Способ визуализации дефектов, устройство для его осуществления и преобразователь магнитного поля

 

Изобретение относится к прикладной магнитооптике, в частности, к устройствам на основе магнитооптического эффекта Фарадея и промышленно применимо в дефектоскопах для неразрушающего контроля. Решается задача визуализации дефектов, включая скрытые, в изделиях из немагнитных проводящих материалов. Вблизи поверхности контролируемого образца 13 из проводящего материала с дефектом 14 помещают магнитооптический блок визуализации пространственно неоднородных магнитных полей, содержащий импульсный источник 1 подсветки, поляризатор 4, преобразователь магнитного поля (визуализирующий элемент) в виде пленки 5 феррит-граната на прозрачной подложке 6 и анализатор 7. В контролируемом образце 13 возбуждают вихревые токи с помощью испытательной катушки 12, подключенной к источнику 10 переменного или импульсного тока, или вращающихся постоянных магнитов. Визуализирующий элемент освещают синхронно с возбуждением вихревых токов. Визуализируют магнитные поля рассеяния, которые выше при наличии дефекта, чем в случае бездефектного образца 13. Визуализация конфигурации дефектов может быть основана на регистрации любого параметра динамической доменной структуры и распределения намагниченности в пленке 5, который взаимооднозначно связан с магнитным полем, действующим на нее, или обладает четким порогом. Преобразователь магнитного поля выполнен в виде феррит-граната с пониженным эффективным значением гиромагнитного отношения. 3 с. и 42 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретения относятся к прикладной магнитооптике, в частности, к устройствам на основе магнитооптического эффекта Фарадея и промышленно применимы в дефектоскопах, предназначенных для визуализации дефектов, включая скрытые, в изделиях из проводящих материалов.

Известен способ визуализации дефектов, включающий магнитооптическую визуализацию магнитных полей рассеяния контролируемого изделия. (В.В.Рандошкин. Прикладная магнитооптика. М. Энергоатомиздат, 1990 г. с. 276-279).

Известен способ визуализации дефектов, являющийся прототипом заявляемого, который включает создание магнитных полей рассеяния в окрестности дефекта, по которым судят о дефекте, и магнитооптическую визуализацию этих полей рассеяния (Международная заявка WO 93/11427, G 01 N 27/83, 1993 г.) Недостатком указанных способов является невозможность их использования для визуализации дефектов в немагнитных проводящих материалах.

Известно устройство для визуализации дефектов, содержащее магнитооптический блок визуализации пространственно-неоднородных магнитных полей с источником подсветки и визуализирующим элементом.

Технологическим результатом является обеспечение визуализации дефектов в изделиях из немагнитных проводящих материалов. Результат достигается тем, что в известном способе визуализации дефектов, включающем создание магнитных полей рассеяния в окрестности дефекта, по которым судят о дефекте, и магнитооптическую визуализацию этих полей рассеяния с помощью преобразователя магнитного поля создают путем возбуждения вихревых токов в контролируемом образце из проводящего материала, а магнитооптическую визуализацию осуществляют при освещении преобразователя магнитного поля импульсами подсветки синхронно с возбуждением вихревых токов.

В частности, вихревые токи в контролируемом образце можно возбуждать путем локального воздействия импульсным и/или переменным магнитным полем, при этом источник магнитного поля можно перемещать относительно контролируемого образца, например, путем его вращения. При этом можно перемещать по крайней мере один постоянный магнит, например, не менее двух постоянных магнитов, направления намагниченности которых не совпадают.

В частности, магнитные поля рассеяния можно визуализировать с помощью магнитооптического эффекта Фарадея. При этом в качестве преобразователя магнитного поля (визуализирующего элемента) можно использовать пленку феррит-граната, которая может быть эпитаксиально нанесена на монокристаллическую подложку со структурой граната, напылена или химически осаждена на прозрачную подложку. Пленка феррит-граната может быть выполнена висмут-содержащей. При этом преобразователь магнитного поля (визуализирующий элемент) можно освещать белым светом или монохроматическим светом, например, лазерным излучением, в частности, инфракрасным.

