Способ получения пучка ионов и устройство для его осуществления

 

Назначение: ионная техника. Техническим результатом изобретения является повышение интенсивности тока в пучке ускоренных ионов при неизменной мощности в газовом разряде. Сущность изобретения: в плазму разряда помещают дополнительный электрод с малой рабочей поверхностью стенок разрядной камеры и подают на него положительный потенциал по отношению к разрядной камере, чем сосредотачивают на его рабочей поверхности полный ток разряда и повышают концентрацию плазмы и температуру электронов. Одновременно с этим в объеме плазмы образуют дрейфовый поток всех видов заряженных частиц плазмы в скрещенных E x B полях к экстракцинной щели поперек силовых линий магнитного поля вдоль стационарного электрического слоя, образующегося в плазме без нарушения ее квазинейтральности, вызывая повышение концентрации плазмы у щели и плотности тока в пучке ускоренных ионов при неизменном режиме разряда. 3 с. и. 8 з. п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к источникам ионов и может быть использовано в технологических целях для имплантации ионов, электромагнитного разделения изотопов для нанесения покрытий на поверхности с различными целями.

Известен способ получения пучка ионов и устройство ионного источника для его осуществления [1] в которых с помощью образования двойного электрического слоя в плазме разряда создают поток быстрых электронов, что приводит к контрагированию плазмы в магнитном поле и значительному повышению концентрации зарядов. В источнике ионов используется дополнительный электрод, к которому подсоединено сопротивление, изменяющее потенциал этого электрода с целью увеличения интенсивности ионного тока в пучке ускоренных ионов, величина которого возрастает также и при увеличении индукции магнитного поля, в котором работает источник ионов.

Основные недостатки этого способа и ионного источника состоят в сложной системе образования необходимой конфигурации магнитного поля и в относительно небольшой величине тока в пучке ионов.

Ближайшим техническим решением является способ получения пучка ускоренных ионов из газового разряда [2] включающий наложение на разряд скрещенных электрического и магнитного полей, когда плоскость, образованная векторами электрического и магнитного полей, параллельна плоскости экстракционного отверстия, направление упомянутых полей устанавливают из условия направленности скорости дрейфа плазмы к экстракционному отверстию в ограничивающей разряд стенке, извлечение, формирование и ускорение пучка ионов осуществляют с помощью электростатической ионно-оптической системы.

Известный способ обладает недостатком, в нем поток заряженных частиц плазмы к экстракционному отверстию осуществляется транспортировкой в скрещенных ExB полях, когда плоскость этих векторов параллельна плоскости извлекающего отверстия, что вызывает необходимость использования дополнительного электрода с большей поверхностью. При этом плотность разряда получалась недостаточной для интенсивного протекания процессов диссоциации сложных молекул в разряде (например BF3) и ионизации атомов и ионов в условиях использования источников ионов на эксплуатирующихся импланторах при заданных параметрах разряда в источнике для сохранения срока службы его катода.

Известен источник ионов [3] с протяженным катодом, в котором введены в проходные изоляторы катода два вспомогательных электрических изолированных электрода, торцовые стороны поверхности которых находятся в разрядной камере у концов катода. С помощью подачи потенциалов на эти электроды удалось повысить ток ионов B+ в пучке на 20% Недостатками этого источника ионов являются снижение надежности его работы вследствие образования проводящих слоев на поверхностях изоляторов в результате оседания пленок вольфрама с катода и небольшое увеличение тока в пучке ускоренных ионов.

Ближайшим техническим решением (1 вариант осуществления предлагаемого способа) является источник ионов Фримана [4] использующийся на 95% импланторов для средних и больших токов в пучках ускоренных ионов, включающий разрядную камеру, продольная ось которой расположена вдоль силовых линий внешнего магнитного поля источника ионов, изолированный прямоканальный протяженный катод, установленный в камере параллельно оси разрядной камеры во втулках-изоляторах, размещенных в отверстиях торцовых стенок, напротив экстракционной щели, выполненной в боковой стенке разрядной камеры, схему питания, в которой отрицательный полюс источника напряжения разряда подсоединен к концу катода, а положительный полюс его подсоединен к разрядной камере, схему экстракции, формирования и ускорения пучка ионов электронной оптики.

