Устройство для получения изделий и покрытий из нитрида бора

 

Изобретение относится к высокотемпературному газофазному осаждению. Устройство содержит реактор с графитовой подложкой внутри, обогреваемый индуктор, снабженный радиационным экраном и газовводом. Подложка размещена внутри радиационного экрана, выполненного из нитрида бора, плотно соединенного с газовводом. Улучшается качество изделий и покрытий. 1 ил.

Изобретение относится к высокотемпературному газофазному осаждению, в частности к получению изделий и покрытий из пиролитического нитрида бора.

Известны устройства для получения изделий и покрытий из пиролитического нитрида бора (ПНБ) газофазным осаждением на нагреваемой индуктором подложке, находящейся в реакторе с холодными стенками. Однако в таких устройствах существует резкий перепад температуры в газовой фазе по сечению реактора, что приводит к неполному прохождению реакций синтеза, побочным продуктам реакции, плохой воспроизводимости характеристик материала (фазового состава, плотности).

Наиболее близким по конструкции устройством является устройство для нанесения покрытий на сопла, состоящее из пирексового колпака, индуктора, непроводящего радиационного экрана входа и выхода. Причем в известном устройстве для уменьшения градиента в газовой фазе между подложкой и стенкой реактора установлен радиационный экран из диэлектрика.

Однако использование произвольного материала экрана при получении пиролитического нитрида бора непригодно, так как в синтезе ПНБ используются главным образом смеси агрессивных газов (например, ВСl3 + NH3 + N2), которые могут взаимодействовать с материалом экрана, загрязняя примесями газовую фазу. Кроме того, использование раздельных элементов конструкции газоввода и экрана приводит к тому, что часть газовой фазы попадает в промежуток между экраном и холодными стенками реактора и не участвует в образовании продукта реакции на подложке. Недостатком известного устройства является также низкое качество пиролитического нитрида бора, неполное использование газовой фазы, плохая воспроизводимость скорости роста и свойств ПНБ.

Цель предлагаемого изобретения улучшение качества выращиваемых изделий и покрытий и увеличение коэффициента использования газовой смеси.

Поставленная цель достигается тем, что подложка размещена внутри радиационного экрана из нитрида бора, плотно соединенного с газовводом.

Отличиями предлагаемого устройства является расположение деталей и их связь между собой, а также исполнение экрана из нитрида бора.

Благодаря такой конструкции и расположению радиационного экрана газовый поток проходит вблизи подложки в зоне высокой температуры и участвует в формировании изделия, при этом значительно увеличивается коэффициент использования газовой смеси. Отсутствие контакта газовой смеси со стенками кварцевого реактора в процессе синтеза препятствует зарастанию изнутри реактора аморфным нитридом бора.

Использование осаждаемого нитрида бора в качестве материала экрана приводит к значительному уменьшению загрязнения выращиваемого материала примесями, так как реакционная газовая фаза контактирует только с нитридом бора.

На чертеже представлена схема предлагаемого устройства для получения изделия тигля из ПНБ.

Устройство содержит кварцевый реактор 1, нагреваемую индуктором 2 графитовую подложку 3, радиационный экран из нитрида бора 4, соединенный с газовводом 5.

Устройство работает следующим образом. После нагревания индуктором 2 графитовой подложки 3 до 1800-2000оС через газоввод 5 подается смесь реакционных газов (например, ВСl3 + NH3 + NH2), так что в зоне рабочей температуры она проходит только внутри реакционного экрана из нитрида бора.

В качестве примера использования устройства выращивались тигли из ПНБ.

Тигли из ПНБ диаметром 20 мм и длиной 70 мм выращивались из газовой смеси ВСl3 + NH3 + NH2 при давлении Р 3-8 мм на графитовой оправке, нагреваемой индуктором до 1850оС с использованием сплошного экрана из нитрида бора Д 30 мм, толщиной стенки 3 мм, соединенного на резьбовом соединении с газовводом.

Использование радиационного экрана из нитрида бора, плотно соединенного с газовводом, позволило в заводских условиях увеличить выход годных изделий из нитрида бора с 10 до 90% поднять плотность получаемых изделий из ПНБ с 1,85-2,00 до 2,10-2,15, увеличить содержание гексагональной фазы нитрида бора в материале с 50-60 до 80-90% а также уменьшить количество непрореагировавшего вещества в выходящем из реактора газовом потоке в 3-4 раза, следовательно, увеличить коэффициент использования газовой смеси.

Формула изобретения

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ И ПОКРЫТИЙ ИЗ НИТРИДА БОРА газофазным осаждением, содержащее реактор, индуктор, газоввод, радиационный экран и подложку, отличающееся тем, что, с целью улучщения качества изделий и покрытий и увеличения коэффициента использования газовой смеси, подложка размещена внутри радиационного экрана из нитрида бора, плотно соединенного с газовводом.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологическому оборудованию для осуществления процессов получения пленочных полупроводниковых материалов, в частности к устройствам для газофазного наращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А3В5

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть реализовано в оборудовании для выращивания эпитаксиальных слоев из газовой фазы Цель изобретение - более точная подача смеси в реактор в более широком диапазоне концентраций легирующей примеси

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и обеспечивает уменьшение толщины переходных слоев

Изобретение относится к оборудованию для нанесения металлических, полупроводниковых и диэлектрических покрытий и может найти практическое применение в полупроводниковой промышленности, обеспечивает повышение однородности толщины и структурно-чувствительных параметров пленки и снижение потерь испаряемого соединения/Устройство включает обогреваемый цилиндрический кварцевый реактор, установленный горизонтально, расположенные внутри него кювету для испаряемого соединения и подложку для осаждения пленок, средство для ввода в реактор газа-носителя и средство для вывода, соединенное с фильтром-ловушкой продуктов разложения

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и обеспечивает уменьшение толщины переходных слоев

Изобретение относится к устройствам для выращивания эпитаксиальных слоев соединений A3B5 хлоридно-гидридным методом и может быть использовано в полупроводниковой промышленности

Изобретение относится к конструкции реактора для осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев из газовой фазы, полученной смешиванием двух и более разнородных газов
Наверх