Способ определения параметров тонких магнитных пленок

 

Использование: при научных исследованиях и технологическом контроле образцов тонких магнитных пленок, например, гранатовых эпитаксиальных структур. Сущность изобретения: способ включает воздействие на образец постоянным магнитным полем смещения, переменным модулирующим полем и фотоэлектрическую регистрацию переменной компоненты намагниченности, при этом переменное магнитное поле создают с помощью двух синхронных противофазных источников с градиентом, перпендикулярном плоскости образца, и устанавливают образец в положение, при котором смена знака фазы результирующего поля модуляции происходит в заданном слое образца. 1 ил.

Изобретение относится к способам измерений параметров тонких магнитных пленок (ТМП) и может найти применение при научных исследованиях и технологическом контроле образцов ТМП, например, гранатовых эпитаксиальных структур.

Способ поясняется чертежом, на котором представлена функциональная схема устройства для проведения измерений.

Испытуемый образец 1 размещен в соленоиде 2, создающем постоянное поле смещения. Соленоид 2 подключен к источнику 3 регулируемого постоянного тока. Градиентное переменное модулирующее поле создается с помощью двух колец Гельмгольца 4, состоящих из двух одинаковых обмоток, включенных встречно последовательно друг другу и подключенных к генератору 5 переменного тока. С помощью микрометрического устройства (не показано) положение образца по отношению к кольцам Гельмгольца можно регулировать в направлениях, показанных стрелкой. Система фотоэлектрической регистрации переменной компоненты намагниченности образца включает в себя источник 6 света, поляризатор 7, анализатор 8 и фотоприемник 9, подключенный к входу усилителя 10 переменного тока с регистрирующим прибором.

Способ реализуется следующим образом.

С помощью соленоида 2 создают постоянное магнитное поле смещения, величина которого соответствует тому участку кривой намагничивания образца, для которого производится определение дифференциальной магнитной восприимчивости. С помощью устройства образец 1 помещают в такое положение, при котором один из слоев пленки находится в плоскости, в которой происходит смена знака фазы результирующего переменного модулирующего поля, т.е. в плоскости с нулевым полем модуляции. На катушки Гельмгольца 4 подают ток от генератора 5 и устанавливают такое его значение, которое соответствует заданной величине амплитуды поля модуляции для второго слоя пленки, т.е. для слоя, параметры которого подлежат определению. На образец направляют свет от источника 6 света и с помощью регистрирующего прибора 11 измеряют сигнал, пропорциональный переменной компоненте намагниченности заданного слоя.

Описанный процесс измерения может быть повторен для других фиксированных значений поля смещения, в результате после обработки результатов измерений по известным стандартным соотношениям получают, например, зависимость дифференциальной магнитной восприимчивости от величины внешнего постоянного магнитного поля.

Формула изобретения

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК, включающий воздействие на образец постоянным магнитным полем смещения, переменным модулирующим полем и фотоэлектрическую регистрацию переменной компоненты намагниченности, отличающийся тем, что переменное магнитное поле создают с помощью двух синхронных противофазных источников с градиентом, перпендикулярным плоскости образца, и перемещением их в осевом направлении относительно образца устанавливают его в положение, при котором смена знака фазы результирующего поля модуляции происходит в заданном слое образца.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано для определения полей рассеяния микроскопических объектов, в частности магнитных головок

Изобретение относится к электроизмерительной технике

Изобретение относится к твердотельной СВЧ-электронике, и может быть использовано для измерения полей (констант) анизотропии эпитаксиальных ферритовых пленок

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении элементов, предназначенных для измерения и детектирования магнитных полей

Изобретение относится к радиоэлектронике и электронной технике и может быть использовано при измерении параметров ферромагнитных пленок как в процессе их производства, так и при изготовлении пленочных спин-волновых СВЧ-приборов

Изобретение относится к магнитометрической технике и предназначено для исследования магнитных характеристик пленок в устройствах памяти на цилиндрических доменах

Изобретение относится к магнитометрии тонких пленок и может быть использовано для контроля их параметров при использовании в запоминающих устройствах

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для измерения характеристик магнитных пленок

Изобретение относится к магнитометрам и может быть использовано для измерения напряженности магнитного поля и вектора магнитной индукции в науке, промышленности, медицине

Изобретение относится к электроизмерительной технике и, прежде всего, к магнитометрии

Изобретение относится к области электротехники, в частности к магниторезистивным считывающим элементам, и может быть использовано в компьютерной технике для считывания информации с магнитных носителей с высокой информационной плотностью, а также в сенсорной технике и автоматике

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения напряженностей магнитных полей, например, в геофизических исследованиях

Изобретение относится к электроизмерительной технике

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой датчик слабых высокочастотных магнитных полей и может применяться в первую очередь в магнитометрии. Датчик содержит диэлектрическую подложку, на верхней стороне которой нанесены полосковые проводники двух микрополосковых резонаторов, а на нижней стороне осаждена магнитная пленка, покрытая металлическим слоем, выполняющим роль экрана. Проводники резонаторов расположены под оптимальным углом друг к другу, обеспечивающим максимальный коэффициент преобразования датчика и определяемым по формуле ϕ 0 ≈ 4 π H k M s , где Hk - поле одноосной магнитной анизотропии тонкой магнитной пленки, a Ms - намагниченность насыщения пленки. Мощность СВЧ-генератора подается на оба резонатора одновременно, а выходной сигнал датчика формируется двумя сигналами, снимаемыми одновременно с этих двух резонаторов, при этом сигналы резонаторов суммируются, а шумы генератора компенсируются. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности датчика высокочастотных магнитных полей. 3 ил.

Использование: для формирования групп поляризованных электронов с заданной ориентацией спина в устройствах твердотельной электроники. Сущность изобретения заключается в том, что графеновый спиновый фильтр содержит монослой графена с двумя ферромагнитными электродами, изолирующий слой, расположенный между монослоем графена и каждым из ферромагнитных электродов, и слой благородного металла, в качестве изолирующего слоя использован буферный монослой графена, размеры которого ограничены размерами ферромагнитного электрода, а слой благородного металла расположен между ферромагнитным электродом и буферным монослоем графена, слой благородного металла состоит из монослоя атомов золота. Технический результат: обеспечение возможности повышения степени спиновой поляризации тока и уменьшения потерь спинового тока. 4 ил.
Наверх