Способ получения подложек для печатных плат

 

Использование: при изготовлении гибридных интегральных схем микросборок в радиоэлектронной технике. Сущность изобретения: заготовку из алюминия после двустороннего сквозного анодирования отжигают в окислительной атмосфере и пропитывают в насыщенном растворе хромового ангидрида, что обеспечивает уменьшение пористости в анодном оксиде алюминия.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении гибридных интегральных схем микросборок, наборов резисторов РЭА.

Известен способ получения диэлектрических деталей путем электрохимического окисления листового алюминия. Однако анодный оксид алюминия имеет большую пористость 25-30%, что придает ему хорошую адсорбционную способность и отсюда зависимость его диэлектрических свойств от окружающей атмосферы, в частности от влажности воздуха. Пористость отрицательно сказывается на прочность и твердость оксида.

В другом способе с целью повышения диэлектрических свойств подложки после выращивания и отжига вначале на воздухе при 950оС, затем в вакууме при 530оС пропитывают водным раствором соли лития, нагревают до 880оС и выдерживают при этой температуре 10 ч. Подложки, полученные по данному способу, имеют хорошие диэлектрические свойства за счет модификации поверхностного слоя оксида и образования литиевой шпинели, а пористость и, следовательно, прочность и твердость остаются без изменения.

Известен также способ получения подложек для печатных плат (прототип), по которому подложки из анодного оксида алюминия отжигают при 900оС, пропитывают водным раствором бихромата аммония, нагревают на воздухе до 1300оС со скоростью 3-4оС. мин-1 и выдерживают при этой температуре 10-20 мин, что приводит к значительным объемным изменениям (усадка достигает 10-15%), снижению пористости до нулевого значения, увеличению прочности и твердости.

Однако лежащие в основе способа твердофазные реакции с образованием изоморфной смеси протекают при достаточно высокой температуре 1300оС и выше, что обусловлено природой пропитывающего реагента - бихромата аммония, а это требует больших энергетических затрат и дорогостоящего высокотемпературного печного оборудования.

Целью изобретения является сокращение энергозатрат при получении сверхтолстых подложек из анодного оксида алюминия с закрытыми или перекрытыми порами и высокого качества.

Это достигается тем, что в известном способе получения подложек, включающем подготовку заготовок из алюминия или его сплавов, двустороннее сквозное анодирование, отжиг в окислительной атмосфере, обработку в растворе соли, повторное нагревание, пропитывают подложки насыщенным раствором хромового ангидрида, нагревают их до 450-500оС, повторяют пропитку-нагревание еще два раза, причем окончательный нагрев ведут до 900-920оС.

Технических решений, содержащих совокупность отличительных признаков изобретения, не обнаружено.

В известном способе уменьшение пористости в анодном оксиде алюминия достигается за счет протекания твердофазных реакций между оксидами алюминия и хрома при нагревании до 1300оС и выше, что сопровождается значительными объемными изменениями с усадкой образцов в 10-15%. При таких объемных изменениях избежать полностью коробления и растрескивания подложек не удается, а главное осуществление способа требует значительных энергетических затрат (высокая температура и длительное время нагревания) и специального печного оборудования.

В основе изобретения лежит идея максимального заполнения объема пор низшим окислом элемента с последующим его преобразованием каким-то воздействием, например нагреванием, в высший устойчивый окисел, но при низких температурах нагрева. Это достигается тем, что в качестве исходного продукта берется хромовый ангидрид (CrO3), при термопреобразовании которого активного продукта, устойчивого окисла Cr2O3 получается 72%, в то время как из того же бихромата аммония этого окисла образуется всего лишь 60%. Растворимость CrO3 в воде в 5,4 раза выше, чем растворимость бихромата аммония. Это означает, что при заполнении пор насыщенными растворами одного и другого вещества активного продукта при пропитке CrO3 на окончательной стадии обработки будет во столько же раз больше, чем при пропитке бихроматом аммония. Разложение CrO3 до Cr2O3 при нагревании происходит в следующей последовательности: CrO Cr3O Cr2O CrO Cr2O3 с выделением трех молекул кислорода нагревание CrO3 до 450-500оС обеспечивает образование промежуточных окислов и удаление воды и кислорода из пор, что восстанавливает адсорбционную способность пор и возможность последующей пропитки. Как показали многочисленные эксперименты, прибавление веса подложек после завершения пропиток (собственно веса Cr2O3) составляет 16-19% от веса подложки до пропитки, что не достижимо при пропитке бихроматом аммония или растворами других солей. После трехкратной пропитки прибавление веса не происходит, что говорит о заполнении пор.