Основной недостаток этого источника ионов состоит в резком снижении интенсивности тока в пучке ускоренных ионов в зависимости от увеличения внешнего магнитного поля источника, в котором он работает, а в слабых магнитных полях вследствие большой подвижности заряженных частиц поперек магнитного поля и соответственно малого времени удержания заряженных частиц в разряде, низкой концентрации плазмы и температуры электронов молекулы BF3 не успевают претерпеть существенных диссоциативно-ионизационных преобразований и доминирующим пиком в спектре ионов является BF2⁺, а соотношение токов B⁺/BF2⁺ 0,3 получается очень низким, ток ионов B⁺ составляет небольшую величину. Кроме того, в этом источнике возникает вокруг катода ротационная неустойчивость плазмы разряда, приводящая к нарушению стабильности в токе пучка ускоренных ионов.

Известен источник ионов [5] работающий в продольном магнитном поле с боковой экстракцией ионов, в котором у противоположных торцовых стенок расположены отражатель и прямолинейный катод, который выполнен в виде элемента, изготовленного из материала, более стойкого к ионному распылению, чем вольфрам, припаенного к графитовой подложке, конец катода электрически соединен с разрядной камерой и подсоединен к отрицательному полюсу разрядного напряжения, а положительный полюс его подсоединен к изолированному аноду, расположенному в разрядной камере так, что вектор скорости дрейфа плазменных электронов в разрядной камере в скрещенных электрическом и магнитном полях направлен в сторону щелевого отверстия.

Основные недостатки источника состоят в большой мощности, необходимой для нагревания катода, которая превышает заложенные возможности в эксплуатирующихся импланторах, и использовании анода с развитой поверхностью.

Ближайшим техническим решением осуществления предлагаемого способа (2 вариант) является источник типа Бернье [6] эксплуатирующийся на импланторах, включающий разрядную камеру, продольная ось которой расположена вдоль силовых линий внешнего магнитного поля источника ионов, продольную экстракционную щель, выполненную в боковой стенке разрядной камеры, изолированный прямоканальный катод, выполненный из тугоплавкого материала, размещенный у торца разрядной камеры во втулках-изоляторах, изолированный электрод-отражатель, расположенный напротив катода у противоположной стенки камеры, схему питания, в которой отрицательный полюс источника напряжения разряда подсоединен к концу катода, а положительный полюс его подсоединен к разрядной камере, электрод-отражатель подсоединен к отрицательному полюсу источника напряжения в осциллирующем режиме разряда или к разрядной камере при работе источника в прямом режиме разряда.

Основные недостатки источника состоят в относительно небольшой плотности ионного тока, низком содержании одноразрядных ионов бора в пучке извлекаемых ионов.

Техническим результатом изобретения является повышение диссоциативно-ионизационных процессов в газовом разряде, интенсивности тока в пучке ускоренных ионов, содержания в нем атомарных одно/многозарядных ионов при неизменной мощности в газовом разряде и сохранении срока службы катода источника ионов, повышение интенсивности тока ионов бора B⁺ в пучке ускоренных ионов на облучаемой мишени имплантора при доминирующем пике B⁺ в спектре пучка ионов, повышение стабильности тока в пучке ускоренных ионов вследствие устранения ротационной неустойчивости в источнике ионов без конструктивных изменений в импланторах.