В частности, в процессе визуализации магнитных полей рассеяния можно перемагничивать преобразователь магнитного поля (визуализирующий элемент), а о магнитных полях рассеяния можно судить по конфигурации динамических доменных структур, формирующихся в визуализирующем элементе в процессе или после перемагничивания. При этом о дефекте можно судить по конфигурации областей, в которых протекает процесс вращения намагниченности, например, по форме так называемой волны опрокидывания магнитных моментов (ВОММ), по конфигурации доменных структур, формирующихся в конце процесса вращения намагниченности, например, форме доменных стенок, по конфигурации областей, в которых протекает процесс безактивационного (термофлуктуационного) зарождения доменов с обратной намагниченностью (ДОН), по конфигурации областей, в которых формируется доменная стенка (ДС), перемещающаяся по толщине пленки. (В.В.Рандошкин. Импульсные процессы в висмутсодержащих монокристаллических пленках феррит-гранатов. В сб. Магнитооптические пленки феррит-гранатов и их применение. М. Наука, 1992 г. с. 49-107 (Труды ИОФРАН, т. 35).

В частности, в процессе визуализации магнитных полей рассеяния на преобразователь магнитного поля (визуализирующий элемент) можно воздействовать переменным, и/или импульсным, и/или постоянным магнитным полем, при этом о магнитных полях рассеяния можно судить по характеру закрепления доменных стенок.

В частности, при визуализации магнитных полей рассеяния можно изменять относительное временное положение импульсов подсветки и возбуждаемых вихревых токов.

Результат достигается также тем, что в известном устройстве для визуализации дефектов, содержащем магнитооптический блок визуализации пространственно-неоднородных магнитных полей с источником подсветки и преобразователь магнитного поля, устройство возбуждения вихревых токов, магнитосвязанное с контролируемым образцом из проводящего материала, дополнительно источник подсветки выполнен импульсным и синхронизирован с устройством возбуждения вихревых токов.

В частности, устройство возбуждения вихревых токов может содержать по крайней мере одну испытательную катушку, соединенную с источником переменного или импульсного тока и/или по крайней мере один постоянный магнит, перемещающийся относительно контролируемого образца.

В частности, источник подсветки может быть выполнен в виде лазера, например, твердотельного или полупроводникового. При этом твердотельный лазер может быть выполнен с полупроводниковой накачкой и снабжен удвоителем частоты.

В частности, блок визуализации может содержать электронно-оптический преобразователь.

Результат достигается также тем, что в известном преобразователе магнитного поля, выполненном в виде феррит-граната, последний может быть выполнен с эффективным значением гиромагнитного отношения γ не превышающим 2γ_o где γ_o гиромагнитное отношение иона Fe³⁺.

В частности, преобразователь магнитного поля может быть выполнен в виде висмут-содержащего феррит-граната. При этом он может содержать немагнитные, и/или быстрорелаксирующие магнитные, и/или медленно релаксирующие магнитные ионы, причем сумма магнитных моментов быстрорелаксирующих магнитных ионов может быть меньше суммы магнитных моментов всех гранатообразующих ионов. При этом феррит-гранат в качестве немагнитных может содержать ионы лютеция, иттрия, лантана, скандия, индия, кальция, алюминия, галлия, германия, кремния, ванадия и/или магния. При этом феррит-гранат в качестве медленно релаксирующих магнитных ионов может содержать ионы гадолиния и железа. При этом феррит-гранат в качестве быстрорелаксирующих может содержать ионы туллия, иттербия, гольмия, диспрозия, тербия, европия, самария, неодима и/или празеодима. Он может содержать марганец, кобальт и/или никель, а его эффективное значение гиромагнитного отношения может не превышать γ_o.

Сравнение с прототипом показывает, что заявляемые предложения отвечают критерию новизна. Среди известных технических решений в данной области техники отсутствуют также такие, что содержат признаки, отличающие заявляемые предложения от прототипов, поэтому они соответствуют критерию изобретательский уровень.

На фиг. 1 приведен пример конкретного выполнения устройства для визуализации дефектов; на фиг. 2 фотография типичной визуализируемой картины.

