Ионный источник

 

Использование: техника получения ионных пучков, в частности, для получения пучков многозарядных ионов и высокозарядных ионов, включая ядра, полностью лишенные электронов. Сущность изобретения: в ионном источнике, содержащем электронную пушку, состоящую из катода, анода и фокусирующего электрода, структуру дрейфа электронов, коллектор электронов, фокусирующую магнитную систему и систему ввода рабочего вещества, катод выполнен из собственно катода и окружающего его катодного диска с отверстием в центре, напротив электронной пушки за структурой дрейфа введен узел отражателя электронов, содержащий собственно отражатель с отверстием в центре, фокусирующий электрод и анод. Коллектор электронов с отверстием вдоль оси установлен за анодом электронной пушки перед анодом отражателя. 3 з.п. 1 ил.

Изобретение относится к технике получения ионных пучков и может быть использовано при получении пучков многозарядных ионов и высокозарядных ионов, включая ядра, полностью лишенные электронов.

Известен источник многозарядных ионов, в котором ионизация атомов рабочего вещества осуществляется электронным пучком в магнитном поле [1] В данном ионном источнике катод и анод с сеткой образуют электронную пушку, которая расположена в магнитном поле. Генерируемый пушкой протяженный электронный пучок проходит вдоль оси камеры ионизации и высаживается на электронный коллектор. Имеется устройство для подачи атомов рабочего вещества в ионизационную камеру. Ионы рабочего вещества, образующиеся в процессе бомбардировки электронным пучком, вытягиваются из камеры ионизации поперек магнитного поля, для чего в камере установлены соответствующие электроды. Недостатком такого ионного источника является относительно низкая предельная зарядность получающихся ионов, а также низкая интенсивность ионных пучков.

В качестве прототипа рассмотрим электронно-лучевой ионный источник, который содержит электронную пушку, состоящую из катода, анода и фокусирующего электрода, секционированную структуру дрейфа электронов, коллектор электронов, фокусирующую магнитную систему, систему ввода рабочего вещества, вакуумный кожух и систему вакуумной откачки [2] В электронно-лучевом ионном источнике электроны, эмиттированные катодом, ускоренные и сфокусированные с помощью анода и фокусирующего электрода, образуют протяженный электронный пучок, который проходит внутри секционированной структуры дрейфа. Сильное продольное магнитное поле фокусирующего соленоида удерживает электронный пучок так, что он сохраняет размер своего поперечного сечения на протяжении всей длины структуры дрейфа. После выхода из магнитного поля электронный пучок расфокусируется и попадает на внутреннюю поверхность охлаждаемого электронного коллектора.

Низкозарядные ионы рабочего вещества вводятся импульсно в электронный пучок и удерживаются в нем его собственным пространственным зарядом и электрическими потенциальными барьерами на оконечных секциях структуры дрейфа. По прошествии определенного времени под действием электронной бомбардировки ионы достигают высокой зарядности и выводятся из ловушки вдоль электронного пучка в направлении прикладываемого к структуре дрейфа градиента электростатического потенциала (обычно в направлении электронного коллектора), покидая источник через отверстие в электронном коллекторе.

Электронно-лучевой ионный источник позволяет получать ионы предельно высоких зарядностей, такие как, например, Кr36+ и Хе54+. Однако недостатком этого типа ионного источника является то, что электроны пучка лишь однократно пролетают внутри ионной ловушки, что приводит к необходимости применения пучков больших токов (до 10 А и более) с целью увеличения количества получаемых ионов. Применение столь больших электронных токов вызывает значительные технические сложности, связанные как с отводом рассеиваемой на элементах источника мощности, так и с поведением ионэлектронной системы. В результате в настоящее время эффективно используются электронные пучки в 0,1-0,2 А, что приводит к соответствующему ограничению интенсивности ионных пучков из источника.

Целью изобретения является увеличение интенсивности ионных пучков из ионного источника и уменьшение мощности, рассеиваемой на его элементах.

Это достигается тем, что в предлагаемом ионном источнике, содержащем электронную пушку (ЭП), состоящую из катода, анода и фокусирующего электрода, структуру дрейфа электронов, коллектор электронов, фокусирующую магнитную систему, систему ввода рабочего вещества и вакуумный кожух, катод выполнен из двух частей: собственно катода, способного испускать электроны, и окружающего его катодного диска с отверстием в центре, на противоположном относительно электронной пушки конце структуры дрейфа соосно с последней установлен узел отражателя электронов, состоящий из собственно отражателя с отверстием в центре, фокусирующего электрода отражателя электронов и анода отражателя электронов, установленного перед собственно отражателем соосно с последним, а коллектор электронов, имеющий отверстие вдоль оси, установлен непосредственно за анодом электронной пушки и (или) перед анодом отражателя электронов.

