Способ изготовления накопительных конденсаторов

 

Изобретение относится к конденсаторостроению и может быть использовано при разработке конденсаторов различных устройств радиоэлектроники, а также конденсаторов сглаживания пиковых перегрузок сетей электропитания. Цель изобретения - повышение удельной емкости, увеличение рабочего напряжения и возможности значительной миниатюризации. Предлагаемый способ заключается в приготовлении диэлектрического материала путем интеркаляции в расплаве нитрита калия и формировании токопроводящих обкладок. 1 табл.

Изобретение относится к конденсаторостроению и может быть использовано при разработке конденсаторов как для различных устройств радиоэлектроники, так и для сглаживания пиковых перегрузок сетей электропитания.

В настоящее время известны способы изготовления накопительных конденсаторов, основанные на явлении поляризации объемного заряда двойного электрического слоя, возникающего на границах раздела раствора электролита с электродами, разнесенными на расстояния, соизмеримые с макроскопическими размерами конденсаторов.

Известен способ изготовления накопительного конденсатора, состоящий в том, что два электрода погружаются в раствор электролита (или разделяются сепаратором, содержащим электролит), после чего такую систему помещают в корпус с последующей герметизацией. Этот способ позволяет создавать конденсаторы, обладающие большой удельной емкостью.

Несмотря на то, что указанный способ является новым шагом в конденсаторостроении, следует обратить внимание на следующие его недостатки: принцип создания таких конденсаторов по классической схеме два электрода, разделенных электролитом с необходимым корпусированием, естественно ограничивает возможности дальнейшей миниатюризации с одновременным повышением удельных характеристик, явления, лежащие в основе работы таких конденсаторов, определяющие и способ их изготовления, приводят к ограничению значений их параметров, не превышающих: по удельной емкости 10-15 Ф/см3; по рабочему напряжению 1-2,5 В.

Цель изобретения устранение указанных недостатков посредством принципиально нового подхода к созданию накопительных конденсаторов.

Цель достигается тем, что в известных способах изготовления накопительных конденсаторов, заключающихся в возникновении, благодаря явлению поляризации, объемнозарядного двойного электрического слоя на границах раздела раствора электролита с электродами, используется классическая схема конструкции таких конденсаторов, т.е. два электрода с соответствующими электрическими выводами, разделенные электролитом, помещаются в герметичный корпус, причем увеличение удельной емкости и рабочего напряжения для этих конденсаторов ограничивается используемыми классом электродов и рабочим электролитом, соответственно.

Сопоставительный анализ предлагаемого способа с прототипом показывает, что предлагаемый отличается от известного тем, что с целью увеличения удельной емкости, повышения рабочего напряжения с обеспечением одновременной возможности значительной микроминиатюризации посредством нового подхода состоит в изготовлении накопительного конденсатора в виде одного образца слоистого монокристаллического полупроводника InSe, который интеркалируют нитритом калия при 380-410оС в течение 15-30 с. Таким образом, предлагаемый способ соответствует критерию изобретения "новизна".

Накопительный конденсатор изготавливается в виде одного образца монокристалла слоистого полупроводника InSe, который интеркалируется из расплава нитрита калия (KNO2). Полупроводниковые монокристаллы InSe обладают структурой, состоящей из стопы отдельных слоев. Атомы в слое соединены сильными (преимущественно ковалентными) связями, а между слоями действуют слабые силы Ван-дер-Ваальса. Наличие "гостевой" степени свободы в таких кристаллах позволяет вводить чужеродные молекулы "гости" в области Ван-дер-Ваальсовой связи, т.е. проводить интеркаляцию. Экспериментально нами было установлено, что в InSe легко внедряется нитрит калия из его расплава. Получаемый интеркалированный материал представляет собой накопительный конденсатор. При этом в отличие от прототипа: возможна значительная миниатюризация накопительных конденсаторов, так как толщину пластин интеркалата InSe<KNO<SUB>2

