Устройство для тепловой обработки потока огнеупорных сыпучих материалов

Авторы патента:

H05H1/26 - Плазменная техника (термоядерные реакторы G21B; ионно-лучевые трубки H01J 27/00; магнитогидродинамические генераторы H02K 44/08; получение рентгеновского излучения с формированием плазмы H05G 2/00); получение или ускорение электрически заряженных частиц или нейтронов (получение нейтронов от радиоактивных источников G21, например G21B,G21C, G21G); получение или ускорение пучков нейтральных молекул или атомов (атомные часы G04F 5/14; устройства со стимулированным излучением H01S; регулирование частоты путем сравнения с эталонной частотой, определяемой энергетическими уровнями молекул, атомов или субатомных частиц H03L 7/26)
H05H1 - Плазменная техника (термоядерные реакторы G21B; ионно-лучевые трубки H01J 27/00; магнитогидродинамические генераторы H02K 44/08; получение рентгеновского излучения с формированием плазмы H05G 2/00); получение или ускорение электрически заряженных частиц или нейтронов (получение нейтронов от радиоактивных источников G21, например G21B,G21C, G21G); получение или ускорение пучков нейтральных молекул или атомов (атомные часы G04F 5/14; устройства со стимулированным излучением H01S; регулирование частоты путем сравнения с эталонной частотой, определяемой энергетическими уровнями молекул, атомов или субатомных частиц H03L 7/26)

 

Сущность изобретения: при зажигании дуги 3 между стержневыми электродами 2, расположенными в разрядной камере 1, через обмотку стабилизации (ОС) 11, регулируемое сопротивление стабилизации (РСС) 13 протекает ток I в соответствии с напряжением источника питания Uс. Одновременно через обмотку управления (ОУ)10 и регулируемое сопротивление управления (РСУ)12 протекает ток управления Iу в соответствии с напряжением источника питания Uу. РСС13 и РСУ12 могут реализоваться как регулируемые части ОС11 и ОУ10. В магнитопроводе с ярмом 8 и полюсными наконечниками 9 возникает поперечное магнитное поле, приводящее к появлению силы Лоренца, вытягивающей дуговой разряд в соответствии с заданными величинами регулируемых сопротивлений РСУ12 и РСС13, отрабатываемых механизмами отработки (МО2) 15 и (МО1) 14, управляемых от формирователя сигналов управления ФСУ17, на который поступают параметры управления и постоянные величины от задатчика параметров работы ЗПР16. С первого выхода ЗПР16 параметр з поступает на третий механизм отработки МО3, отрабатывающий регулируемую заслонку (дозатор) бункера, соответственно заданный поток исходного материала поступает в наиболее нагретую область пространства - плазменную печь, где частицы нагреваются, и выходной поток частиц, нагретых до заданной температуры T43, выдается потребителю для формирования изделий с заданными переменными плотностью, структурой и качеством поверхности. 3 ил.

Изобретение относится к электротехнике и касается преобразования электрической энергии в тепловую в электрическом газовом разряде плазмотрона.

Изобретение может быть использовано для производства изделий с переменными структурой, плотностью, качеством поверхности в отраслях строительной, стекольной промышленности, декоративно-прикладного искусства.

Известны устройства, содержащие плазмотрон с разрядной камерой, внутри которой установлены два стержневых отрабатываемых электрода, магнитопровод в виде охватывающего разрядную камеру ярма с двумя полюсными наконечниками, на которых размещены обмотка управления, подключенная к источнику питания постоянного тока, и обмотка стабилизации, подключенная к автономному источнику постоянного тока питания дуги газового разряда, а также бункер подачи исходного обрабатываемого материала [1] [2] [3] Во всех известных устройствах на основе плазмотрона не решена проблема нагрева изменяемого потока частиц обрабатываемого материала до заданных изменяемых температур.

Технический результат предлагаемого технического решения заключается в обеспечении нагрева заданного изменяемого потока частиц обрабатываемого материала до заданных изменяемых температур и, как следствие этого, возможность формирования изделий с заданными переменной структурой, плотностью и качеством поверхности.

