Способ синтеза микропорошков алмаза

 

Использование: в технологии производства алмазов. Сущность изобретения: на образец графита воздействуют сфокусированным излучением импульсного лазера, работающего в режиме модулированной добротности с длительностью лазерного импульса 10-7-1012c и плотностью мощности излучения 107-1014Вт/см2. 1 ил. 1 табл.

Изобретение относится к технологии производства сверхтвердых материалов, а именно к синтезу алмаза с использованием энергии ударных волн, генерируемых в твердом теле воздействием лазерного гигантского импульса.

Известен способ синтеза микропорошков алмаза, включающий воздействие на неалмазные модификации углерода высоких давлений и температур, соответствующих области стабильности алмаза.

Недостатками способа являются сложность и высокая стоимость проведения процесса, наличие металлических включений в случае применения металлов в качестве катализаторов, громоздкость технологического процесса, его дискретность и низкий уровень управления процессом, не позволяющий путем задания технологических параметров задавать тем самым параметры выходные, например размеры синтезируемых алмазных частиц.

Цель изобретения обеспечение регулируемого изменения размеров частиц в микропорошке в диапазоне 10-100 , упрощение и удешевление процесса, повышение производительности и исключение содержания металлических включений.

Цель достигается тем, что в синтезе микропорошков алмаза, включающем воздействие на неалмазные модификации углерода высоких давлений и температур, соответствующих области стабильности алмаза, воздействие осуществляют обработкой поверхности образцов неалмазных модификаций углерода сфокусированным излучателем импульсного лазера, работающего в режиме модулированной добротности с длительностью лазерного импульса 10-7 10-12 с и плотностью мощности излучения 107-1014 Вт/см2.

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что в качестве источника ударной волны (и одновременно источника нагрева) используется импульс лазерного излучения большой мощности. Точнее, ударная волна возникает при расширении плазмы испаренного вещества. Как показывают расчеты, величины давлений, которые возникают при воздействии импульса лазерного излучения рубинового лазера на различные материалы, колеблются от 59 до 320 кбар. При этом коэффициент отражения R 90% плотность мощности Е 109 Вт/см2, длительность импульса и 10-8 с. При воздействии импульса лазерного излучения на графит коэффициент отражения, как известно, будет меньше 90% и, следовательно, для достижения тех же величин давлений нужна будет меньшая выходная мощность излучения лазера. Поверхность материала, обрабатываемого гигантским лазерным импульсом, нагревается до температуры, превосходящей температуру плавления. Таким образом, на поверхности неалмазной модификации углерода при воздействии на нее гигантского лазерного импульса создаются необходимые и достаточные для фазового перехода условия (давление и температура). На короткое время ( 10-8 с) поверхность графита, облученная лазером, оказывается под воздействием одновременно высокого давления и температуры.

П р и м е р. Для синтеза алмаза был использован лазер на алюмоиттриевом гранате, легированном неодимом. Длина волны излучения 1,06 мкм, длительность импульса и30 нс, энергия в импульсе Е1 Дж. Излучение фокусировалось линзой с фокусным расстоянием 5 см, образец графита помещался в фокальной плоскости линзы, площадь, занимаемая сфокусированным пучком, равна 0,3 см2, плотность мощности q108 Вт/см2. Затем облученные образцы исследовались на регистрирующем электронографе ЭМР-102. Исследование проводилось методом отражения при ускоряющем напряжении 50 кВ. Сравнение dэксп и dтеор производится в таблице.

Из анализа таблицы следует, что на поверхности объема находится тонкая кристаллическая пленка алмаза в смеси с поликристаллическим графитом.

Электронограммы приведены на чертеже.

Оценены размеры кристаллитов алмаза 10-20 . Размеры области, где произошло фазовое превращение, оцениваются примерно в 30 мкм. Размеры эти можно изменять, увеличивая или уменьшая плотность мощности излучения лазера.

Предлагаемый способ синтеза микропорошков алмаза обеспечивает возможность регулирования размеров частиц получаемого алмазного порошка в широком диапазоне, а также упрощение и удешевление процесса синтеза алмазного порошка, так как предлагаемый способ, во-первых, не требует наличия взрывной камеры, детонатора и специального приготовления смеси углерода с взрывчатым веществом. Кроме того, технология, использующая взрыв для получения алмаза, является дискретной. Лазерными импульсами можно непрерывно обрабатывать достаточно большой образец углерода в течение 1 ч. Смену образца можно произвести в течение 1 мин. Частота повторения импульсов до 100 Гц позволяет обеспечить предлагаемой технологии более высокую производительность. При этом обеспечивается более полное использование исходного материала (углерода).