Технический результат достигается тем, что в способе получения пучка ионов из газового разряда, включающем наложение на разряд скрещенных электрического и магнитного полей, расположение которых устанавливают из условия направленности скорости дрейфа плазмы к экстракционному отверстию в ограничивающий разряд стенке, извлечение, формирование и ускорение пучка ионов осуществляется с помощью электростатической ионно-оптической системы, при этом разряд локализуют на смещенной от экстракционного отверстия рабочей поверхности дополнительного электрода, обращенной к середине разряда, малой по сравнению с поверхностью разрядной камеры для повышения концентрации и температуры электронов плазмы при неизменной мощности в разряде, образования двойного электрического слоя в плазме разряда без нарушения ее квазинейтральности и обеспечения дрейфа заряженных частиц плазмы вдоль двойного электрического слоя путем подачи на дополнительный электрод, по отношению к разрядной камере, положительного потенциала от добавочного источника электропитания, при этом величину магнитного поля изменяют до получения максимальной интенсивности тока в пучке ускоренных ионов; кроме того, технический результат достигается тем, что в источнике ионов для осуществления способа, включающем разрядную камеру, продольная ось которой расположена вдоль силовых линий магнитного поля источника ионов, изолированный прямоканальный протяженный катод, установленный в камере параллельно оси напротив экстракционной щели, выполненный в боковой стенке разрядной камеры, схему питания, в которой отрицательный полюс источника напряжения разряда подсоединен к концу катода, а положительный полюс его подсоединен к разрядной камере, схему экстракции, формирования и ускорения пучка ионов электродами ионной оптики, при этом в источник ионов введен изолированный дополнительный электрод с узкой протяженной рабочей поверхностью, параллельной оси разрядной камеры и обращенной к катоду, место расположения которой в разрядной камере выбрано так, что вектор скорости дрейфа заряженных частиц плазмы в разрядной камере в скрещенных электрическом E и магнитном B полях направлен к экстракционной щели, причем дополнительный электрод соединен с положительным полюсом добавочного источника электропитания по отношению к разрядной камере, а величину магнитного поля измеряют до получения максимальной интенсивности тока в пучке ускоренных ионов; и технический результат достигается тем, что в источнике ионов для осуществления способа, включающем разрядную камеру, продольная ось которой расположена вдоль силовых линий внешнего магнитного поля источника ионов, продольную экстракционную щель, выполненную в боковой стенке разрядной камеры, изолированный катод, размещенный у торца разрядной камеры, изолированный электрод-отражатель, расположенный напротив катода у противоположной стенки камеры, схему питания, в которой отрицательный полюс источника напряжения разряда подсоединен к катоду и электроду-отражателю, а положительный полюс его подсоединен к разрядной камере, при этом источник ионов снабжен изолированным дополнительным электродом с узкой протяженной рабочей поверхностью, параллельной оси разрядной камеры и обращенной к середине разряда, место ее расположения в разрядной камере выбрано так, чтобы вектор скорости дрейфа заряженных частиц плазмы в разрядной камере в скрещенных электрическом E и магнитном B полях был направлен к экстракционной щели, причем дополнительный электрод соединен с положительным полюсом добавочного источника электропитания по отношению к разрядной камере, а величину магнитного поля изменяют до получения максимальной интенсивности тока в пучке ускоренных ионов. Кроме того, в источнике ионов дополнительный электрод закреплен в изоляторах у торцовой камеры, а узкая протяженная поверхность его параллельна оси разрядной камеры, или закреплен в изоляторе одним концом, а узкая протяженная рабочая поверхность параллельна оси разрядной камеры или дополнительный электрод закреплен на боковой стенке разрядной камеры через изолятор, а узкая протяженная рабочая поверхность параллельна оси разрядной камеры, или дополнительный электрод закреплен через изолятор на добавочном съемном фланце и вставлен в разрядную камеру через прорезь, выполненную в боковой стенке камеры, и зафиксирован так, что узкая протяженная рабочая поверхность его параллельна оси разрядной камеры; а в схеме питания положительный полюс источника напряжения разряда подключен к дополнительному электроду, или между дополнительным электродом и разрядной камерой подключено сопротивление, выполняющее функцию добавочного источника электропитания, или один конец катода соединен с разрядной камерой, при этом роль добавочного источника электропитания выполняет разрядное напряжение, и, наконец, для осуществления прямого (однопролетного) режима разряда электрод-отражатель подсоединяют к разрядной камере.