Устройство для визуализации дефектов (фиг. 1) содержит импульсный источник 1 подсветки в виде импульсного азотного лазера, излучение которого преобразуется в видимое в кювете 2 с красителем типа "Родамин-6Ж", зеркало 3, поляризатор 4, преобразователь магнитного поля висмут-содержащего пленки 5 феррит-граната на прозрачной подложке 6, линзу 7 и анализатор 8. Устройство запускается генератором 9 импульсов, к выходу синхронизации которого подключен генератор 10 импульсов тока, а к основному выходу вход синхронизации блока 11 запуска лазера. К выходу генератора 10 импульсов подключена испытательная катушка 12, которая располагается на поверхности подложки 6. Пленка 5 располагается на поверхности контролируемого образца 13 (на фиг. 1 в качестве примера показан дефект в виде отверстия 14). Исходное состояние пленки 5 задавали с помощью катушки 15 смещения, подключенной к источнику 16 постоянного тока. Пленка 5 представляет собой визуализирующий элемент.

Устройство (фиг. 1) работает следующим образом. Плоскополяризованный свет с выхода поляризатора 4 проходит подложку 6 и пленку 5 и после отражения от ее свободной поверхности (на которую может быть нанесен отражающий слой) вновь проходит пленку 5 и подложку 6. В фокальной плоскости линзы 7 на выходе анализатора 8 наблюдается изображение динамического распределения магнитных моментов в освещенной области пленки 5, причем эффективное время экспозиции равно длительности импульсов подсветки на выходе кюветы 2. При подаче импульсов тока в катушку 12 в контролируемом образце 13 возбуждаются вихревые токи, направление магнитного поля которых противоположно направлению магнитного поля катушки 12. Поскольку электросопротивление для вихревых токов зависит от отсутствия или присутствия дефектов в образце 13 (в области расположения катушки 12), то при наличии дефекта 14 плотность вихревых токов уменьшается. Как следствие, при прочих равных условиях суммарный магнитный поток через катушку 12 будет выше при наличии дефекта 14 по сравнению со случаем его отсутствия.

Визуализация конфигурации дефектов может быть основана на регистрации любого параметра доменной структуры и распределения намагниченности в пленке 5, который взаимооднозначно связан с магнитным полем, действующим на пленку 5, или обладает четким порогом. В частности, к их числу относятся: поле старта доменных стенок (ДС), которое резко повышается при наличии пространственно неоднородного магнитного поля (В.В.Рандошкин, М.В.Логунов. Динамическая визуализация магнитной записи, Письма ЖТФ, 1983 г. т. 19, в. 16, с. 62-65); размер динамических доменов; пороговое поле срыва стационарного движения доменных стенок; пороговое поле появления пространственно периодических искажений движущейся ДС (В.В.Рандошкин. Труды ИОФ РАН, 1992 г, т. 35, с. 49-107); пороговое поле генерации микродоменов перед движущейся ДС (там же); пороговое поле безактивационного (термофлуктуационного, турбулентного) зарождения доменов с обратной намагниченностью (ДОН) (там же); пороговое поле формирования ДС перемещающейся по толщине пленки 5 (торцевая ДС) (там же); расположение торцевой ДС по толщине пленки 5 с линейной зависимостью того или иного параметра от координаты вдоль нормали (В.В.Рандошкин, А.Я.Червоненкис. Прикладная магнитооптика, с. 117-124);
пороговое поле вращения намагниченности. Если магнитное поле, действующее на пленку 5, формируется катушкой 12, создающей пространственно-неоднородное магнитное поле с аксиальной симметрией, то визуализация дефектов может быть основана на регистрации специфических доменных структур, формирующихся в таком поле, в частности;
волны опрокидывания магнитных моментов (ВОММ), формирующиеся на периферии катушки 12 и перемещающиеся к ее центру (В.В.Рандошкин. Труды ИОФ РАН, 1992 г. т. 35, с. 49-107);
ДС, в которую трансформируется фронт ВОММ, если магнитное поле недостаточно велико.

Исходное состояние пленки 5 задается постоянным магнитным полем (катушкой 15) таким образом, чтобы в случае отсутствия дефектов в контролируемом образце 13 суммарное магнитное поле не превышало того или иного выбранного порогового значения, а при наличии дефекта превосходило его. Четкий порог многих динамических эффектов и возможность тонкой "подстройки" магнитного поля катушкой 15 обеспечивает высокую чувствительность при визуализации дефектов.