В предлагаемом способе легко достигаются необходимые для трансформации решетки углерода в решетку алмаза условия давление и температура, поэтому нет необходимости в применении металлов-катализаторов, а значит и нет загрязнения получаемого алмазного микропорошка.

Выбор режима синтеза осуществлен следующим образом.

Диапазон длительностей импульса выбран из тех соображений, что для большинства твердых тел (толщиной порядка 1 см) время распространения ударных волн составляет 10-5 с. Поэтому облучение импульсами длительностью менее 10-7 с должно приводить к возникновению ударной волны. Нижний предел длительности импульса 10-12 с (пикосекундные импульсы) выбран из технических соображений. Более короткие импульсы (фемтосекундные) получать технически гораздо более сложно и для данного применения экономически нецелесообразно. Пределы плотности мощности выбраны таким образом, чтобы температура и давление в зоне обработки соответствовали условиям фазового перехода углерода в алмаз ( Т2000оС, Р100 кбар). Выбор этого диапазона 107-1014 Вт/см2 осуществлен с помощью известных формул.

Формула изобретения

СПОСОБ СИНТЕЗА МИКРОПОРОШКОВ АЛМАЗА, включающий воздействие на неалмазные модификации углерода высокими давлением и температурой, соответствующими области стабильности алмаза, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулируемого изменения размеров частиц в микропорошке в диапазоне упрощения и удешевления процесса, повышения производительности и исключения содержания металлических включений, воздействие осуществляют обработкой поверхности образцов неалмазных модификаций углерода сфокусированным излучением импульсного лазера, работающего в режиме модулированной добротности с длительностью лазерного импульса 10-7 10 -12 с и плотностью мощности излучения 107 1014 Вт/см2.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к химии углерода, а именно к технологии получения синтетического углеродного материала, содержащего углерод алмазной (кубической) модификации, и может быть использовано в качестве абразивного материала, в упрочняющих покрытиях, в композиционных материалах

Изобретение относится к изготовлению промышленных алмазов, а точнее к способам изготовления поликристаллических алмазных слоев

Изобретение относится к технологии выделения алмазов и может быть использовано при извлечении алмазов из черновых флотоконцентратов, получаемых из руд алмазных месторождений нового генетического типа

Изобретение относится к получению искусственных алмазов

Изобретение относится к технологии выделения алмазов и может быть использовано при извлечении алмазов из черновых флотоконцентратов, получаемых из руд алмазных месторождений нового генетического типа

Изобретение относится к получению новых материалов, а конкретно - сверхтвердых материалов

Изобретение относится к области химических технологий, а именно к технологии получения алмазов

Изобретение относится к технологии выделения алмазов и может быть использовано при извлечении алмазов из природного или синтетического алмазсодержащего материала

Изобретение относится к взрывному синтезу алмазов и может быть использовано для синтеза алмаза непосредственно в процессе детонации углеродсодержащего взрывчатого вещества с отрицательным кислородным балансом (BB) и дальнейшего разлета продуктов взрыва

Изобретение относится к технологии приготовления шихты в процессе производства сверхтвердых материалов (СТМ), в частности алмаза, и может быть использовано на предприятиях, производящих и/или применяющих искусственные алмазы и алмазный инструмент из них

Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА), в том числе с полупроводниковыми свойствами

Изобретение относится к технике для производства сверхтвердых материалов (СТМ), например алмазов, путем синтеза

Изобретение относится к полиморфным соединениям углерода и может быть использовано в качестве молекулярного углеродного соединения при производстве новых конструкционных и химических материалов
Изобретение относится к получению кристаллов алмаза и других сверхтвердых материалов

Изобретение относится к технологии получения синтетических алмазов, конкретно к способам выделения синтетических алмазов, полученных в детонационной волне
Изобретение относится к технологии кристаллов на полиморфной основе и может быть использовано для промышленного производства кристаллов большой плотности в ювелирной промышленности, а также других областях техники

Изобретение относится к гидрометаллургии цветных металлов
Наверх