Формирователь коротких импульсов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

218959

Союз Советских

Социалистических

Республик ф.,(у@

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 20.I I.1967 (№ 1134289/26-9) Кл. 21ат, 36/04 с присоединением заявки №

МПК Н 03k

УДК 621.374(088.8) Приоритет

Опубликовано ЗО.Ч.1968. Бюллетень ¹ 18

Дата опубликования описания 22 ЧП1.1968

Комитет по делам изобрвтеиий N открытий при Совете Мйиистров

СССР

Автор изобретения

В. Ф. Атаманов

Заявитель

ФОРМИРОВАТЕЛЬ КОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ

Известен формирователь импульсов, выполненный на туннельном диоде и содержащий транзисторный усилитель. Предлагаемьш формирователь коротких импульсов позволяет уменьшить потребляемую мощность, увеличить коэффициент передачи и повысить стабильность выходного импульса по диапазону частот. Он отличается от известных тем, что в цепь эмиттера усилителя включен дополнительный туннельный диод, зашунтированный емкостью.

Анод дополнительного туннельного диода соединен через сопротивление с анодом туннельного диода на входе усилителя.

На чертеже изображена принципиальная схема описываемого формирователя коротких импульсов.

Формирователь прямоугольного напряжения из синусоидального напряжения содержит туннельный диод 1 и сопротивление 2, соединенное с базовой цепью усилителя на транзисторе 8. Емкость 4 задерживает нарастание напряжения отрицательной обратной связи в цепи эмиттера усилителя. Туннельный диод 5 фиксирует напряжения отрицательной обратной связи в цепи эмиттера усилителя. Сопротивление б соединяет базовую и эмиттерную пень усилителя. Корректирующий дроссель 7 в корректорной цепи усилителя подбирается для заданных величин сопротивления 8 и емкости 9 нагрузки.

В исходном состоянии переход эмиттер-база транзистора 8 зашунтирован сопротивлением б, которое выбирается небольшим. Ток коллектора, базы и эмпттера транзистора мал и

1уннельные диоды 1 и 5 находятся в области малых напряжений. Практически напряжения на диодах равны нулю. Емкость 4 разряжена.

Потребляемая от источника питания мощность мала.

10 На вход схемы подается синусоидальное напряжение. При определенном мгновенном положительном значении входного напряжения диод 1 скачком переходит в область больших напряжений, и на базу транзистора 8 подает15 ся положительный потенциал, обеспечивающий определенный ток коллектора транзистора 8. При нарастании тока диод 5 переходит в область больших напряжений. При этом напряжения на диодах почти равны, и транзистор

20 8 переходит в область отсечки коллекторного тока (ток коллектора прекращается).

При определенном мгновенном значении напряжения на входе схемы диод 1 переходит в область малых напряжений. Спустя некоторое

25 время в область малых напряжений переходит и диод 5. Формируемый при этом импульс напряжения является для транзистора 8 запирающим, и транзистор будет оставаться в области отсечки тока коллектора.

30 При отрицательном полупериоде входного синусоидального напряжения транзистор на218959

Предмет изобретения

Составитель Э. Гилинская

Техред Л. К. Малова Корректоры: Л. В. Наделяева и Г. И. Плешакова

Редактор П. И. Шлайн

Заказ 2150)14 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПР! Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр, Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 ходится в области отсечки коллекторного тока.

Таким -образом, короткие импульсы коллекторного гока усилителя определяют малое потребление мощности от источника питания особенно на низких частотах, а применение туннельного диода в качестве фиксирующего элемента отрицательной обратной связи позволя. ет расширить частотный диапазон схемы и повысить стабильность выходного импульса по диапазону частот. Отсутствие дифференцирующей цепочки на выходе схемы увеличивает ее нагрузочную способность.

Ю

Формирователь коротких импульсов, содерхкащий усилитель на транзисторе, на входе которого включен туннельный диод, отличаюи ийся тем, что, с целью увеличения коэффициента передачи и уменьшения потребляемой мощности, в цепь эмиттера усилителя включен дополнительный туннельный диод, зашунтированный емкостью, а анод дополнительного туннельного диода соединен с анодом туннельного диода на входе усилителя через сопротивление.