В основу визуализации дефектов целесообразно положить один из эффектов, связанных с вращением намагниченности, поскольку процесс вращения является наиболее быстрым (характерное время порядка 10^-9 с). В то же время, чтобы визуализированная картина распределения магнитных моментов "не расплывалась", желательно, чтобы скорость ДС была малой (порядка 1 м/с). Это можно обеспечить, если бы пленка 5, по существу представляющая собой преобразователь магнитного поля, была выполнена из феррит-граната с малым эффективным значением гиромагнитного отношения, что обеспечивается в феррит-гранатах, содержащих только немагнитные и медленнорелаксирующие магнитные ионы, а также в феррит-гранатах, содержащих быстрорелаксирующие магнитные ионы, но при условии, что суммарный магнитный момент быстрорелаксирующих ионов меньше суммарного магнитного момента всех гранатообразующих ионов, то есть вдали от точки компенсации момента импульса.

Пример 1. Использовали устройство, показанное на фиг. 1. Длительность импульсов подсветки на выходе кюветы 2 составляла 5 нс, амплитуду импульса магнитного поля в центре катушки 12 можно было варьировать в пределах от 0 до 2500 Э. Длительность импульсов магнитного поля составляла 1 мкс при длительности фронта импульса в отсутствии контролируемого образца 13 не более 0,05 мкс. В исходном состоянии пленку 5 состава (Tm, Dy, Lu, Bi)₃(Fe, Ga, Al)₅O₁₂, нанесенную на подложку Gd₃Ga₅O₁₂ с ориентацией (III), намагничивали до насыщения полем смещения H_см, создаваемым катушкой 15. Пленка 5 обладала фактором качества материала более 10 и значением γ_o= 0,82˙10⁷Э^-1c^-1 и скоростью насыщения при движении ДС 5 м/с. Катушка 12 формировала противоположно направленное импульсное магнитное поле с напряженностью, зависящей от расстояния от центра катушки. Приложение этого поля H_и вызывало импульсное перемагничивание пленки 5, которое начиналось во время действия фронта импульса путем вращения векторов намагниченности, которые локализованы вблизи витков катушки 12 на поверхности пленки 5. Это приводило к формированию ВОММ, фронт которой разделяет перемагниченную (на периферии) и неперемагниченную (в центре) области пленки 5. Из-за затягивания фронта импульса при наличии образца 12 фронт ВОММ преобразовался в ДС, которая в случае отсутствия дефектов имела форму окружности, симметричной относительно оси катушки 12. Визуализировали дефект 14 в виде отверстия, не соосного катушке 12, выполненного в медной фольге. Визуализированная картина приведена на фиг. 2, получали которую при фазовом контрасте, когда противоположно намагниченные домены выглядят одинаково "серыми", а ДС и области, захваченные процессом вращения намагниченности, - темными. При перемагничивании пленки 5 выявляются как дефекты самой пленки, так и дефекты образца 13. Их можно легко разделить, наблюдая перемагничивание при отсутствии образца 13 или перемещая катушку 12 относительно образца 13. Так, на фиг. 2 дефект образца 13 визуализируется как ДС, располагающаяся по кругу. Она локализована по краю отверстия 14. Изрезанность этой ДС обусловлена царапинами на поверхности медной фольги.

Пример 2. Использовали пленку 5 состава (Ho, Bi)₃ (Fe,Ga)₅O₁₂ с ориентацией (III) с γ = 1,1˙10⁷Э^-1c^-1 и относительно слабой эффективной одноосной магнитной анизотропией (поле анизотропии H_к.э. не превышает 500 Э). О дефектах судили по областям, где имеет место процесс вращения намагниченности.

Пример 3. Использовали двухслойную пленку, нанесенную на подложку (Gd, Ca)₃(Mg, Zr, Ga)₅O₁₂ с ориентацией (III). Первый слой, нанесенный на поверхность подложки и имеющий состав (Y, Lu, Bi)₃(Fe, Ga)₅O₁₂, обладал повышенной одноосной магнитной анизотропией (более 3000 Э), а второй слой, нанесенный поверх первого, имел состав (Y, Lu, Pr, Bi)₃ (Fe, Ga)₅O₁₂, в которой намагниченность насыщения плавно изменялась по толщине пленки и за счет этого формировалась несквозная доменная структура. О дефектах судили по положению торцевой ДС в глубине пленки.