Технический результат достигается тем, что в устройство, содержащее разрядную камеру, два стержневых электрода, магнитопровод с охватывающим разрядную камеру ярмом и установленными в плоскости, перпендикулярной плоскости установки электродов, двумя полюсными наконечниками, на которых размещены обмотка стабилизации с выводами, подключенными к источнику постоянного тока питания дуги газового разряда, и отмотка управления с выводами, подключенными к автономному источнику питания постоянного тока, бункер подачи исходного сыпучего материала, дополнительно введены включенное между одним электродом и одним концом обмотки стабилизации регулируемое сопротивление стабилизации, включенное между концами обмоток управления регулируемое сопротивление управления, задатчик параметров работы и формирователь сигналов управления, на первый-двенадцатый входы которого подключены первый-двенадцатый выходы задатчика параметров работы, отрабатывающий регулируемое сопротивление стабилизации первый механизм отработки, на один вход которого подключен его выход, а на другой вход подключен второй выход формирователя сигналов управления, отрабатывающий регулируемое сопротивление управления второй механизм отработки, на один вход которого подключен его выход, а на другой вход подключен первый выход формирователя сигналов управления, дозатор, отрабатываемый третьим механизмом отработки, на один вход которого подключен его выход, а на другой вход подключен первый выход задатчика параметров работы.

На фиг. 1 представлена схема предлагаемого устройства, вид спереди; на фиг. 2 то же, вид в плане; на фиг.3 схема реализации формирователя сигналов управления.

На чертежах приняты следующие обозначения: 1 разрядная камера плазмотрона, 2 стержневые электроды, 3 траектория дуги газового электрического разряда, 4 бункер подачи исходного материала, 5 регулируемая заслонка (дозатор), 6 поток частиц исходного материала, 7 поток нагретых частиц, 18 плазменная печь (наиболее нагретая область пространства), 19 третий механизм отработки, 8 ярмо магнитопровода, 9 полюсные наконечники, 10 обмотка управления (ОУ), 11 обмотка стабилизации (ОС), 12 регулируемое сопротивление управления (РСУ), 13 регулируемое сопротивление стабилизации (РСС), 14 первый механизм отработки (МО1), 15 второй механизм отработки (МО2), 16 задатчик параметров работы (ЗПР), 17 формирователь сигналов управления (ФСУ), 20 первый блок деления (БД1), 21 первый блок умножения (БУ1), 22 второй блок умножения (БУ2), 23 первый блок разности (БР1), 24 квадратор (КВ), 25 первый сумматор (С1), 26 блок извлечения корня квадратного (БИК), 27 второй сумматор (С2), 28 второй блок разности (БР2), 29 второй блок деления (БД2), 30 третий блок разности (БР3), 31 четвертый блок разности (БР4), 32 третий блок умножения (БУ3), 33 четвертый блок умножения (БУ4), 34 пятый блок разности (БР5).

При зажигании дугового разряда между стержневыми электродами 2, расположенными в разрядной камере 1, через ОС11, РС13 протекает электрический ток I= , где Rc Rco+Rcp, Rco сопротивление ОС11, Rcp сопротивление РС13, Uc- напряжение источника питания, Uд напряжение на дуге.

При регулировке непосредственно ОС11; Rco постоянная часть сопротивления ОС11; Rcp регулируемая часть сопротивления ОС11.

Одновременно от источника питания напряжением Uу через ОУ10, РС12 протекает ток Iу= где Ry Ryo+Ryp, Ryo сопротивление ОУ10, Ryp сопротивление РС12. При регулировке непосредственно ОУ10: Ryo постоянная часть сопротивления ОУ10, Ryp регулируемая часть сопротивления ОУ10.

Под действием I и Iy между наконечниками 9, расположенными на концах ярма 8, возникает магнитное поле, вектор магнитной индукции Вмкоторого перпендикулярен плоскости разряда, при этом пропорционально количеству витков ОУ10 и ОС11 Вм К1(I+Iy) (здесь К1 коэффициент пропорциональности). Сила Лоренца, действующая перпендикулярно Вм и перпендикулярно вектору скорости носителей заряда в дуге вытягивает дуговой разряд 3 по продольной оси камеры 1, при этом длина дуги по продольной оси равна lx K2Вм К1К2(I+Iy) K3(I+Iy), где К3 коэффициент пропорциональности). Известна аппроксимированная вольт-амперная характеристика (ВАХ) дугового разряда [4] Uд= (a+bl)+ где a, b, c, d постоянные величины, llo+ 2lx, lo расстояние между электродами, тогда при l lo+2K3(I+Iy) Uд= a+blo+2bK3Iу+ +2bK данная характеристика имеет восходящую ветвь после значения Im, соответствующего минимуму Uд). При работе на восходящей ветви ВАХ (I >> Im) Uд Uo+R(I+Iy) R(Io+I+Iy), где Io= R 2bK3, Uo= a+blo+2dK3 постоянные для данного устройства величины.