П р и м е р. Монокристаллы InSe выращивались по методу Бриджмена из стехиометрического состава компонент. Из слитков полученных монокристаллов механическим скалыванием вдоль слоев отделялись пластинки размерами 2,5 х 2,5 х 0,5 мм. С двух сторон на противоположных гранях, совпадающих с кристаллографическими плоскостями скола, наносились контакты токопроводящим клеем марки ВК-20Т и токоотводы в виде медной проволоки. Полученный образец помещают в фарфоровую ячейку с расплавом соли при 390оС. Продолжительность экспонирования составляла 25 с (см. таблицу). В завершение приготовленные образцы герметизировали со всех сторон компаундом марки Ф-47.

Изготовленные предлагаемым способом конденсаторы обладают удельной емкостью Суд 30-300 Ф/см3 и рабочим напряжением 2-10 В.

Таким образом, использование предлагаемого способа изготовления накопительного конденсатора позволяет значительно повысить удельную емкость всех известных в настоящее время конденсаторов, увеличить рабочее напряжение накопителей с одновременным обеспечением возможности значительной миниатюризации.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАКОПИТЕЛЬНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ, включающий создание слоистой структуры, отличающийся тем, что слоистую структуру получают путем выращивания слоистого монокристалла полупроводника селенида индия методом Бриджмена, затем отделяют скалыванием одну пластину и интеркалируют ее в расплаве нитрата калия при 380 410oС в течение 15 30 с.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области физики твердого тела и может быть использовано для преобразования излучения дальней инфракрасной области спектра, а также в параметрических квантовых генераторах, средствах связи, обработке информации
Изобретение относится к области физики твердого тела

Изобретение относится к области физики твердого тела, а именно к материалам для нелинейной оптики, и может быть использовано в различных устройствах квантовой электроники
Изобретение относится к области физики твердого тела и может найти применение как перспективный нелинейный материал для преддетекторного преобразования инфракрасной частоты в светолокационных установках, параметрических квантовых генераторах, спектроскопии и других приборах квантовой электроники
Изобретение относится к области физики твердого тела

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании на основе легированных щелочными металлами полупроводниковых соединений детекторов ядерных излучений, светоизлучающих структур, других полупроводниковых устройств и приборов

Изобретение относится к способам получения полупроводниковых твердых растворов CuAlxini-xS2, которые могут быть использованы как материалы для изготовления светодиодов для видимой и ультрафиолетовой областей, солнечных элементов

Изобретение относится к оборудованию для нанесения металлических, полупроводниковых и диэлектрических покрытий и может найти практическое применение в полупроводниковой промышленности, обеспечивает повышение однородности толщины и структурно-чувствительных параметров пленки и снижение потерь испаряемого соединения/Устройство включает обогреваемый цилиндрический кварцевый реактор, установленный горизонтально, расположенные внутри него кювету для испаряемого соединения и подложку для осаждения пленок, средство для ввода в реактор газа-носителя и средство для вывода, соединенное с фильтром-ловушкой продуктов разложения

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов твердых растворов на основе ZnTe - ZnSe, которые могут быть использованы в приборах оптоэлектроники

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при производстве полупроводниковых структур

Изобретение относится к химической технологии и может быть использовано при производстве аморфных материалов в макроскопическом объеме

Изобретение относится к области получения крупных монокристаллов сверхпроводников из расплава системы Bi Sr Ca Cu O и может быть использовано в качестве оптических линий задержки в видимом и инфракрасном диапазонах, как электрические контакты и прерыватели для работы при низких температурах

Изобретение относится к составам шихты для получения ювелирных кристаллов тугоплавких оксидов на основе диоксида циркония, обладающих опалесценцией
Изобретение относится к области физики твердого тела

Изобретение относится к области физики твердого тела, а именно к материалам для нелинейной оптики, и может быть использовано в различных устройствах квантовой электроники

Изобретение относится к способу получения кристаллов тугоплавких оксидов на основе диоксида циркония или гафния для производства ювелирных камней, а также может быть использовано в оптике для изготовления различных оптических элементов

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6
Наверх