Способ изготовления кристаллов для ультразвуковых преобразователей

 

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

2II899

Сотоз С оеетски к

Социалистическик

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 28.111.1967 (№ 1144098/26-10) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 19.11.1968. Бюллетень № 8 л. 42s, 1/06

МПК В 06Ь

УД К 534.232 (088,8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Дата опубликования описания 24.IV 1968

Авторы изобретения

Д. В. Шелопут, В. К. Зандин и В. М. Мастихин

Заявитель Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ

ДЛЯ УЛЬТРАЗВУКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Известны способы получения кристаллов для ультразвуковых преобразователей на основе обедненных слоев сульфида кадмия, заключающееся в том, что:на полированные грани низкоомного образца сульфида кадмия, перпендикулярные иля параллельные оптической оси в зависимости от того, для какого типа волн создается преобразователь, гпродольных или поперечных, в вакууме 10 — лил рт, ст. испарением наносится слой меди. После .этого образец прогревается в вакууме 10-з мм рт. ст. до + 400 С в течение 2 — 20 иин с целью проведения диффузии меди в низкоомный кристалл. Легированный медью:слой сульф ида кадмия обладает высоким сопротивлением и является активным пьезоэлекприческим слоем.

Известный способ обладает рядом недостат,ков: низкой температурной стабильностью основных параметров полученных преобразователей из-за возможности дальнейшей диффузии меди, что ограничивает использование подобных преобразователей в различных устройствах, например ультразвуковых линиях задержки, и сложно тью технологии ввиду наличия вакуумных операций.

По предложенному способу обедненный носителем слой создают отжигом низ коомного кристалла в атмосфере серы. Эго позволяет повысить температурную стабильность основных параметров кристаллов и упростить процесс их изготовления.

Пластинки сульфида кадмия с плоскопараллельными поверхностями помещаются вместе с серой в стеклянную ампулу. Ампула закрывается, вносится в печь, температура когорой

+500 С, и выдерживается в печи в течение

0,3 — 8 час в зависимости от требуемой основной частоты преобразователя. В этих условиях сера расплавляется и образцы огжигаются в жидкой сере.

Предмет изобретения

Способ изготовления кристаллов для ультразвуковых преобразователей на основе обедненных слоев сульфида кадмия, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности основных параметров кристаллов и упрощения процесса их изготовления, обедненный носителями слой создают отжитом низкоомного кристалла в атмосфере серы.

Способ изготовления кристаллов для ультразвуковых преобразователей 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для мощного электроакустического воздействия на продуктивный пласт нефтяных скважин

Изобретение относится к физике и может найти применение в квантовой акустике для изучения взаимодействия квантов упругих возмущений с электронами, магнонами и другими элементарными возбуждениями в кристаллах

Изобретение относится к области ультразвукового неразрушающего контроля материалов и изделий, осуществляемого через газовую среду, может быть использовано для управления объектами в воздухе, для измерения уровня жидких и сыпучих сред и пр

Изобретение относится к акустоэлектронике и ультразвуковой технике

Изобретение относится к устройствам нефтедобывающей отрасли, в частности к устройствам, предназначенным для мощного электроакустического воздействия на продуктивный пласт нефтяных скважин

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к приборам, выполняющим измерение расхода жидкости с помощью ультразвука

Изобретение относится к неразрушаещему контролю различных объектов с помощью первичных пьезоэлектрических преобразователей

Изобретение относится к неразрушающему контролю промышленных объектов и может быть использовано для контроля протяженных объектов и объектов с высоким затуханием звука

Изобретение относится к ультразвуковым преобразователям для излучения в текучие среды и может быть использовано, например, для определения местонахождения объектов под водой

Изобретение относится к устройствам для акустического воздействия на продуктивные пласты, в том числе для интенсификации добычи нефти, воды и других текучих сред из скважин
Наверх