Наиболее нагретая область пространства плазменная печь ПП18 в установившемся режиме имеет следующую температуру [5] Tп= где Н E+EoN определяется теплоотдачей в окружающую среду и теплоотдачей частицам N исходного материала, одновременно находящихся в ПП18;
Е, Ео известные постоянные для данного устройства величины.

Из бункера 4 через регулируемую заслонку 5 вытекает поток частиц 6 исходного материала n K4 где n количество частиц, исходящих из щели дозатора 5 одновременно; параметры щели в дозаторе 5, К4 коэффициент пропорциональности.

Частицы исходного материала в свободном падении пролетают расстояние l1 AB между выходом из щели дозатора 5 и входом в зону действия ПП18 и расстояние ВС lx линейное расстояние ПП18, при этом время нахождения частицы в ПП18 следующее:
где g ускорение свободного падения, при l1 > lx
K5lx где К5 постоянный для данного устройства коэффициент пропорциональности.

Количество частиц N пропорционально lx и n, т.е.

N K6 n lx K3K4K5K6 (I+Iy)
(здесь К6 коэффициент пропорциональности), при E1 K3K4K5K6Eo
H E+E1 (I+ Iy), E1 постоянная для данного устройства величина.

Температура нагрева каждой частицы в выходном потоке частиц 7 определяется температурой Тп и временем нахождения частицы в ПП18, при коэффициенте пропорциональности К7
T4= K7Tп= RK3K5K7(I+Iу)I(Io+I+Iу)
При RK5K7K3= K, F F1= (F1,F1 постоянные для данного устройства параметры)
T4=
Известно [6] что при изменениях тока I параметры дуги (сечение, степень ионизации) не успевают отслеживать изменения I, а при выборе постоянного рабочего тока Ip >>Im на восходящей ветви ВАХ динамическая и статическая ВАХ соответствуют друг другу, при этом Ip= определяется соотношением заданных величин Iy3, Rc3, при которых I Ip
Rc3=
Из условия обеспечения заданной температуры частиц Т43 заданного потока частиц, определяемого 3 при выбранном Ip
Tу3=
или
Iу3+I+Iу3+IIo-
откуда
Iу3+Ip= -I+ (1)
Так как
Rу= Rуо+Rур= Rc= Rco+Rcp,
то Rур3= Rуo (2)
Rср3= Rc3-Rco= -Rco- (Ip+Iу3) (3)
Зависимости (1), (2), (3) определяют регулировочные величины Ryp3 и Rcp3, при выбранных величинах Ip и 3 в обеспечение заданной температуры частиц Т43 в выходном потоке 7 нагретых частиц, при постоянных для данного устройства параметрах Uc, Uo, R, Rco, Uy, Ryo, F, F1, Io.

