Способ разделения монокристаллических слитков на пластины

 

Использование в электронной промышленности при изготовлении полупроводниковых подложек. Сущность изобретения: после отрезания от слитка первой пластины с нее механическим и химическим полированием с обеих сторон удаляют нарушенный слой. На стороне, образованной при втором резе, путем царапания вдоль найденных кристаллографических направлений определяют направление с максимальной твердостью. Вдоль этого направления затем осуществляют поперечную подачу слитка на диск. При определении твердости царапание проводят со скоростью, равной скорости поперечной подачи слитка на диск. 1 з.п. ф-лы, 3 табл.

Изобретение относится к области механической обработки монокристаллических материалов, а именно к резке слитков на пластины, и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении полупроводниковых подложек.

Известен способ резки монокристаллических слитков на пластины, включающий ориентацию заданной кристаллографической плоскости по отношению к торцу слитка, закрепление слитка в оправке, установку оправки на отрезном станке и осуществление процесса резания путем поперечной подачи слитка на вращающийся алмазный диск [1].

Недостаток известного способа - высокая плотность остаточных структурных нарушений в пластинах, особенно для материалов с низкими прочностными характеристиками (например, кристаллов А3В5).

Наиболее близким техническим решением является способ резки монокристаллических слитков на пластины, включающий определение по отношению к торцу слитка ориентации заданной кристаллографической плоскости и нахождение лежащих в ней эквивалентных кристаллографических направлений, одно из которых при резке должно совпадать с направлением поперечной подачи слитка на алмазный диск, закрепление слитка в оправке, установку оправки на станке и осуществление резания подачей слитка не вращающийся диск [2].

Этот способ ориентированной резки, учитывающий анизотропию механических свойств слитка, позволяет уменьшить глубину нарушенного слоя и обеспечивает экономию материала.

Недостаток известного способа в том, что при его реализации в качестве направления поперечной подачи слитка на диск выбирают любое произвольное кристаллографическое направление из семейства эквивалентных. Например, при разделении слитков на пластины с ориентацией поверхности [III] в качестве направления абразивного воздействия выбирают направление [112], а при этом направление поперечной подачи слитка на диск будет совпадать с любым из трех, лежащих в этой плоскости, направлений . Однако при таком выборе направлений подачи не учитывается изменение упруго-пластических свойств материала в эквивалентных кристаллографических направлениях, связанное с наличием в слитке структурных дефектов, возникающих при выращивании или на этапах калибровки слитка и создания базовых срезов. Неоднородное по поперечному сечению слитка распределение дефектов приводит к тому, что механические свойства материала для различных, но принадлежащих одному семейству кристаллографически эквивалентных направлений, будут существенно различаться. Вследствие этого в пластинах, отрезанных по известному способу, сохраняется высокая плотность структурных дефектов, зачастую неудовлетворительной оказывается макрометрия, что в результате приводит к снижению выхода годных.

Техническим результатом изобретения является увеличение выхода годных пластин за счет снижения их дефектности и улучшения геометрических параметров.

Результат достигается тем, что в способе разделения монокристаллических слитков на пластины, включающем ориентирование слитка, ориентированное наклеивание слитка на оправку, установку оправки на станке и резание слитка, на первой отрезанной пластине удаляют с обеих сторон нарушенный слой, на плоскости этой пластины, образованной вторым резом, путем царапания индентором определяют кристаллографическое направление, соответствующее максимальной твердости, и продолжают резание вдоль выбранного направления. Причем царапание проводят со скоростью, равной скорости подачи слитка на режущий инструмент.

Осуществление резки слитка вдоль направления с максимальной твердостью, выбранного из семейства кристаллогра- фически эквивалентных направлений путем измерения склерометрической твердости на первой из отрезанных пластин, с которой удаляется с обеих сторон нарушенный слой, обеспечивает снижение плотности остаточных структурных нарушений в пластинах, отделяемых от слитка в процессе его последующей резки при условии, что направление поперечной подачи на режущий инструмент совпадает с направлением максимальной твердости. Для достижения положительного эффекта важно, чтобы направление с максимальной твердостью определялось на стороне пластины, образованной при втором резе, вблизи которого сосредоточена наибольшая плотность дефектов, а также и то, что царапание при определении твердости проводится со скоростью, равной скорости поперечной подачи слитка на алмазный диск в процессе резки.

Примеры практической реализации способа.

П р и м е р 1. Четыре слитка кремния марки БКДБ-2000 с осью роста [III] резали на станке мод. 24.05 на пластины толщиной 0,6 мм с ориентацией поверхности [III]. Два слитка резали по способу-прототипу: после рентгеновской ориентации плоскости [III] относительно торца слитка, находили лежащие в этой плоскости (произвольные) направление < 110 >, вдоль которого после приклейки слитка и установки оправки с ним на станке осуществляли подачу на вращающийся диск. Скорость подачи составляла 40 мм/мин, скорость резания 17 м/с.

