Кристалл двойного молибдата цинка в качестве сегнетоэластика

 

Использование: для управляемых функциональных устройств, в датчиках давления. Кристаллы двойного молибдата цинка имеют состав Tl4 Zn (MoO4)3. Температура фазового перехода 200oС, пространственная группа Pn 21a. 1 табл.

Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано для создания управляемых функциональных устройств. Большинство сегнетоэластиков испытывает при определенной температуре (точка Кюри) переход из параупругой модификации в сегнетоупругую, обладающую спонтанной деформацией. Реориентация доменной структуры и изменение диэлектрических и оптических свойств кристаллов в сегнетоупругой фазе под воздействием механических напряжений позволяют сконструировать высокочувствительные датчики давления.

Получение и исследование новых кристаллов сегнетоэластиков важно не только для развития теории фазовых переходов и физики твердого тела, но и для расширения ассортимента материалов с полезными свойствами, используемыми в новой технике.

Известны кристаллы сегнетоэластиков на основе оксидов рубидия, калия и цинка Rb4Zn(MoO4)3 и K4Zn(MoO4)3, в которых температура фазовых переходов (точка Кюри) составляет 300оС Rb4Zn(MoO4)3 и 360оС K4Zn(MoO4)3 [1, 2] Недостатком указанных сегнетоэластиков является высокая температура фазового перехода.

В практическом использовании температура фазового перехода в сегнетоэластиках должна приближаться к комнатной температуре.

Целью изобретения является получение сегнетоэластиков с фазовым переходом (точка Кюри) ниже, чем 300оС.

Цель достигается тем, что кристалл сегнетоэластика, включающий молибдаты цинка и щелочных металлов (S-элементов), содержит вместо молибдатов щелочных металлов молибдат одновалентного таллия (Р-элемент).

Кристаллы Tl4Zn(МoO4)3 получены спонтанной кристаллизацией из расплава и их свойства являются следствием структуры и состава этого соединения.

При комнатной температуре соединение обладает ромбической сингонией (Pn21n). Параметры элементарной ячейки следующие: a 10,78 (1); b 21,93 (2); c 6,09 (7).

В доменной структуре кристаллов этого соединения наблюдаются три ориентационных состояния, т.е. три типа доменов.

Основу структур образуют изолированные тетраэдры ЭО42-. Два таких тетраэдра связаны вершинами с тетраэдрами ZnO4, образуя линейный фрагмент, такие фрагменты соединяются с помощью тетраэдра ЭО4, имеющего общие вершины с двумя тетраэдрами ZnO4 из двух разных фрагментов и таким образом образуются бесконечные цепи. Атомы одновалентных элементов, располагаясь в пустотах, скрепляют цепи.

Выше температур фазовых переходов атомы цинка увеличивают свою координацию до пятерной за счет разворота лежащих с ними на одном уровне тетраэдров MoO4 [2] Отличительной особенностью предлагаемого кристалла является наличие катиона таллия (Tl+), понижающего до 200оС температуру сегнетоэластического фазового перехода.

П р и м е р. Смесь 2 моль молибдата таллия 83,48 г и 1 моль молибдата цинка 16,52 г растирают в ступке в течение 30 мин и отжигают при температуре 400 и 450оС в течение 50 и 25 ч соответственно (выход 98% от теоретического). Платиновый тигель емкостью 150 см3 (диаметром 40 см3) с синтезированным соединением Tl4Zn(MoO4)3 в избытке Tl2MoO4 помещают в трубчатую печь кристаллизационной установки и нагревают со скоростью 2 град/ч. В охлажденном плаве обнаруживаются пластинчатые монокристаллы Tl4Zn(MoO4)3. Пластинки получаются за счет скола по плоскостям спайности, что исключает резку и полировку кристаллов. Оптические исследования монокристаллов показывают наличие доменов с тремя ориентационными соотношениями, которые переключаются под действием внешних механических напряжений.

Сопоставление некоторых параметров предлагаемого и известного сегнетоэластиков показывает, что предлагаемый сегнетоэластик отличается более низкой температурой сегнетоэластического перехода 200оС. В таблице представлены сравнительные данные по температуре фазового перехода для известного и предложенного состава кристалла, а также их пространственные группы.

Из таблицы следует, что кристаллы предлагаемого состава Tl4Zn(MoO4)3 обладают значительно меньшей температурой сегнетоэластического фазового перехода, что соответственно улучшает рабочие характеристики функциональных устройств, кроме того, с введением таллия появляется ярко выраженная спайность в кристаллах. Это позволяет легко получать пластины (рабочие элементы устройств) без предварительной резки и полировки.

Использование заявляемого изобретения позволит уменьшить рабочую температуру функциональных устройств; улучшить качество обработки элементов устройств за счет использования пластинок, получающих за счет естественных плоскостей спайности.

Формула изобретения

КРИСТАЛЛ ДВОЙНОГО МОЛИБДАТА ЦИНКА В КАЧЕСТВЕ СЕГНЕТОЭЛАСТИКА, отличающийся тем, что в качестве второго металла молибдат содержит таллий и имеет состав, соответствующий формуле Tl4Zn(MoO4)3.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области управляемой раствор-расплавной кристаллизации и может найти применение при получении кристаллов GaBO3 в физическом эксперименте и оптоэлектронике

Изобретение относится к области получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), в частности YBa2Cu3O7-

Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов гематита а - РеаОз и позволяет увеличить размеры монокристаллов в направлении тригональной оси

Изобретение относится к области технологии выращивания монокристаллов со сверхпроводимостью

Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников - ВТСП на основе металлооксидов и может быть использовано в микроэлектронике

Изобретение относится к получению ферромагнитных монокристаллических материалов с гексагональной структурой, применяемых в электронике

Изобретение относится к области сцинтилляционных материалов, используемых для регистрации и спектрокопии ионизирующих излучений

Изобретение относится к сцинтилляционной технике и обеспечивает увеличение светового выхода, улучшение энергетического разрешения и стабилизации сцинтилляционных параметров кристаллов

Изобретение относится к области сцинтилляционной техники и предназначено для регистрации и спектрометрии гамма-квантов и других элементарных частиц, в частности к способам термообработки кристаллов германата висмута

Изобретение относится к технике сцинтилляционных детекторов на базе ортогерманата висмута В14Сез012, применяемых в физике высоких энергий, в дозиметрии, в сцинтилляционных экранах для сканирующих электронных микроскопов, компьютерной томографии и в радиационной технике, связанной с эксплуатацией ядерно-энергетических установок, гамма-картонажных геофизических устройств для ионной имплантации

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца (далее PWO), и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения
Наверх