В ЗПР16 оператором (или программно) задаются параметры режима работы и постоянные величины 3, Т43, Ip, F, F1, Io, Uy, Ryo, Uc, Uo, R, Rco, которые с первого-двенадцатого выходов ЗПР16 поступают соответственно на первый-двенадцатый входы ФСУ17, в котором формируются заданные управляющие сигналы, реализующие зависимости (1), (2), (3). Примеры технического исполнения ЗПР16 как задатчика постоянных величин и элементов (20-(34) в ФСУ17 приведены в [7]
В ФСУ17:
первый вход 3 подключен к первому входу БУ2 (22);
второй вход (Т43) подключен ко вторым входам БУ1 (21) и БУ2 (22);
третий вход (Ip) подключен ко входу БД1 (20) и к одному входу БР2 (28);
четвертый вход (F) подключен к первому входу БУ1 (21);
пятый вход (F1) подключен к третьему входу БУ2 (22);
шестой вход (Io) подключен к одному входу БР1 (23);
седьмой вход (Uy) подключен к одному входу БД2 (29);
восьмой вход (Ryo) подключен к одному входу БР3 (30);
девятый вход (Uc) подключен к одному входу БР4 (31);
десятый вход (Uo) подключен к другому входу БР4 (31);
одиннадцатый вход (R) подключен к первому входу БУ4 (33);
двенадцатый вход (Rco) подключен к первому входу БР5 (34);
на первый выход (Rуp3) подключен выход БР3 (30);
на второй выход (Rcp3) подключен выход БР5 (34);
в БД1 (20) формируется сигнал 1= , поступающий на второй вход БУ4 (33), на один вход БУ3 (32), на третий вход БУ1 (21) и на четвертый вход БУ2 (22), где формируется сигнал 243F131 поступающий на другой вход БР1 (23), где формируется сигнал 3= (2-Io) поступающий на один вход С2 (27) и на вход КВ (24), где формируется сигнал 32, поступающий на один вход С1 (25), на другой вход которого с выхода БУ1 (21) поступает сформированный в БУ1 (21) сигнал 4= T43F1= ; в С1 (25) формируется сигнал (32+4), поступающий на вход БИК (26), где формируется сигнал 5= , поступающий на другой вход С2 (27), где формируется сигнал (Iy3+Ip) 3+5, реализующий зависимость (1), с выхода С2 (27) сигнал 6= (Iy3+Ip) поступает на третий вход БУ4 (33) и на один вход БР2 (28), где формируется сигнал Iy3 6-Ip, поступающий на другой вход БД2 (29), где формируется сигнал , поступающий на другой вход БР3 (30), где формируется сигнал, реализующий зависимость (2) Ryp3= -Rуо, в БР4 (31) формируется сигнал (Uc-Uo), поступающий на другой вход БУ3 (32), где формируется сигнал (Uc-Uo)1= (Uc-Uo) , поступающий на второй вход БР5 (34), в БУ4 (33) формируется сигнал R(Ip+Iу3)1= , поступающий на третий вход БР5 (34), где формируется сигнал, реализующий зависимость(3) Rcр3= Rco- (Ip+Iу3), поступающий на второй выход ФСУ17.

Сигнал Rcp3 со второго выхода ФСУ17 поступает на один вход МО1 (14), на другой вход которого поступает сигнал обратной связи по выходному сигналу Rcp. МО1 (14) может быть выполнен, например, на интегрирующем двигателе, тогда
(Rср3-Rср) Rср, Rср= (здесь Т постоянная времени, Р оператор дифференцирования), Rcp R1-e , откуда следует, что через время t > 3T Rcp Rcp3, т.е. Rcpотрабатывается на заданную величину Rcp3. МО2 (15) и МО3 (19) по исполнению аналогичны МО1 (14). Сигнал Ryp3 с первого выхода ФСУ17 отрабатывается МО2 (15), на выходе которого Ryp R1-e соответственно при t > 3T, Ryp Ryp3. Сигнал 3 с первого выхода ЗПР (16) через МО3 (19) отрабатывает параметр регулируемой заслонки (дозатора) 5: 1-e соответственно при t > 3T, 3
Таким образом достигается технический результат заданный поток частиц 6 исходного материала в соответствии с отработанным 3 в ПП18 нагреваются до заданной температуры Т43, при оптимальном токе дугового разряда Ip в соответствии с заданными Rcp3, Ryp3.

Проведены исследования на экспериментальной установке, подтверждающие возможность формирования из сыпучих материалов (кварцевый песок), нагреваемых до температуры 2000-7000оС, изделий с заданными переменными структурой, плотностью, качеством поверхности.


Формула изобретения

Устройство для тепловой обработки потока огнеупорных сыпучих материалов, содержащее разрядную камеру, два стержневых электрода, магнитопровод с охватывающим разрядную камеру ярмом и установленными в плоскости, перпендикулярной плоскости установки электродов, двумя полюсными наконечниками, на которых размещены обмотка стабилизации с выводами, подключенными к источнику постоянного тока питания дуги газового разряда, и обмотка управления с выводами, подключенными к автономному источнику питания постоянного тока, бункер подачи исходного сыпучего материала, отличающееся тем, что в него введены включенное между одним электродом и одним концом обмотки стабилизации регулируемое сопротивление стабилизации, включенное между концами обмоток управления регулируемое сопротивление управления, задатчик параметров работы и формирующий на своих первом и втором выходах соответственно сигналы заданных величин регулируемого сопротивления стабилизации и регулируемого сопротивления управления формирователь сигналов управления, на первый двенадцатый входы которого подключены первый - двенадцатый выходы задатчика параметров работы, отрабатывающий регулируемое сопротивление стабилизации первый механизм отработки, на один вход которого подключен его выход, а на другой вход второй выход формирователя сигналов управления, отрабатывающий регулируемое сопротивление управления второй механизм отработки, на один вход которого подключен его выход, а на другой вход первый выход формирователя сигналов управления, дозатор, отрабатываемый третьим механизмом отработки, на один вход которого подключен его выход, а на другой вход первый выход задатчика параметров работы.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к плазменной технике, а именно к устройствам для создания сильных магнитных полей, предназначенных для удержания плазмы в вакуумных тороидальных камерах установок типа токамак