Пример 4. Использовали пленку (Lu,Gd,Bi)₃(Fe,Ga)₅O₁₂, в которой намагниченность насыщения плавно изменялась по толщине пленки и за счет этого формировалась несквозная доменная структура. О дефектах судили по положению торцевой ДС в глубине пленки. Перемещения этой ДС приводили к изменению суммарного угла поворота плоскости поляризации при использовании монохроматической подсветки и появлению цветного контраста при подсветке белым светом.

Пример 5. Использовали пленку состава (Gd, Vb, Pr, Bi)₃, в которой эффективное поле H_к.э. было близко к нулю, а векторы намагниченности находились в состоянии, близком к безразличному равновесию. В исходном состоянии векторы намагниченности с помощью поля смещения выстраивались вдоль нормали к пленке. При наличии дефекта их положение изменялось на противоположное.

Формула изобретения

1. Способ визуализации дефектов, включающий создание магнитных полей рассеяния в окрестности дефекта, по которым судят о дефекте, и магнитооптическую визуализацию этих полей рассеяния с помощью преобразователя магнитного поля, отличающийся тем, что магнитные поля рассеяния создают путем возбуждения вихревых токов в контролируемом образце из проводящего материала, а магнитооптическую визуализацию осуществляют при освещении преобразователя магнитного поля импульсами подсветки синхронно с возбуждением вихревых токов.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что вихревые токи в контролируемом образце из проводящего материала возбуждают путем локального воздействия импульсным и/или переменным магнитным полем.

3. Способ по п.2, отличающийся тем, что источник магнитного поля перемещают относительно контролируемого образца.

4. Способ по п.3, отличающийся тем, что источник магнитного поля перемещают путем его вращения.

5. Способ по пп.3 и 4, отличающийся тем, что перемещают по крайней мере один постоянный магнит.

6. Способ по п.5, отличающийся тем, что перемещают не менее двух постоянных магнитов, направления намагниченности которых не совпадают.

7. Способ по пп.1-6, отличающийся тем, что магнитные поля рассеяния визуализируют с помощью магнитооптического эффекта Фарадея.

8. Способ по п.7, отличающийся тем, что в качестве преобразователя магнитного поля используют пленку, содержащую по крайней мере один слой феррит-граната.

9. Способ по п.8, отличающийся тем, что пленка феррит-граната выполнена эпитаксиальной и нанесена на монокристаллическую подложку со структурой граната.

10. Способ по п. 8, отличающийся тем, что пленка напылена на прозрачную подложку.

11. Способ по п.8, отличающийся тем, что пленка химически осаждена на прозрачную подложку.

12. Способ по пп.8-11, отличающийся тем, что пленка феррит-граната выполнена висмут-содержащей.

13. Способ по пп.1-12, отличающийся тем, что преобразователь магнитного поля освещают белым светом.

14. Способ по пп.1-12, отличающийся тем, что преобразователь магнитного поля освещают монохроматическим светом.

15. Способ по п.14, отличающийся тем, что преобразователь магнитного поля освещают лазерным излучением.

16. Способ по пп.8-15, отличающийся тем, что преобразователь магнитного поля освещают инфракрасным излучением.

17. Способ по пп.1-16, отличающийся тем, что в процессе визуализации магнитных полей рассеяния намагничивают или перемагничивают преобразователь магнитного поля, а о магнитных полях рассеяния судят по динамическому распределению магнитных моментов или по динамическим доменным структурам, формирующимся в преобразователе магнитного поля в процессе намагничивания или перемагничивания или после него.

18. Способ по п.17, отличающийся тем, что о дефектах судят по конфигурации областей, в которых протекает процесс вращения намагниченности.

19. Способ по п.18, отличающийся тем, что о дефектах судят по конфигурации волны опрокидывания магнитных моментов.

20. Способ по п.17, отличающийся тем, что о дефектах судят по конфигурации динамической доменной структуры, формирующейся в конце процесса вращения намагниченности.

21. Способ по п.17, отличающийся тем, что о дефектах судят по конфигурации областей, в которых протекает процесс безактивационного (термофлуктуационного) зарождения доменов с обратной намагниченностью.

22. Способ по п. 17, отличающийся тем, что о дефектах судят по конфигурации областей, в которых формируется доменная стенка, перемещающаяся по толщине пленки.

23. Способ по пп. 1-16, отличающийся тем, что в процессе визуализации магнитных полей рассеяния на преобразователь магнитного поля воздействуют переменным и/или импульсным магнитным полем, а о магнитных полях рассеяния судят по характеру закрепления доменных стенок.