В глухих микропорах большой протяженности анодного оксида, пропитанного CrO3 и нагретого до 500оС, образование Cr2O3 не происходит, о чем говорит черная окраска. Поэтому последний нагрев делается до 900-920оС и цвет подложки становится зеленым, что подтверждает образование Cr2O3. Как показали рентгеновские исследования взаимодействие Cr2O3 и Al2O3 при этих температурах не происходит. Однако поры заполнены Cr2O3 и перекрыты настолько, что водопоглощение становится равным и менее 1%, удельное электросопротивление возрастает на два порядка и достигает 1. 109 Ом . м, микротвердость > 350 кг/мм2 и прочность на статический изгиб > 30 кг/мм2. Температурная граница окончательного нагрева лежит в пределах 900-920оС. Нижний предел обусловлен технологическими особенностями дальнейшего использования подложек. Нагревать же выше верхнего предела нецелесообразно, так как эффект улучшения качества подложек достигнут и не следует увеличивать энергозатраты. Усадка подложек составляет 1%, поэтому их коробление и растрескивание исключаются, что сокращает потери от брака.

Способ осуществляется следующей совокупностью операций. Подготовка заготовок алюминия, двустороннее сквозное анодирование, отжиг при 900оС, пропитка раствором хромового ангидрида, нагрев до 450-500оС, повторение дважды пропитки и нагрева, причем последний нагрев делается до 900-920оС.

П р и м е р. Берут полированные алюминиевые пластины толщиной 0,5 мм размером 48 х 90 мм, защищают верхний край с двух сторон химостойким лаком и подвергают двустороннему анодированию открытую площадь пластины в 4%-ном растворе щавелевой кислоты при начальной плотности тока 3 А/дм2 до полного падения тока на ванну. Отделяют алюминий и подвергают пластины анодного оксида алюминия отжигу на воздухе при 900оС с переводом анодного оксида в кристаллическое состояние.

Пропитывают пластины концентрированным раствором хромового ангидрида путем окунания, устанавливают пластины в печь и нагревают до 450-500оС, затем охлаждают. Эти операции повторяют дважды, но последний нагрев ведут до 900-920оС и охлаждают с печью. Затем вынимают пластины из охлажденной печи и проверяют внешний вид.

Предлагаемый способ позволяет получать сверхтолстые 0,6-0,9 мм диэлектрические оксидные подложки любых размеров и конфигураций, причем по сравнению с прототипом значительно уменьшаются энергозатраты за счет снижения температуры окончательного отжига с 1300 до 900оС, сокращаются потери от брака. Для выполнения способа не требуется использование специальных высокотемпературных печей. Качество получаемых подложек дает возможность заменить применяемые в радиоэлектронике керамические подложки, трудоемкость и дорогостоимость получения которых общеизвестны, на подложки, получаемые непосредственно из недорогого листового алюминия.

Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ, включающий подготовку заготовки из алюминия или его сплавов, ее двустороннее сквозное анодирование, отжиг в окислительной атмосфере, пропитку и нагревание, отличающийся тем, что пропитку осуществляют в насыщенном растворе хромового ангидрида, причем пропитку и нагревание осуществляют дважды, при этом первое нагревание проводят до 450 - 500oС, а второе - до 900 - 920oС.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к технологии изготовления печатных плат, преимущественно многоуровневых толстопленочных печатных плат, изготавливаемых методом сеткографической печати на керамических подложках

Изобретение относится к радиотехнике и электронике, а именно к технологии изготовления печатных плат и гибридных интегральных схем (ГИС)

Изобретение относится к микроэлектронике и направлено на повышение надежности и качества микросхем на подложке из фторопласта преимущественно СВЧ-диапазона и может быть использовано в производстве микросхем ВЧ- и СВЧ-диапазонов (например фильтров, резонаторов и др.)

Изобретение относится к технологии изготовления печатных плат и может быть использовано в любой отрасли народного хозяйства для производства печатных плат

Изобретение относится к технологии изготовления печатных плат и предназначено для использования при металлизации отверстий печатных плат, изготавливаемых из фольгированного диэлектрического материала

Изобретение относится к печатным платам и может быть использовано для защиты контактов негерметизированных электрических соединителей при сборке на печатные платы
Изобретение относится к способам изготовления печатной платы аддитивным методом посредством воздействия лазерного излучения на диэлектрический материал подложки и химического наращивания медного слоя проводников и может найти применение в производстве печатных плат в электронной, радиотехнической и других отраслях промышленности

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления гибридных интегральных микросхем (ГИМС)

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам получения текстурированных поверхностей таких изделий электронной техники, как коллекторы и управляющие сетки, изготовленные из пирографита

Изобретение относится к электронной технике/ а именно к способам изготовления электронных пушек СВЧ-приборов О-типа/ в которых электронный пучок формируется электронной пушкой типа пушки Пирса/ содержащей катод/ а также три или более управляющих электродов

Изобретение относится к технологии изготовления газовых лазеров и может быть использовано в газоразрядной технике и микроэлектронике

Изобретение относится к электронной технике, в частности сильноточным управляемым источникам электронов с металлическим фотокатодом, например, для промышленных ускорителей электронов или импульсных СВЧ-устройств

Изобретение относится к технике газового разряда и может быть использовано при разработке устройств для защитных оксидных покрытий на холодных катодах газовых лазеров
Наверх