Способ получения широкозонного окна в лазерной гетероструктуре на основе соединений a3b5 и их твердых растворов

 

Изобретение относится к технологии п/п приборов. Сущность изобретения - на лазерной гетероструктуре n-n-n-p-p готовят линейные зоны в маске из оксида кремния. Между подложкой из арсенида галлия и гетероструктурой формируют жидкую линейную зону на основе свинца или висмута и ведут зонную перекристаллизацию. Через 1,5 - 2 ч направление градиента температуры меняют. В области линейных зон происходит образование широкозонных участков. По ним скалыванием по плоскостям (011) формируют резонаторы Фабри-Перо с широкозонными окнами. 5 ил.

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и приборов, может быть использовано для получения оптических широкозонных окон в полупроводниковых лазерах на основе двойных гетероструктур, работающих в спектральном диапазоне 0,6-40 мкм.

В настоящее время применяются широкозонные окна, полученные на основе диффузии легирующего компонента в исходную гетероструктуру, выращивание более широкозонного (оптически) полупроводникового материала, а также используют один из слоев, окружающий активную область в виде широкозонного окна.

Известен способ получения оптического окна для генерируемого излучения ДГС структуры длиной волны 0,783-0,760 мкм с помощью резкого поворота активного слоя в объеме кристалла. Так как активная область, где происходит генерация квантов, окружена участком кристалла с большей шириной запрещенной зоны, то при достаточно резком повороте активной области излучение, выходящее из этого слоя, попадает в более широкозонную область, которая и используется в виде оптического окна.

В рассмотренном аналоге хотя и достигается положительный эффект, однако существенно увеличиваются внутренние оптические потери из-за того, что нарушается цельность волновода вблизи зеркальных граней.

Известен способ получения оптического окна в ДГ структуре в инфракрасной области на основе соединений AlGaAs, взятый за прототип. Вначале обычными эпитаксиальными методами выращивают слой ДГ структуры, затем в местах, где должны формироваться зеркала Фабри-Перо, вытравливают под защитой маски участки глубиной чуть больше, чем глубина залегания активного слоя. Затем вытравленные области заращивают твердым раствором с ХAlA=0,22, который используют в качестве оптического окна. Недостатком известного способа является то, что не удается значительно увеличить оптический пробой, а также уменьшить угол расходимости пучка. К тому же создание окна в данном случае представляет довольно сложную технологию, которая требует прецизионное оборудование. Процесс травления, используемый в данной технологии, является нежелательным, так как вносятся различного рода загрязнения, от которых очень трудно избавиться. Необходимо отметить сложность точного совмещения активного и волноводного слоев.

В предлагаемом способе образования выходных зеркал Фабри-Перо формируют широкозонные окна в исходной гетероструктуре методом зонной перекристаллизации в градиенте температуры (ЗПГТ) при изменении его направления, что позволяет сохранить единый оптический волновод вдоль активного слоя, а также уменьшить расходимость излучения в плоскости, перпендикулярной плоскости р-n перехода (активного слоя) за счет более слабого удержания оптического поля в волноводной структуре в районе выходных зеркальных граней и увеличить порог оптического пробоя.

Сравнивая предлагаемый способ с прототипом, можно сделать заключение о соответствии критерию "новизна". При излучении других известных технических решений следует отметить, что применение метода ЗПГТ при изменении направления температурного градиента для получения широкозонных окон в лазерных гетероструктурах не выявлено. Следовательно, предлагаемое изобретение отвечает критерию "изобретательский уровень".

Применение предлагаемого способа позволяет наряду с упрощением технологии получения широкозонного окна повысить точность обработки информации и значительно (более чем в 2 раза) увеличить срок службы приборов.

Изобретение поясняется чертежом, где на фиг.1 показана схема перекристаллизации лазерной гетероструктуры методом ЗПГТ до перекристаллизации; на фиг. 2 после прямого прохода жидкой зоны, на фиг.3 после обратного прохода; на фиг.4 изображен график распределения алюминия; а в исходной гетероструктуре до начала перекристаллизации, б после прямого прохода жидкой зоны, в после обратного прохода; на фиг.5 схема гетероструктуры с оптическими окнами, полученными методом ЗПГТ: а места скалывания для образования зеркальных граней, б области перекристаллизации ЗПГТ, в область прозрачного окна.