Изобретение относится к плазменной технике и может быть использовано при термической и плазмохимической обработке поверхностей изделий, а также напылении порошков и аэрозолей

Изобретение относится к плазменной технике и может быть использовано в различных технологических операциях, а именно для плазменной резки, сварки, наплавки и т.д

Изобретение относится к плазменной технике и может быть использовано в различных технологических операциях, а именно для плазменной резки, сварки, наплавки и т.д

Изобретение относится к плазмохимической технологии и может быть использовано, например, при синтезе композиционных и тугоплавких дисперсных (порошковых) материалов из конденсированных и газообразных исходных реагентов

Изобретение относится к измерительной технике для исследования характеристик низкотемпературной плазмы

Изобретение относится к области генерации СВЧ-плазмы и может найти применение при проведении плазмохимических реакций в гомогенных (газах, жидкостях) и гетерогенных средах, включая устранение экологически вредных примесей в выбросах промышленного и бытового характера, локальной и дистанционной очистки атмосферы Земли; в плазменной обработке материалов, включая травление поверхности материалов, напыление, модификацию поверхности материалов, плазменную очистку порошков; при создании плазменных объектов в атмосфере Земли, включая высотные плазменные зеркала для дальней радиосвязи, плазменные антенны, плазменные образования вокруг летательных аппаратов; при проведении научно-исследовательских работ, особенно в исследованиях, требующих пространственно-временной стабильности получения СВЧ-разрядов при низких уровнях СВЧ-мощности и в широком диапазоне давлений газовых сред; в учебных целях, в том числе для демонстрации основных закономерностей зарождения и развития СВЧ-разрядов в газах и их структурных форм, основ плазмохимии; для создания компактных, маломощных и легко транспортируемых установок, создающих СВЧ-плазму, например для проведения спектрального анализа загрязнения почв, других задач аналитической спектрометрии и экологического контроля; в медицинских и биологических приложениях, в том числе в целях дезинфекции и стерилизации объектов и инструмента

Изобретение относится к космической технике, в частности к электрореактивным двигательным установкам, и плазменно-вакуумной технологии, в частности к исполнительным органам систем напыления, сухого травления, ионной очистки материалов, и может использоваться в областях прикладного применения плазменных ускорителей

Изобретение относится к плазменной технике, а именно к устройствам для создания сильных магнитных полей, предназначенных для удержания плазмы в вакуумных тороидальных камерах установок типа токамак

Изобретение относится к плазменной технике и может быть использовано при термической и плазмохимической обработке поверхностей изделий, а также напылении порошков и аэрозолей

Изобретение относится к способу охлаждения пучка заряженных частиц в устройстве управления электронным пучком, таком как световой генератор синхротронного излучения, накопительное кольцо электронного пучка, электронный ускоритель и т

Изобретение относится к плазменной технике и может быть использовано в различных технологических операциях, а именно для плазменной резки, сварки, наплавки и т.д

Изобретение относится к плазменной технике и может быть использовано в различных технологических операциях, а именно для плазменной резки, сварки, наплавки и т.д

Изобретение относится к плазмохимической технологии и может быть использовано, например, при синтезе композиционных и тугоплавких дисперсных (порошковых) материалов из конденсированных и газообразных исходных реагентов

Изобретение относится к измерительной технике для исследования характеристик низкотемпературной плазмы

Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано при разработке и усовершенствовании индукционных ускорителей и накопительных установок с внешней инжекцией ускоряемых частиц

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к устройствам для нанесения покрытий в вакууме
Наверх