Изобретение иллюстрируется чертежами, где на фиг.1 схематично изображен осевой разрез разрядной камеры источника ионов с прямонакальным протяженным катодом, вид сбоку, на фиг.2 вид сверху разрядной камеры без крышки, на фиг. 3 вид сверху разрядной камеры с протяженным дополнительным электродом, на фиг. 4 поперечный разрез по А-А разрядной камеры с крышкой и дополнительным электродом, на фиг. 5 консольная конструкция дополнительного электрода, на фиг.6 вариант установки и выполнения дополнительного электрода, на фиг.7 разрез по C-C фиг.6, на фиг.8 схематично показан поперечный разрез разрядной камеры источника ионов с изолированным катодом и электродом-отражателем, расположенным у противоположных торцовых стенок разрядной камеры с дополнительным электродом по фиг.6, 7. На фиг.9 приведена схема электропитания источников ионов прототипов [4, 6] на фиг.10 - подключение добавочного источника электропитания ΔU к дополнительному электроду, на фиг.11 подключение положительного полюса разрядного напряжения к дополнительному электроду, на фиг. 12 выполнение добавочного источника электропитания для дополнительного электрода в виде сопротивления, на фиг.13 - использование разрядного напряжения в качестве добавочного источника электропитания, а на фиг.14 приведены зависимости интенсивностей токов пучков ускоренных ионов от величины магнитного поля источника ионов для двух источников Фримана-Ф и Бернье-Б и их модификаций НФ и НБ, снятые в одинаковых условиях.

В предложенном способе получения пучка ионов нет определения конкретного метода образования плазмы в магнитном поле. Для его использования в плазму помещают дополнительный электрод с малой рабочей поверхностью и подают на него положительный потенциал по отношению к стенкам разрядной камеры, чем сосредотачивают на ней полный ток разряда и одновременно с этим образуют дрейфовый поток заряженных частиц в скрещенных ExB полях из объема интенсивной плазмы к экстракционному отверстию поперек силовых линий магнитного поля вдоль двойного электрического слоя, образующегося в плазме без нарушения ее квазинейтральности, вызывая повышение концентрации плазмы у отверстия и плотности ионного тока в пучке ускоренных ионов при неизменном режиме разряда. Это в приложении, например, к ионным источникам, работающим на действующих импланторах, становится значительным в связи с получением существенно увеличенных токов в пучках ускоренных ионов при сохранении времени жизни их катодов и открывшейся возможности осуществления непосредственной замены предлагаемого нового, более эффективного поколения источников ионов на работающих импланторах без каких-либо переделок в них и в системах их питания и управления. Источники ионов Фримана и Бернье [4, 6] с боковой экстракцией ионов, работающие во внешнем магнитном поле, получили наибольшее распространение на импланторах. Они имеют схожие параметры накала катодов и разрядов и взаимозаменяемы на импланторах, поэтому для интерпретации возможностей предложенного способа получения пучка ионов ниже предлагаются модификации устройств этих источников.

Известный источник ионов с протяженным катодом (см. фиг.1) содержит прямонакальный катод 1 с отражателями 2, между которыми располагается серединная рабочая область катода, превышающая по длине экстракционную щель, изоляторы катода 3, разрядную камеру 4, съемную крышку 5 с экстракционной щелью 6 и отверстие для напуска рабочего вещества 7.

