение несанкционированного отпирания полевого транзистора, используемого в ждущем режиме, достигается тем, что в известном способе изменения проводимости канала исток - сток полевого транзистора, реализуемом путем воздействия на затвор постоянного напряжения от источника питания, в момент аварийного отключения источника питания в зону чувствительности затвора к электрическому полю вводят электрет, приближая и удаляя который регулируют проводимость канала.

Напряженность электрического поля, создаваемого электретом, достигает значительных величин, вплоть до напряжения пробоя воздушного промежутка (30 кВ/см), что гарантирует эффективность его воздействия на проводимость канала исток - сток полевого транзистора. Расположение электрета выбирают при этом таким, чтобы создаваемое им электрическое поле было идентичным электрическому полю, создаваемому напряжением на управляющих электродах прибора при традиционном способе управления.

Меняя расположение электрета относительно канала исток - сток полевого транзистора регулируют его проводимость. При ограниченной задаче - создать постоянное электрическое поле, обеспечивающее заданный уровень проводимости, электрет может быть встроен в конструкцию полевого транзистора и даже совмещен с его составляющими.

С помощью заявляемого способа легко реализовать различного рода датчики механических перемещений, микрофонные устройства, в которых электрет крепится к мембране, а полевой транзистор - к корпусу прибора и др. Способ может сочетаться с обычным способом управления полевым транзистором путем подачи на его управляющие электроды подлежащего усилению переменного напряжения. (56) Электроника. Энциклопедический словарь. - М. , Сов. энциклопедия, 1991, с. 399-402.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗМЕНЕНИЯ ПРОВОДИМОСТИ КАНАЛА ИСТОК - СТОК ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА, реализуемый путем воздействия на затвор постоянного напряжения от источника питания, отличающийся тем, что в момент аварийного отключения источника питания в зону чувствительности затвора к электрическому полю вводят электрет, приближая и удаляя который регулируют проводимость канала.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано в системах обработки оптической информации

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в схемах управления в качестве программируемого источника ограничительного напряжения

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано в системах обработки оптической информации

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано в системах обработки оптической информации

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и предназначено для предпроцессорной обработки фотосигналов

Изобретение относится к прибору с резким ПМИ (переходом металл-изолятор) с параллельными проводящими слоями

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем памяти с элементами нанометровых размеров

Изобретение относится к технологии наноэлектронных устройств на основе графена. Электронное устройство на основе графена включает в себя слой графена, имеющий первую работу выхода, и пленку оксида металла, расположенную на слое графена, причем пленка оксида металла имеет вторую работу выхода, превышающую первую работу выхода. Электроны переносятся из слоя графена к пленке оксида металла, образуя слой накопления дырок в слое графена. Изобретение исключает повреждение графеновой решетки и возникновение дефектов, ухудшающих рабочие характеристики устройства. 4 н. и 29 з.п. ф-лы, 16 ил.
Наверх