Мост с полупроводниковым терморезистором

 

Использование: измерители температуры с помощью полупроводниковых терморезисторов. Сущность изобретения: в мост введены переменные резисторы, включенные по схеме делителей напряжения. Обеспечивается точная регулировка температурной зависимости выходного сигнала моста при отсутствии токовой нагрузки на подвижные контакты переменных резисторов и при минимальном снижении чувствительности выходного сигнала моста. 4 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к измерению температуры с помощью полупроводниковых терморезисторов, сопротивление Rт которых: Rт= Re R в заданном интервале измерения температуры Т: T1 T T2, где Rто=Rтпри Т=То=293,15К; Rт1=Rт при Т=Т1, Rто и В характеристики полупроводниковых терморезисторов.

Известные термочувствительные мосты с источником питания, содержащие один полупроводниковый терморезистор и три подгоночных термонезависимых резистора, обеспечивающих соответственно перемещения, поворот и искривление (отклонение от прямой линии) зависимости выходного сигнала Р (например, напряжения) моста от температуры Т и, соответственно, приближение к заранее заданной зависимости Р от Т (как линейной, так и к нелинейной) при замене полупроводниковых терморезисторов, имеющих различные значения Ro и В в заданных техническими документами пределах [1] Отклонение выходного сигнала Р от линейной зависимости определяется только одним параметром Ra входным сопротивлением моста со стороны Rт: Ra=KaRтd, где Ka A Rтd=Rт при Т=Тd Td температура, в которой 0.

Наилучшее приближение выходного сигнала Р к линейной зависимости обеспечивается при выборе Тd: Td где , Kx коэффициент расположения точки Тd относительно границ заданного интервала температур Т1 Т Т2, Kx= определяемый графоаналитическим методом из уравнений наилучшего приближения выходного сигнала Р к линейной зависимости Р^ P1=+ Pm= Pn=+ P2=(P-P^)т-тm (фиг.1) Например, при Т1=300,15K, Т2= 350,15К, В= 3250К, Кх=1,085 и соответственно, 1,96, /=7,8% Если пренебречь величиной Кх=1, т.е. 0, то значение Тd выбирается равным Т1+ Значение Ra также может быть выбрано из условий совмещения выходного сигнала Р с линейной зависимостью в точках Т1.1, Тк, Т1.2(фиг.1), которые могут быть выбраны:

Недостатками известных мостов с полупроводниковыми терморезисторами являются:
дополнительные погрешности измерения температуры, которые вызываются разницей между сопротивлениями подбираемых подгоночных резисторов моста и их расчетными значениями, так как подбор резисторов без их подрегулировки не позволяет точно получить заданные значения их сопротивлений;
дополнительная погрешность и снижения надежности измерения температуры при введении переменного резистора Rдп в токовую цепь схемы за счет переходного сопротивления между перемещающимся контактом и витками переменного резистора;
получение только линейного выходного сигнала (фиг.3,а), а не сигнала, числовое значение которого (например, число милливольт) точно равно числу измеряемой температуры в оС (фиг.3, в), что позволяет исключить дальнейшее преобразование выходного сигнала, упрощает и удешевляет схему измерения температуры электронным цифровым индикатором.

В термочувствительном мосту [2] (прототип) с одним полупроводниковым терморезистором и дополнительными нетермочувствительными резисторами в качестве трех регулируемых резисторов введены два последовательно соединенных нетермочувствительные резистора R4 и R5, включенных в диагональ моста, и переменный резистор Rп, подвижный контакт которого является вершиной моста и подключен к источнику питания. Он обеспечивает приближение (неоптимальное) к линейной зависимости выходного сигнала моста путем регулировки величины входного сопротивления моста Ra (со стороны полупроводникового терморезистора) до величины, равной e R. При Тd= и ( 0) за счет подбора суммы подгоночных сопротивлений R4 и R5, включаемых в диагональ моста (фиг.2). Выходной сигнал (напряжение) снимается с точки диагонали моста и точки соединения подгоночных резисторов R4 и R5. Перемещение и поворот линеаризованной выходной характеристики (для ее стандартизации) соответственно обеспечивается переменным резистором Rпр, подвижной контакт которого является вершиной моста, подключенного к источнику питания, и подбором резисторов R4 и R5 (подбором величины ).