На фиг. 3 7 представлены три примера выполнения модифицированных источников ионов. В них дополнительные электроды 8 закреплены в изоляторах 9. Эти варианты позволяют осуществить модификацию всех разновидностей источников ионов указанных типов, которые эксплуатируются в настоящее время на импланторах. В конструкциях фиг.3 5 дополнительные электроды изготавливают, например, из вольфрамового прутка диаметром 2 мм. На фиг.6 и 7 схематично представлено размещение изолированного дополнительного электрода 8 на боковой стенке разрядной камеры, узкой протяженной рабочей поверхностью его является торцовая скошенная поверхность, на которую идет полный ток разряда, этот электрод изготавливается, например, из молибдена. Такую форму дополнительного электрода реализуют также с использованием добавочного съемного фланца, на котором в изоляторе закрепляют дополнительный электрод, который затем вставляют в разрядную камеру через прорезь, выполненную в боковой стенке камеры, и фиксируют на ней. На фиг.8 схематично представлен продольный разрез модифицированной разрядной камеры источника ионов с катодом и электродом-отражателем, расположенным у противоположных торцовых стенок ее с использованием дополнительного электрода 8, по свей форме подобного тому, который изображен на фиг.6, 7. Здесь: прямонакальный катод 11, концы которого проходят через изоляторы 10, электрод-отражатель 12, закрепленный в изоляторе 13. Все остальные элементы в разрядной камере источника ионов подобны фиг.6, 7. С этой конструкцией, так же, как описано выше, используют добавочный съемный фланец для крепления дополнительного электрода в разрядной камере. Все модификации дополнительного электрода, приведенные на фиг.3 5, также используются с этим источником ионов. Естественно, для решения различных задач общая форма и материалы дополнительных электродов могут быть изменены при сохранении формы рабочей поверхности и ее размещения в разрядных камерах. На фиг. 9 приведена электрическая схема подключения известных источников ионов Фримана и Бернье к источнику напряжения разряда Up. Электрические схемы подключения, представленные на фиг. 10 13, также идентичны для модификаций источников ионов, в них конец катода 1 обозначен для обоих источников, несмотря на то, что на фиг. 8 он обозначен под номером 11, остальные элементы схем соответствуют позициям на фиг.1 7. Кроме этого в схемах, с целью пояснения пространственного расположения рабочей поверхности протяженного дополнительного электрода, обозначены направления векторов электрического поля E и магнитного поля B источника ионов. На фиг.10 сохранена схема включения разрядного напряжения, но от добавочного источника питания ΔU подается положительное смещение потенциала на дополнительный электрод по отношению к разрядной камере. В этой схеме включения увеличение потенциала дополнительного электрода вызывает возрастание потенциала плазмы разряда, однако при использовании схем фиг. 11 13, когда положительный полюс источника разрядного напряжения подключен к дополнительному электроду 8, он остается практически неизменен при одинаковых режимах разряда и при изменении величины ΔU.. Увеличение потенциала на дополнительном электроде по отношению к разрядной камере вызывает резкое возрастание на него электронного тока разряда и уже при ΔU=10-15 B на дополнительный электрод идет почти полный ток разряда, т. е. осуществляют локализацию заряда с целью повышения концентрации плазмы и температуры электронов. При этом в плазме разряда образуется стационарный двойной электрический слой, который транспортирует все разновидности заряженных частиц плазмы с одинаковой скоростью в скрещенных ExB полях к экстракционной щели. Это достигается использованием добавочного источника смещения ΔU, однако на эксплуатирующихся импланторах такого источника нет, поэтому вместо него устанавливают сопротивление R (фиг. 12), по которому протекает небольшая часть электронов тока разряда, и это создает автоматически необходимое смещение потенциала ΔU. Использование схемы фиг. 12 позволило изготовить эффективные источники ионов, которые устанавливают на импланторы без каких-либо механических переделок в них и изменений в их электрических схемах питания и стабилизации. И, наконец, схема фиг.13, она позволяет работать на импланторах с модифицированными источниками ионов также без переделок в них. В этом включении смещение потенциала дополнительного электрода по отношению к разрядной камере равно величине полного разрядного напряжения ΔU=Up.. Примеры зависимостей суммарных токов пучков ускоренных ионов от величины магнитного поля источника, фиг.14, сняты на стенде в одинаковых условиях при работе с азотом при указанных: подаче газа атм.см³/мин, токе и напряжении разряда и потенциала ускорения на электродах ионной оптики, с одним и тем же источником ионов типа Varian (для имплантора DF4) с размером экстракционной щели 0,23 см², но для разных конструкций источников ионов обычные источники Фримана-Ф и Бернье-Б (прототипы) и новые, изготовленные по предложенному техническому решению источники соответственно - НФ и НБ. Видно, что НФ и НБ это новые источники ионов, обладающие качественно отличными характеристиками: если для обычных источников характерно падение интенсивности токов в пучках ускоренных ионов с увеличением магнитного поля, то для новых источников характерно возрастание токов в пучках при весьма существенном улучшении их спектрального состава. К этому следует добавить, что при использовании в работе источника НФ со схемами включения фиг.10 и 11 подача смещения ΔU вызывает заметное увеличение напряжения разряда, указывающее на уменьшение электронной эмиссии с катода и требующее для восстановления режима разряда добавления в токе накала катода. Это уменьшение эмиссии происходит вследствие оттока ионов из области, близкой к поверхности катода, что и уменьшает его температуру вследствие снижения интенсивности бомбардировки его поверхности ионами и, конечно, за счет снижения ионно-электронной эмиссии с него. Следовательно, в новых источниках время жизни катодов возрастает вследствие обеднения плазмы содержанием ионов в области при одновременном увеличении токов в пучках ускоренных ионов.