24. Способ по пп.1-23, отличающийся тем, что на преобразователь магнитного поля воздействуют постоянным магнитным полем.

25. Способ по п.24, отличающийся тем, что постоянное магнитное поле приложено перпендикулярно плоскости пленки в визуализирующем элементе.

26. Способ по пп.24 и 25, отличающийся тем, что напряженность постоянного магнитного поля выбирают такой, что в случае бездефектного контролируемого образца суммарное магнитное поле не превышало порога формирования того динамического распределения магнитных моментов или динамических доменных структур, по которым судят о дефектах.

27. Способ по пп.1-26, отличающийся тем, что в процессе визуализации магнитных полей рассеяния изменяют временную задержку импульсов подсветки относительной начальной фазы возбуждения вихревых токов.

28. Способ по пп.1-27, отличающийся тем, что в процессе визуализации магнитных полей рассеяния перемещают контролируемый образец.

29. Устройство для визуализации дефектов, содержащее магнитооптический блок визуализации пространственно-неоднородных магнитных полей с источником подсветки и преобразователем магнитного поля, а также устройство возбуждения вихревых токов, магнитно связанное с контролируемым образцом из проводящего материала, отличающееся тем, что источник подсветки выполнен импульсным и синхронизован с устройством возбуждения вихревых токов.

30. Устройство по п.29, отличающееся тем, что устройство возбуждения вихревых токов содержит по крайней мере одну испытательную катушку, соединенную с источником импульсного или переменного тока.

31. Устройство по п. 29, отличающееся тем, что устройство возбуждения вихревых токов содержит по крайней мере один постоянный магнит, установленный с возможностью перемещения относительно контролируемого образца.

32. Устройство по пп.1-31, отличающееся тем, что источник подсветки выполнен в виде твердотельного лазера.

33. Устройство по п.32, отличающееся тем, что твердотельный лазер снабжен удвоителем частоты.

34. Устройство по пп.32 и 33, отличающееся тем, что твердотельный лазер выполнен с полупроводниковой накачкой.

35. Устройство по п.32, отличающееся тем, что твердотельный лазер выполнен в виде полупроводникового лазера.

36. Устройство по пп.32 и 35, отличающееся тем, что на выходе магнитооптического блока визуализации пространственно неоднородных магнитных полей установлен электронно-оптический преобразователь.

37. Преобразователь магнитного поля, выполненный в виде феррит-граната, отличающийся тем, что феррит-гранат выполнен с эффективным значением гиромагнитного отношения, не превышающим 2γ_o, где γ_o - гиромагнитное отношение иона Fe⁺³
38. Преобразователь по п.37, отличающийся тем, что феррит-гранат выполнен висмут-содержащим.

39. Преобразователь по пп.3 и 38, отличающийся тем, что феррит-гранат содержит немагнитные и медленнорелаксирующие магнитные ионы.

40. Преобразователь по пп.37-39, отличающийся тем, что феррит-гранат содержит быстрорелаксирующие магнитные ионы, причем сумма магнитных моментов быстрорелаксирующих магнитных ионов меньше суммарного магнитного момента всех гранатообразующих ионов.

41. Преобразователь по пп.37-40, отличающийся тем, что феррит-гранат в качестве немагнитных ионов содержит ионы лютеция, иттрия, лантана, кальция, скандия, индия, галлия, алюминия, германия, кремния, ванадия, магния и/или марганца.

42. Преобразователь по пп.37-41, отличающийся тем, что феррит-гранат в качестве медленнорелаксирующих магнитных ионов содержит ионы гадолиния и/или железа.

43. Преобразователь по пп.37-42, отличающийся тем, что феррит-гранат в качестве быстрорелаксирующих ионов содержит ионы тулия, иттербия, эрбия, гольмия, диспрозия, тербия, европия, самария, неодима и/или празеодима.

44. Преобразователь по пп.37-43, отличающийся тем, что феррит-гранат содержит ионы кобальта и/или никеля в количестве не более одного атома на формальную единицу граната.

45. Преобразователь по пп.37-44, отличающийся тем, что феррит-гранат был выполнен с эффективным значением гиромагнитного отношения, не превышающим гиромагнитное отношение иона.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2