Устройство для испытания термоэлементов

Авторы патента:

H01L35/20 - содержащих только металлы (H01L 35/16,H01L 35/18 имеют преимущество)

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

2I0227

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советоких

Социалиотичеоких

Реопублии

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 13.X.1966 (¹ 1106812/26-25) с присоединением заявки №

ПриоритетвЂ”

Опубликовано 06.II.1968. Бюллетень № 6

Дата опубликования описания 22.IV.1968

Кл. 21Ь, 27/02

21е, 36/10

МПК H Olm

С Olr

УДК 621.362.2 (088.8) 620.001.05

Комитет по делам изобретеиий и открытий

IlpH Совете Миииотрое

СССР

Авторы изобретения

А. Х, Черкасский, А. Я. Тереков, Л. Л. Силин, И. П. Горемыкин, Б. Д. Иванов, В. В. Типикин и В. Ф. Полищук

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИСПЫТАНИЯ ТЕРМОЭЛЕМЕНТОВ

При определении термоэлектрических характеристик термоэлементов необходимо наличие температурного градиента между «горячим» и «холодным» концами последнего.

В существующих устройствах для этих целей применяют специальные нагреватели и холодильники.

Предложенное устройство отличается тем, что в качестве коммутационных электродов применены материалы, обладающие различной степенью поглощения излучения, за счет чего температурный градиент на термоэлементе создается самим радиационным полем.

На чертеже представлено предложенное устройство.

Полуэлементы 1 и 2 закладываются между электродами 8 и 4, выполненными из матеркалов, поглощающих радиационные излучения в различной степени (например, из алюминия и меди). В результате этого на полуэлементах создается градиент температуры и соответственно разность потенциалов, измерения которых дают возможность определить основные термоэлектрические характерис гики термоэлементов. Для улучшения контакта между электродами и термоэлементами используется давление, создаваемое сильфоном

5. Испытания термоэлементов проводятся в инертной среде, создаваемой в закрытом баллоне б.

Предмет изобретения

Устройство для испытания термоэлементов, отличающееся тем, что, с целью определения термоэлектрических параметров при радиационном облучении, путем создания температурного градиента на термоэлементе за счет самого радиационного поля, коммутационные электроды на горячем и холодном концах термоэлемента выполнены из материалов, обладающих различной степенью поглощения излучения, например из меди и алюминия.

2!0227

Составитель С. Е, Островская

Редактор H. Джарагетти Тсхред Л. Я, Бриккер Кс1 ректоры: Л. В. Наделяева и 3. И. Тарасова

Заказ 606/14 Тираж 530 Подписное

ЦНг;ИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Похожие патенты:

Патент 176967 // 176967

Термопара // 17448

Патент 206649 // 206649

Способ измерения теплового сопротивления /) —/г-переходов полупроводниковых приборов // 205961

Способ определения дефектных выпрямителей // 203067

Устройство для проверки парал^етров транзисторов // 203009

Патент 200013 // 200013

Способ определения теплового сопротивлениятиристоров // 200011

Устройство для классификации полупроводниковыхдиодов в // 199935

Полуавтомат для классификации // 197017

Устройство для измерения тепловых параметров // 190490

Патент 184983 // 184983

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов