Способ изготовления магниторезистора

 

Использование: в измерительной технике, в приборостроении. Сущность изобретения: после нанесения металлических нитей решетки на диэлектрическую подложку эти нити подвергают деформации. Причем нити, предназначенные для расположения параллельно магнитным силовым линиям, сжимают, а нити, предназначенные для перпендикулярного расположения к магнитным силовым линиям, растягивают. Указанная последовательность операций повышает чувствительность магниторезистивной решетки к магнитному полю.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в приборостроении.

Известен способ изготовления магниторезисторов, когда его чувствительный элемент напыляется в виде тонкой ферромагнитной пленки на твердое основание (Г. И. Котенко. Гальваномагнитные преобразователи и их применение. Л. Энергоиздат, 1982, с.13 16).

Такой магниторезистор обладает низкой чувствительностью к магнитному полю.

Известен также способ, взятый за прототип (патент США N 3949346, кл. 338/32), где магниторезистор представляет собой меандр (магниторезистивная решетка) на твердой и гибкой подложке, изготовленный с помощью фотолитографии из тонкой напыленной пленки или фольги.

Такой магниторезистор также не обладает высокой чувствительностью к магнитному полю. Магниторезистор, выполненный по этому способу, например, из никеля, изменяет свое сопротивление при внесении в магнитное поле напряженностью 500 Э на 1% Для датчиков с высокой точностью такая чувствительность недостаточна.

Цель изобретения повышение чувствительности магниторезистора к магнитному полю.

Цель достигается, что нити решетки подвергают линейной деформации, причем нити, предназначенные для расположения параллельно магнитным силовым линиям, подвергают деформации сжатия, а нити, предназначенные для расположения перпендикулярно силовым линиям, подвергают деформации растяжения.

Способ можно понять из приведенной ниже таблицы относительного изменения сопротивления магниторезисторов в зависимости от деформации нитей при внесении их в магнитное поле напряженностью 500 Э.

Как видно из таблицы, нити, параллельные магнитным силовым линиям, наиболее чувствительны к магнитному полю при деформации сжатия. При этом изменение сопротивления (-21200 мкОм/Ом) в 2 раза больше, чем изменение сопротивления на недеформированной нити (-11300 мкОм/Ом). Нити, перпендикулярные магнитным силовым линиям, наиболее чувствительны к магнитному полю при деформации растяжения. При этом увеличение сопротивления (+21200 мкОм/Ом) в 2 раза больше, чем изменение сопротивления у недеформированной нити.

Для реализации способа изготавливают магниторезисторы известными способами, т. е. с помощью фотолитографии формируют магниторезистивную решетку. Тонкопленочные магниторезисторы сразу напыляют на твердое основание, а фольговые магниторезисторы на гибкой подложке наклеивают на твердое основание. Твердое основание затем подвергают деформации растяжения или сжатия.

Формула изобретения

Способ изготовления магниторезистора, включающий формирование на диэлектрической подложке металлических нитей магниторезистивной решетки, отличающийся тем, что нити решетки подвергают линейной деформации, причем нити, предназначенные для расположения параллельного магнитным силовым линиям подвергают деформации сжатия, а нити предназначенные для расположения перпендикулярно магнитным силовым линиям подвергают деформации растяжения.

РИСУНКИ

Рисунок 1