Два других слитка резали по заявленному способу: после ориентации плоскости [III] и нахождения лежащего в ней также произвольного направления производили отрезание по одной пластине от каждого из слитков. Далее с обеих сторон пластин механическим и химическим полированием удаляли нарушенный слой толщиной 32 - 35 мкм. Затем на твердометре ПМТ-3 при нагрузке на индентор 10 г и скорости царапания 40 мм/мин на стороне второго реза находили направление, [110] , вдоль которого склерометрическая твердость была максимальной. Зафиксирована величина 1018,4 кг/мм2 для одного слитка и 1097,0 кг/мм2 - для другого. На первом слитке направление максимума твердости совпадало с рентгеновски найденным, на втором - было отклонено от него на 60о. Поэтому для окончательной резки второй слиток переклеивали так, чтобы направление поперечной подачи во время резки совпадало с направлением наибольшей твердости.

От каждого из слитков было отрезано по 55 пластин. Влияние способа резки на дефектность пластин оценивали по величине остаточной деформации и ее дисперсии (по пластине и в пределах данной партии), измерявшимся на рентгеновском трехкристальном спектрометре, и по величине и разбросу значений прогиба, фиксировавшегося многооборотным индикатором МИГ-1. Кроме того, на шести произвольно выбранных из каждой партии пластинах путем послойного двухстороннего стравливания и измерений деформации определяли толщину нарушенного резкой слоя.

Результаты экспериментов приведены в табл.1.

Как видно из данных табл.1, заявляемый способ позволяет существенно улучшить качество отрезаемых пластин за счет снижения их дефектности и улучшения геометрических параметров. Важно также, что способ обеспечивает и уменьшение разброса по этим параметрам, т.е. повышает воспроизводимость по этим параметрам для операции резки.

Разбраковка пластин сразу после резки по наличию сколов, макро- и микротрещин визуально и на микроскопе МИМ-7 показала, что выход годных пластин у первой группы 93,6%, а у второй 98,18%.

П р и м е р 2. Два слитка арсенида галлия марки АГЧП-6 (001) разрезали на пластины ориентации [001] толщиной 0,7 мм. Один слиток разрезали по способу-прототипу с ориентацией направления поперечной подачи вдоль произвольного, лежащего в плоскости (001), направления , а другой - по заявляемому способу. В этом случае направление выбирали по величине склерометрической твердости на первой отрезанной пластине. Скорость поперечной подачи и скорость царапания составляла 30 мм/мин.

Оценку качества пластин и разбраковку проводили также, как в примере 1. Результаты, усредненные по 40 пластинам от каждого слитка, приведены в табл.2.

Из данных табл.2 следует, что заявляемый способ обеспечивает улучшение качества и повышение выхода годных пластин арсенида галлия, т.е. из материала менее прочного, чем кремний.

П р и м е р 3. Два слитка антимонида индия марки ИСЗ-0 "в" с осью роста <221> разрезали на пластины толщиной 0,9-1,2 мм с ориентацией поверхности (001). Один слиток разрезали по способу-прототипу с ориентацией направления поперечной подачи вдоль произвольно найденного, лежащего в плоскости (001), направления . Другой - по заявляемому способу с ориентацией подачи вдоль направления , найденного по значению максимума склерометрической твердости на стороне второго реза первой отрезанной пластины после удаления с нее нарушенного слоя. Скорость подачи при резке и царапании составляла 20 мм/мин. Всего было отрезано 48 пластин от каждого слитка.

Разбраковку и оценку дефектности по рентгеновским данным производили аналогично тому, как в примере 1. Результаты представлены в табл.3.

Данные табл. 3 свидетельствуют о том, что заявляемый способ эффективен (и в большей степени) и при резке слитков на пластины с ориентацией, отличной от ориентации оси роста слитка.

Таким образом, как показывают результаты экспериментальной апробации, заявляемый способ резки обеспечивает достижение поставленной цели изобретения.

Формула изобретения

1. СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛИТКОВ НА ПЛАСТИНЫ, включающий ориентирование слитка, ориентированное наклеивание слитка на оправку, установку оправки на станке и резание слитка, отличающийся тем, что на первой отрезанной пластине удаляют с обеих сторон нарушенный слой, на плоскости этой пластины, образованной вторым резом, путем царапания индентором определяют кристаллографическое направление, соответствующее максимальной твердости, и продолжают резание вдоль выбранного направления.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что царапание проводят со скоростью, равной скорости подачи слитка на режущий инструмент.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве полированных пластин кремния, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а точнее, к односторонней шлифовке полупроводниковых пластин

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем и может быть использовано в электронной промышленности для утонения полупроводниковых кристаллов без повреждения годных активных и пассивных элементов
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве высокочастотных интегральных схем и приборов на стадии утонения подложки с нерабочей стороны до толщины 30 мкм и более
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при механическом утонении полупроводниковых структур при производстве полупроводниковых приборов
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полированных пластин из полупроводниковых материалов
Изобретение относится к абразиву из оксида церия и способу полирования подложек

Изобретение относится к технологии электронного приборостроения

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологиях изготовления как дискретных полупроводниковых приборов, так и интегральных микросхем в процессе позиционирования исходных полупроводниковых пластин-подложек (например, на основе монокристаллического кремния) перед операцией их разделения на отдельные структуры ("ЧИП"ы)

Изобретение относится к микроэлектронике

Изобретение относится к области полупроводниковых преобразователей солнечной энергии, в частности к получению пластин из мультикристаллического кремния для изготовления солнечных элементов (СЭ)
Наверх