Шихта для выращивания иттрий-алюминиевого граната

 

Шихта для выращивания иттрий-алюминиевого граната из расплава, включающая оксиды иттрия, алюминия, иттербия и один из элементов IV группы (цирконий, гафний, кремний), отличающаяся тем, что она дополнительно содержит оксиды редкоземельных элементов (от лантана до тербия) или их смесь при следующем соотношении компонентов, мас.%: Оксид иттрия - 20,71 - 56,47 Оксид иттербия - 0,5 - 30,0 Диоксид элемента IV группы - 0,02 - 0,2 Оксид редкоземельного элемента или их смесь - 0,005 - 15 Оксид алюминия - Остальное



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к монокристаллическим материалам, в частности к эпитаксиальным феррит-гранатовым структурам (ЭФГС) на основе железо-иттриевого граната (ЖИГ), и может быть использовано при разработке и изготовлении малогабаритных планарных сверхвысокочастотных (СВЧ) приборов на поверхностных магнитостатических волнах (ПМСВ)

Изобретение относится к технологии тонкопленочных материалов и может быть использовано для получения сверхпроводящих, каталитических материалов, в магнитооптике, лазерной технике, интегральной оптике, СВЧ-технике
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов и промышленно применимо при производстве монокристаллических пленок феррит-гранатов, предназначенных для использования в различных магнитооптических устройствах и запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к получению монокристаллов для лазерной техники
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий

Изобретение относится к области искусственных монокристаллов и может быть использовано в ювелирной промышленности при изготовлении вставок в ювелирные изделия, иммитирующих изумруд, аквамарин, сапфир, аметист

Изобретение относится к области искусственных монокристаллов и может быть использовано в ювелирной промышленности при изготовлении вставок в ювелирные украшения, имитирующих изумруд, аквамарин, сапфир, аметист

Изобретение относится к оптическим материалам, используемым для регистрации -квантов и электронов в физике высоких энергий

Изобретение относится к конденсаторостроению и может быть использовано при разработке конденсаторов различных устройств радиоэлектроники, а также конденсаторов сглаживания пиковых перегрузок сетей электропитания

Изобретение относится к химической технологии и может быть использовано при производстве аморфных материалов в макроскопическом объеме

Изобретение относится к области получения крупных монокристаллов сверхпроводников из расплава системы Bi Sr Ca Cu O и может быть использовано в качестве оптических линий задержки в видимом и инфракрасном диапазонах, как электрические контакты и прерыватели для работы при низких температурах

Изобретение относится к составам шихты для получения ювелирных кристаллов тугоплавких оксидов на основе диоксида циркония, обладающих опалесценцией
Изобретение относится к области физики твердого тела

Изобретение относится к области физики твердого тела, а именно к материалам для нелинейной оптики, и может быть использовано в различных устройствах квантовой электроники

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6
Наверх