П р и м е р. На лазерной гетероструктуре, имеющей чередование слоев n-GaAs (1,5 мкм) 1, n-Al0,3Ga0,7As (2,5 мкм) 2, n(p)=Al0,05Ga0,95As (0,1 мкм) 3, p-Al0,3Ga0,7As (1,5 мкм) 4, p-GaAs (1,0 мкм) 5, были изготовлены линейные зоны 6 в маске из оксида кремния SiO2 7. Линейные зоны ориентированы вдоль окна в SiO2 шириной 50 мкм, расстояние между ними 400 мкм. Между подложкой GaAs 8 ориентации [100] и исходной лазерной гетероструктурой формировали жидкую линейную зону 9 на основе свинца или висмута толщиной 5-15 мкм при температуре 750-800оС. Далее в печи создавали температурный градиент порядка 80-100 град/см так, что температура подложки с гетероструктурой 10 была несколько больше, чем температура подложки GaAs 8. При этом происходила перекристаллизация исходной лазерной структуры жидкой линейной зоной 11. Через 1,5-2 ч жидкая зона проходила активный слой, после чего меняли направление температурного градиента таким образом, подложка и источник менялись местами, поэтому линейная зона начинала проходить через первоначально перекристаллизованную гетероструктуру 12. По истечении 4-5 ч жидкая зона находилась на исходном месте 13. В области линейных зон произошло частичное перераспределение Al, что и привело к образованию широкозонных участков 14 на расстоянии 400 мкм друг от друга. По ним скалыванием по плоскости [011] формировали резонаторы Фабри-Перо 15 с широкозонными окнами.

Именно таким способом получения широкозонного окна можно достичь точного совмещения активного слоя с широкозонным окном. Под влиянием изменения направления температурного градиента происходит перераспределение Al в зоне широкозонного окна, что повышает порог оптического пробоя и уменьшает расходимость излучения, что в свою очередь влияет на повышение точности обработки информации и позволяет увеличить срок службы приборов.

Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ШИРОКОЗОННОГО ОКНА В ЛАЗЕРНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ A3B5 И ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ методом жидкофазной эпитаксии, отличающийся тем, что в местах формирования окон сначала создают линейные участки и процесс ведут зонной перекристаллизацией с изменением направления температурного градиента.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии производства материалов электронной техники и может найти широкое применение в технологии получения полупроводниковых соединений, преимущественно группы А3В5

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения методом пиролитического синтеза

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано, в частности, при создании фотоприемных устройств, работающих в спектральном диапазоне 1,85-2,1 мкм

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений А В и может быть использовано при производстве электролюминесцентных структур

Изобретение относится к способам получения монокристаллов фосфида галлия и позволяет уменьшить плотность дефектов структуры и.предотвратить растрескивание монокристаллов диаметром более 50 мм

Изобретение относится к техноло ии полупроводниковых материалов, в частно сти к технологии выращивания многокомпонентных тонкопленочных структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии в соер вы соком вакууме

Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к производству полупроводниковых соединений, и может быть использовано для выращивания монокристалла на основе A3B5

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано, в частности, при создании фотоприемных устройств, работающих в спектральном диапазоне 1,85-2,1 мкм

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для выращивания эпитаксиальных слоев методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии электронного приборостроения и может быть использовано при производстве носителей информации для запоминающих устройств

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано при выращивании монокристаллических слоев карбида кремния, пригодных для создания на их основе электронных приборов

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм

Изобретение относится к магнитной микроэлектронике, радиационной физике твердого тела и может быть использовано при конструировании элементов памяти и логики на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), применяющихся в полях g-излучений

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe р-типа проводимости включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe с химическим составом в интервале от х=0,19 до х=0,33 мольной доли теллурида кадмия методом жидкофазной эпитаксии в запаянной кварцевой ампуле из раствора-расплава на основе теллура при температуре 500÷515°С и in situ отжиг эпитаксиального слоя в парах шихты, из которой он был выращен, сначала при температуре 350÷370°С в течение 1÷2 ч, а затем при температуре 200÷240°С в течение 20÷24 ч. Техническим результатом изобретения является воспроизводимое получение эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe р-типа проводимости с концентрацией носителей заряда (0,5÷2,0)×1016 см-3 при 77К с высокими значениями подвижности носителей заряда и однородным распределением электрофизических характеристик по толщине эпитаксиального слоя, а также сокращение времени производства эпитаксиальных слоев. 1 табл.

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe из раствора на основе теллура включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe (0,19<х<0,33) методом жидкофазной эпитаксии в запаянной кварцевой ампуле при температуре 500÷513°С на подложку Cd1-yZnyTe (0,02<y<0,06) с кристаллографической ориентацией поверхности (111)В±0,5°, расположенную горизонтально над слоем жидкой фазы высотой от 1 до 2 мм, в условиях принудительного охлаждения системы подложка/раствор на 6÷11°С, в зависимости от требуемой толщины эпитаксиального слоя, и предварительное растворение поверхностного слоя подложки в перегретом не более чем на 2° относительно температуры ликвидуса растворе на основе теллура, из которого проводится выращивание эпитаксиального слоя, при этом охлаждение системы проводят со скоростью снижения температуры 0,2÷0,5 град/мин, начиная с момента контакта подложки с перегретым раствором. Техническим результатом изобретения является воспроизводимое получение эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe диаметром до 50 мм без отклонения формы поверхности от формы поверхности подложки с высотой микрорельефа на поверхности эпитаксиального слоя не более 60 нм и разнотолщинностью эпитаксиального слоя по его площади не более 1 мкм при номинальном значении толщины в интервале от 10 до 20 мкм. 1 табл.

Изобретение относится к получению полупроводниковых соединений А3В5, используемых для изготовления подложек GaN, GaAs, GaP и др
Наверх