Модифицированные источники НФ и НБ устанавливают на имплантор, подключают к ним трубку для подачи рабочего вещества в разрядную камеру, осуществляют откачку, производят подсоединение стандартных концов электропитания, после достижения вакуума в рабочем объеме имплантора подают в источник рабочее вещество (например BF3), включают источники питания, устанавливают обычный стандартный режим разряда в источнике ионов и подают ускоряющее напряжение на электроды ионной оптики. Величину магнитного поля источников ионов изменяют до получения максимального тока ионов желаемого компонента пучка на приемнике и включают систему стабилизации имплантора.

В пучках ионов, ускоренных на импланторе DF4 до 100 КВ, при работе с НФ источником доминирующий пик в спектре ионов принадлежит ионам B+, составляющим 50% от суммарного тока пучка, интенсивность которого на мишени имплантора повысилась в 2,5 раза, при этом отношение токов B+/BF2+=3 (т.е. увеличилось почти в 10 раз), одновременно с этим повысилась стабильность тока в пучке ускоренных ионов вследствие устранения ротационной неустойчивости в разряде внесением дополнительного электрода. Модернизированные источники ионов при их эксплуатации на импланторах не требуют изменений конструкций импланторов, схем питания и систем автоматических регулировок, т.е. полностью взаимозаменяемы с обычными источниками ионов. Все существующие разновидности источников ионов Фримана и Бернье могут быть модифицированы с использованием предложенного изобретения.

Формула изобретения

1. Способ получения пучка ускоренных ионов из газового разряда, включающий наложение на разряд скрещенных электрического и магнитного полей, расположение которых устанавливают из условия направленности скорости дрейфа плазмы к экстракционному отверстию в ограничивающей разряд стенке, извлечение, формирование и ускорение пучка ионов осуществляют с помощью электростатической ионно-оптической системы, отличающийся тем, что разряд локализуют на смещенной от экстракционного отверстия рабочей поверхности дополнительного электрода, обращенной к середине разряда, малой по сравнению с поверхностью разрядной камеры для повышения концентрации и температуры электронов плазмы при неизменной мощности в разряде, образования двойного электрического слоя в плазме разряда без нарушения ее квазинейтральности и обеспечения дрейфа заряженных частиц плазмы вдоль двойного электрического слоя путем подачи на дополнительный электрод, по отношению к разрядной камере, положительного потенциала от добавочного источника электропитания, при этом величину магнитного поля изменяют до получения максимальной интенсивности тока в пучке ускоренных ионов.

