Устройство для выращивания монокристаллов
Устройство для выращивания монокристаллов, включающее камеру роста, тигель для расплава, расположенный в полости нагревателя и, средство подачи исходного материала в тигель в виде установленных в герметичном корпусе с загрузочным люком поворотного контейнера, питателя и вакуумного шибера, отличающееся тем, что корпус выполнен из двух камер, в одной из которых расположен поворотный контейнер, а в другой - питатель, и снабжен установленным между камерами бункером - накопителем с датчиком уровня материала, а вакуумный шибер закреплен в верхней части бункера.
Похожие патенты:
Лазерное вещество // 2066352
Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при разработке лазеров инфракрасного диапазона
Сцинтилляционный материал // 2059026
Изобретение относится к технике для регистрации и спектрометрии ионизирующих излучений, в частности к сцинтиляционным материалам
Сцинтилляционный материал // 2031987
Изобретение относится к области сцинтилляционных материалов, используемых для регистрации и спектрокопии ионизирующих излучений
Окрашенный монокристалл // 2026897
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий
Изобретение относится к области искусственных монокристаллов и может быть использовано в ювелирной промышленности при изготовлении вставок в ювелирные изделия, иммитирующих изумруд, аквамарин, сапфир, аметист
Изобретение относится к области искусственных монокристаллов и может быть использовано в ювелирной промышленности при изготовлении вставок в ювелирные украшения, имитирующих изумруд, аквамарин, сапфир, аметист
Способ получения монокристаллов кремния // 1773955
Изобретение относится к технике сцинтилляционных детекторов на базе ортогерманата висмута В14Сез012, применяемых в физике высоких энергий, в дозиметрии, в сцинтилляционных экранах для сканирующих электронных микроскопов, компьютерной томографии и в радиационной технике, связанной с эксплуатацией ядерно-энергетических установок, гамма-картонажных геофизических устройств для ионной имплантации
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)
Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении монокристаллов кремния методом Чохральского
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния по методу Чохральского, в частности к устройствам для повторной загрузки материала в тигель, и может быть использовано на установках выращивания монокристаллов кремния, оборудованных шлюзовым устройством для обеспечения полунепрерывного выращивания монокристаллов
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано для создания устройств для выращивания монокристаллов сапфира
Способ получения монокристалла вольфрамата // 2241081
Устройство для непрерывного группового выращивания ориентированных слоев кремния на углеродной ткани // 2258772
Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей)
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката (лангасита) методом Чохральского, используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах, а также разнообразных пьезоэлектрических и пьезорезонансных датчиков
Изобретение относится к технологии получения кристаллов с триклинной сингонией
Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов хризоберилла и его разновидностей, в том числе его хромсодержащей разновидности - александрита, и может быть использовано для получения высококачественного ограночного сырья в ювелирной промышленности и для изготовления элементов квантовой электроники
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной, химической промышленности, в ювелирном деле