Кроме того, для расширения возможностей ввода и экстракции ионов собственно катод ЭП выполнен в виде кольца или одного или нескольких эмиттеров электронов, расположенных в отверстии катодного диска, смещенно от его центра, при этом собственно отражатель электронов может не содержать отверстия в центре.

На фиг. 1 схематически изображен предлагаемый источник ионов.

За исключением собственно катода 1 все элементы электронно-оптической системы и дрейфовой структуры 2-11 установлены на оси магнитного поля фокусирующего соленоида 12.

Необходимым условием работы ионного источника является создание в его объеме сверхвысокого вакуума и сильного фокусирующего магнитного поля. Все элементы системы заключены в вакуумный кожух 14.

Ионный источник работает следующим образом.

На собственно катод 1 и катодный диск 2 подается отрицательное напряжения Ukаt, а на собственно отражатель электронов 8 несколько более отрицательное напряжение Uое, так что Ukаt Uое, при этом потенциалы анода ЭП 4 и анода отражателя электронов 11, а также обоих коллекторов электронов 5 и 8 поддерживаются, например, равными нулю. На фокусирующий электрод ЭП 3 подается напряжение более отрицательное, чем на катод, а на фокусирующий электрод отражателя электронов 10 более отрицательное, чем на собственно отражатель 9. На структуру дрейфа электронов подается положительное напряжение с градиентом, например, в направлении отражателя электронов ОЭ. При включении подогрева собственно катода испускаемые им электроны ускоряются потенциалом анода ЭП, пролетают через отверстие ЭК1 5 внутрь структуры дрейфа электронов 6 и далее через отверстие ЭК2 8 и анода ОЭ 11 попадают в тормозящее электрическое поле отражателя ОЭ 9. Здесь электроны сначала замедляются, а потом отражаются от ОЭ 9, поскольку Uое Ukаt. На обратном пути электроны вновь ускоряются анодом ОЭ, проходят структуру дрейфа, ЭК1, анод ЭП и, затормозившись в поле катода ЭП, отражаются обратно. Магнитное поле фокусирующего соленоида 12 удерживает электроны на их траекториях. Однако по мере увеличения числа отражений и накопления отрицательного пространственного заряда осциллирующих электронов, их траектории все больше смещаются от оси системы в радиальном направлении, что приводит к высадке электронов на коллектор электронов ЭК1 и ЭК2, а также на анод ЭП и анод ОЭ.

Экспериментально показано, что число отражений электронов может достигать 200 и более. Таким образом, при отборе электронного тока с собственно катода, например в 1мл эффективный электронный ток ионизирующего пучка составляет 200 мл.

Процесс инжекции, удержания и вывода ионов из пучка осциллирующих электронов осуществляется так же, как и в обычном электронно-лучевом ионном источнике. А именно: в начальный момент времени цикла ионизации на оконечных секциях структуры дрейфа 7а, б создаются потенциальные барьеры. Через элемент 13 системы ввода рабочего газа в структуру дрейфа вводится рабочий газ при низком (около 10-7 мм рт.ст.) давлении. Через определенное время потенциальный барьер подается на оконечную секцию 7в, а с оконечной секции 7б барьер снимается. Ионы рабочего газа удерживаются в пучке осциллирующих электронов между барьерами 7а и 7в. Под действием электронной бомбардировки зарядность ионов увеличивается, при достижении ионами нужной зарядности потенциалы секций структуры дрейфа между секциями 7а и 7б увеличиваются с одновременным созданием выводящего ионы градиента электрического потенциала. После вывода ионов через отверстие в собственно отражателе электронов цикл ионизации повторяется.

Таким образом, применение предлагаемого источника ионов позволяет значительно (более чем в 100 раз) снизить рассеиваемую на элементах источника мощность, не уменьшая эффективность ионизации.

При необходимости инжектирования ионов рабочего вещества и/или вывода ионов из источника через катод ЭП центральная часть электронной пушки может быть освобождена путем выполнения собственно катода в виде кольца или одного или нескольких эмиттеров электронов смещенно от оси ЭП.