Термочувствительный мост Япония (прототип) также имеет недостатки: практически неизбежная неточность подбора резисторов R4 и R5 и, соответственно, отличие полученного значения от ее расчетной величины вызывает дополнительную погрешность измерения температуры при ТТк, где Тк температура, при которой выходной сигнал равен нулю (регулировкой переменного резистора), например, при погрешности линеаризации выходного сигнала моста в диапазоне от 15 до 45оС при В=2750К 0,06оС неточность подбора резистора R5 до 2% вызовет дополнительную погрешность до 0,6оС, т.е. увеличение в 10 раз;
переменный резистор Rпр находится в токовой цепи и переходное сопротивление Rдп вызывает дополнительную погрешность и снижает надежность измерения температуры.

Введение в диагональ моста подгоночных резисторов (подгонка нагрузкой моста) для pегулировки величины входного сопротивления моста со стороны полупpоводникового терморезистора ограничивает возможности его регулировки, приводит к сопротивлению между точками съема выходного сигнала моста, приближающегося к сопротивлению цифрового индикатора температуры, что вызывает дополнительную погрешность и уменьшает чувствительность выходного сигнала.

Изобретение решает задачи создания систем автоматики, сигнализации и измерения температуры полупроводниковым терморезистором и электронной цифровой вторичной аппаратурой повышенной точности и надежности при высокой чувствительности выходного сигнала, поступающего во вторичную аппаратуру при упрощении ее схемы.

Задача решается тем, что в мосту с полупроводниковым терморезистором, содержащим первый, второй и третий подгоночные резисторы схемы взаимозаменяемости, в плече с полупроводниковым терморезистором второй подгоночный резистор выполнен в виде первого переменного сопротивления, включенного по схеме делителя напряжения, а первый подгоночный резистор в виде первого переменного сопротивления, включенного по схеме делителя напряжения и последовательно соединенного с первым корректирующим резистором, при этом он зашунтирован полупроводниковым терморезистором, а в противоположном плече моста, включающем общую точку с плечом моста с полупроводниковым терморезистором, третий подгоночный резистор выполнен в виде второго переменного сопротивления, включенного по схеме делителя напряжения и последовательно соединенного с ним второго корректирующего резистора, причем точки съема выходного сигнала совмещены с точками подвижных контактов переменных сопротивлений.

При съеме выходного сигнала моста с подвижных контактов делителей напряжения введение в цепь подгоночного резистора, шунтирующего полупроводниковый терморезистор, обеспечивает (с регулировкой подбором величины суммарного сопротивления шунта) независимое проведение двух различных функциональных регулировок выходного сигнала моста: его нелинейности и поворота.

При этом второй делитель напряжения обеспечивает регулировку перемещения выходного сигнала моста.

Схема предлагаемого моста показана на фиг.4.

Она содержит источник питания моста, содержащий полевой транзистор VT, переменный резистор-делитель напряжения R5", резистор R5' для увеличения плавности регулировки тока I (питания мота);
Rт полупроводниковый терморезистор;
R1 резистор плеча моста (расчетное значение сопротивления одно для всех ПТР);
Rш', Rш", Rш"'- подгоночные (подбираемые) резисторы, сумма которых определяет параметр нелинейности Ra (расчетное значение Ra зависит от Roи В), а величина
K1 (Rш1 сопротивление между точками 1 и 4) регулирует поворот выходной характеристики моста,
Rш= Rш'+Rш"+Rш"' Rш" переменный резистор, включенный как делитель напряжения и точно обеспечивающий расчетное значение K1.

R23', R23", R23"' подгоночные (подбираемые) резисторы, сумма которых R23 (R23<<Rт, а величина K2, равная отношению сопротивления R2.4 (между точками 2 и 4) к суммарному сопротивлению R2.3, регулирует перемещение выходной характеристики моста (напряжения eт, снимаемого с точек 1 и 2);
R2.3" переменный резистор, включенный как делитель напряжения и точно обеспечивающий перемещением подвижного контакта 2 расчетное значение K2(R23"<<R A цифровой электронный индикатор.

Получение заданной температурной зависимости выходного сигнала ет=f(T) предлагаемой схемой осуществляется следующим образом:
Производится расчет значений Ra, K1, K2 в зависимости от В и Ro(используемых в схеме полупроводниковых терморезисторов) из условий наименьшего отклонения выходного сигнала ет от заданной температурной зависимости, например, из условия точного их совмещения в точках Т1.1, Тк, Т1.2 (которые, например, могут быть выбраны:
T1.1 Tк- (T2-T1), T1.2 Tк+ (T2-T1), Tк При этом R1>>Rт, R23<<Rт<I<SUB>22 ток через R2.3).

Рассчитываются и подбираются резисторы схемы (на основании расчетов Ra, K1, K2).

Регулировкой переменных резисторов Rш" и R23" компенсируются неточности подбора подгоночных резисторов и обеспечивается наибольшая точность получения заданной температурной зависимости.