2. Источник ионов, включающий разрядную камеру, продольная ось которой расположена вдоль силовых линий внешнего магнитного поля источника ионов, изолированный прямонакальный протяженный катод, установленный в камере параллельно ее оси напротив экстракционной щели, выполненной в боковой стенке разрядной камеры, схему питания, в которой отрицательный полюс источника напряжения разряда подсоединен к концу катода, а положительный полюс его подсоединен к разрядной камере, схему экстракции, формирования и ускорения пучка ионов электродами ионной оптики, отличающийся тем, что в источник ионов введен изолированный дополнительный электрод с узкой протяженной рабочей поверхностью, параллельной оси разрядной камеры и обращенной к катоду, место расположения которой в разрядной камере выбрано так, чтобы вектор скорости дрейфа заряженных частиц плазмы в разрядной камере в скрещенных электрическом Е и магнитном В полях направлен к экстракционной щели, причем дополнительный электрод соединен с положительным полюсом добавочного источника электропитания по отношению к разрядной камере.

3. Источник ионов, включающий разрядную камеру, продольная ось которой расположена вдоль силовых линий внешнего магнитного поля источника ионов, продольную экстракционную щель, выполненную в боковой стенке разрядной камеры, изолированный катод, размещенный у торца разрядной камеры, изолированный электрод-отражатель, расположенный напротив катода у противоположной стенки камеры, схему питания, в которой отрицательный полюс источника напряжения разряда подсоединен к катоду и электроду-отражателю, а положительный полюс его подсоединен к разрядной камере, отличающийся тем, что источник ионов снабжен изолированным дополнительным электродом с узкой протяженной рабочей поверхностью, параллельной оси разрядной камеры и обращенной к середине разряда, место ее расположения в разрядной камере выбрано так, чтобы вектор скорости дрейфа заряженных частиц плазмы в разрядной камере в скрещенных электрическом Е и магнитном В полях был направлен к экстракционной щели, причем дополнительный электрод соединен с положительным полюсом добавочного источника электропитания по отношению к разрядной камере.

4. Источник по пп. 2 и 3, отличающийся тем, что дополнительный электрод закреплен в изоляторах у торцов разрядной камеры, а узкая протяженная рабочая поверхность параллельна оси разрядной камеры.

5. Источник по пп. 2 и 3, отличающийся тем, что дополнительный электрод закреплен в изоляторе одним концом, а узкая протяженная рабочая поверхность параллельна оси разрядной камеры.

6. Источник по пп. 2 и 3, отличающийся тем, что дополнительный электрод закреплен на боковой стенке разрядной камеры через изолятор, а узкая протяженная рабочая поверхность параллельна оси разрядной камеры.

7. Источник по п. 6, отличающийся тем, что дополнительный электрод закреплен через изолятор на добавочном съемном фланце и вставлен в разрядную камеру через прорезь, выполненную в боковой стенке камеры и зафиксирован.

8. Источник по пп. 2 7, отличающийся тем, что положительный полюс источника напряжения разряда подключен к дополнительному электроду.

9. Источник по пп. 2 8, отличающийся тем, что в качестве добавочного источника электропитания использовано сопротивление, соединенное с разрядной камерой и дополнительным электродом.

10. Источник по пп. 2 8, отличающийся тем, что один конец катода соединен с разрядной камерой.

11. Источник по пп. 3 8 и 10, отличающийся тем, что электродотражатель подсоединен к разрядной камере.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10, Рисунок 11, Рисунок 12, Рисунок 13, Рисунок 14