Формула изобретения

1. Ионный источник, содержащий электронную пушку, состоящую из катода, анода и фокусирующего электрода, структуру дрейфа электронов, коллектор электронов, фокусирующую магнитную систему, систему ввода рабочего вещества и вакуумный кожух, отличающийся тем, что катод выполнен из двух частей - собственно катода, способного испускать электроны, и окружающего его катодного диска с отверстием в центре, на противоположном относительно электронной пушки конце структуры дрейфа соосно с последней установлен узел отражателя электронов, состоящий из собственно отражателя с отверстием в центре, фокусирующего электрода отражателя электронов и анода отражателя электронов, установленного перед собственно отражателем соосно с последним, а коллектор электронов, имеющий отверстие вдоль оси, установлен непосредственно за анодом электронной пушки и/или перед анодом отражателя электронов.

2. Источник по п.1, отличающийся тем, что собственно катод электронной пушки выполнен в виде кольца.

3. Источник по п.1, отличающийся тем, что собственно катод электронной пушки смещен относительно центра катодного диска.

4. Источник по п.1, отличающийся тем, что катод содержит несколько собственно катодов, смещенных относительно центра катодного диска.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике получения пучков ионов, а именно ионов щелочных металлов

Изобретение относится к устройствам для получения интенсивных пучков ионов газов и может быть использовано для ионно-лучевой технологии в вакууме

Изобретение относится к технологическим газоразрядным источникам заряженных частиц

Изобретение относится к разработке источников ионов и может найти применение в радиационной физике, для модификации физико-химических свойств металлов и сплавов, диэлектриков и полупроводников методом ионной имплантации

Изобретение относится к отжигу полупроводниковых пластин и может быть использовано в технологических линиях по изготовлению приборов

Изобретение относится к ускорительной технике.- Цель изобретения - упрощение конструкции за счет уменьшения Э1)фективного змнттанса пучка ионов, в одиночной лннзе ионно-оптнческой системы, содержащей три последовательно и соосно расположенных цилиндрических злектрода, в выходном торце последнего цилиндрического злектрода линзы расположена диафрагма с центральным отверстием, диаметр d которого и длина L злектрода удовлетв оряют соотношениям d 0,25-0,4D, L 0,2-0,31), где D - апертура линзы

Изобретение относится к источникам ионов и может найти применение в ускорительной технике, в радиационной физике, для улучшения физико-химических свойств полупроводников, диэлектриков и металлов путем имплантации в них различных примесей в виде ускоренных ионов

Изобретение относится к устройствам для получения моноэнергетичных интенсивных пучков ионов различных газов, в том числе активных, и может быть использовано для различных технологических операций в вакууме (травление подложек, нанесение пленок, легирование и т.д.), а также для научных экспериментов

Изобретение относится к ионным источникам и может найти применение в радиационной физике для модификации физико-хпмических свойств материалов методом ионной имплантации

Изобретение относится к технике получения плазмы и генерации интенсивных ионных пучков с большим поперечным сечением

Изобретение относится к газоразрядным генераторам плазмы, в том числе к генераторам эмитирующей ионы плазмы устройств для ионно-плазменной обработки изделий и источников ионов для обработки изделий ионным пучком

Изобретение относится к технике получения пучков ускоренных частиц, в том числе к технологии обработки изделий пучком большого сечения ускоренных частиц в вакууме с целью очистки и нагрева изделий для повышения адгезии наносимых покрытий, с целью упрочнения и модификации поверхности имплантацией ускоренных частиц, а также для полировки поверхности и распыления материалов

Изобретение относится к источникам ионов, может быть использовано в технологических целях для имплантации ионов, электромагнитного разделения изотопов и в других приложениях

Изобретение относится к ионно-плазменной технике и может быть использовано для получения ленточных пучков ионов, применяемых для ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого травления материалов, очистки, активации и полировки поверхности деталей, а также для нанесения пленок в вакууме

Изобретение относится к газоразрядным генераторам плазмы, в том числе к генераторам эмиттирующей ионы плазмы устройств для ионно-плазменной обработки изделий и источников ионов для обработки изделий ионным пучком

Изобретение относится к источникам ионов и может быть использовано в технологических целях для имплантации ионов, электромагнитного разделения изотопов

Изобретение относится к вакуумно-плазменной технике, к источникам пучков большого поперечного сечения ионов и/или быстрых нейтральных молекул инертных и химически активных газов, а именно к плазменным эмиттерам ионов с большой эмиссионной поверхностью
Наверх