Согласно схеме фиг.4:
зависимость от температуры выходного сигнала ет между точками 1 и 2 равна:
ет=K2U-K1Uш, где U напряжение между точками 3 и 4,
Uш напряжение между точками 5 и 4 (снимаемое с терморезистора Rт),
U=Iт2(Rт2+Ra1)1 + +Iт2(Rт-Rт2)
Uш=Iт2Tт2+Iт2(Rт-Rт2)
Ra , Ra1
Iт2 ток через Rт при Т=Т2
Rт2= Rт при Т=Т2. Так как по условию Iт<<I, R23<<R1>Rт, Ra-Ra1<<R2 Ul < l K1 Uш l где l Ul (U)т=т2 (U)т=т1 l, l Uш l=l (Uш)т=т2 (Uш)т=т1 l и для оценки чувствительности выходного сигнала можно принять
ет=(ет)т2-(ет)т1 К1 Uш. При Ro=Ro min и В=Вmin, K1=1
eт Iт2Rт
Следовательно, предлагаемая схема с тремя подгоночными резисторами (тремя функциональными параметрами: нелинейность, перемещение, поворот), обеспечивая высокую точность совмещения выходного сигнала ет= f(T) с заданной температурной зависимостью (например, ) имеет такую же высокую чувствительность, как и схема с одним подгоночным резистором Rш=Ra.
В предлагаемом термочувствительном мосте с электронным индикатором температуры (или системой сигнализации, автоматики), с подгоночными переменными резисторами, включенными как делители напряжения, отсутствуют токовые нагрузки на подвижных контактах переменных резисторов и, следовательно, отсутствует влияние дополнительного сопротивления между подвижными контактом и резистором на точность выходного сигнала моста ет=f(T).

Изменение Rш обеспечивает практически неограниченное изменение величины Ra (от 0 до R1>>Rт), регулировкой К1 и К2 обеспечивается совмещение числового значения выходного сигнала моста с числовым значением измеряемой температуры в оС.


Формула изобретения

МОСТ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ТЕРМОРЕЗИСТОРОМ, содержащий первый, второй и третий подгоночные резисторы схемы взаимозаменяемости, отличающийся тем, что в плече моста с полупроводниковым терморезистором второй подгоночный резистор выполнен в виде первого переменного сопротивления, включенного по схеме делителя напряжения, а первый подгоночный резистор - в виде первого переменного сопротивления, включенного по схеме делителя напряжения и последовательно соединенного с первым корректирующим резистором, при этом он зашунтирован полупроводниковым терморезистором, а в противоположном плече моста, включающем общую точку с плечом моста с полупроводниковым терморезистором, третий подгоночный резистор выполнен в виде второго переменного сопротивления, включенного по схеме делителя напряжения и последовательно соединенного по схеме делителя напряжения и последовательно соединенного с ним второго корректирующего резистора, причем точки съема выходного сигнала совмещены с точками подвижных контактов переменных сопротивлений.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике измерения температур, а именно к устройствам преобразования значения температуры в электрический сигнал, и может быть использовано для построения высокочастотных измерителей температуры

Изобретение относится к температурным измерениям и может найти применение при измерении температур термбпреобразователями сопротивления, Цель изобретения - повышение точности преобразования при упрощении устройства

Изобретение относится к области температурных измерений и позволяет повысить точность измерения путем улучшения помехозащищенности

Изобретение относится к приборостроениго и может быть использовано для измерения температуры объектов

Изобретение относится к устройствам для измерения температуры и может применяться в различных областях техники

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к медицинской технике и предназначено для измерения температуры тела человека

Изобретение относится к устройствам для измерения температуры удаленных объектов и может быть использовано при проведении геотермических исследований, входящих в обязательный комплекс геофизических методов контроля за эксплуатацией нефтегазовых месторождений и подземных хранилищ газа

Изобретение относится к измерительной технике и направлено на повышение точности измерений

Изобретение относится к электронике, в частности к интегральным датчикам температуры

Изобретение относится к системам управления и контроля производственных процессов и может быть использовано для измерения температуры технологической текучей среды. Устройство (12) для измерения температуры технологической текучей среды включает в себя основанный на сопротивлении датчик 32 температуры (RTD), сконфигурированный с возможностью термического соединения с технологической текучей средой. Первое и второе электрические соединения сконфигурированы с возможностью проводить ток через RTD (32). Измерительная схема (36) сконфигурирована с возможностью измерения напряжения на RTD и идентификации соединения с ухудшенной характеристикой с RTD и оперативного измерения температуры технологической текучей среды с использованием электрических соединений. Технический результат - повышение точности получаемых данных. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 3 ил.
Наверх