Маскирующий материал (варианты)

 

Использование: средства радиоэлектронной борьбы и защиты от высокоэнергетических воздействий, в качестве защитного маскирующего материала для важных объектов, сооружений и личного состава от аппаратуры наблюдения, систем обнаружения, распознавания и захвата цели на автоматическое сопровождение, а также от высокоэнергетического воздействия современных систем вооружения (лазерного, светового, ядерного и т.д.). Маскирующий материал содержит слой на основе полимера, преобразующий поглощенное излучение в излучение с большей длиной волны другой области спектра электромагнитного излучения или с меньшей длиной волны той же или другой области спектра электромагнитного излучения, при этом слой на основе полимера выполнен в виде полимерной пленки с люминесцентным наполнителем. Люминесцентный наполнитель может быть выполнен в виде люминесцентного состава, преобразующего поглощенное излучение в излучение другой области спектра электромагнитного излучения, может быть выполнен в виде люминофора, преобразующего поглощенное излучение в излучение другой области спектра с большей длиной волны электромагнитного излучения, или антистоксового люминофора, может содержать маскирующий пигмент. Полимерная пленка может быть выполнена маскирующего цвета. На тыльную поверхность полимерной пленки может быть нанесен высокоотражающий металлический слой. На высокоотражающий металлический слой может быть нанесено полимерное покрытие, прозрачное в ИК-области спектра электромагнитного излучения. На рабочей поверхности пленки с люминесцентным наполнителем выполнены углубления остроконечной формы с вершинами, направленными в сторону ее тыльной поверхности. 2 с. и 17 з.п. ф-лы, 4 ил.

Предлагаемое изобретение относится к средствам радиоэлектронной борьбы, маскировки и защиты от высокоэнергетических воздействий и может быть использовано в качестве защитного маскирующего материала для важных объектов и сооружений и личного состава от аппаратуры наблюдения, систем обнаружения, распознавания и захвата цели на автоматическое сопровождение, а также от высокоэнергетического воздействия современных систем вооружения (лазерного, светового, ядерного и т.д.), например наземных и воздушных транспортных средств, летательных аппаратов, установок и строений военного назначения и т.п.

Современные системы вооружения оснащены аппаратурой с такими функциями, как пассивное и активное наблюдение, с помощью которых они находят и уничтожают объекты, на которые нацелены, осуществляя наблюдение, распознавание и захват цели на автоматическое сопровождение их головкой самонаведения (ГСН) в широком диапазоне электромагнитного спектра, а также осуществляют высокоэнергетическое воздействие (лазерное, световое и т.п.) на объекты и сооружения.

Пассивное наблюдение включает пассивное обнаружение, распознавание и целеуказание объекта посредством использования оптико-электронных систем, работающих в оптическом, ИК, УФ и т.д. областях спектра электромагнитного излучения.

Системы визуального наблюдения работают в диапазоне 0,4-0,7 мкм оптической области спектра электромагнитного излучения с использованием оптических приборов увеличения от биноклей до видеодисплеев с "наездом (телекамеры)", которыми обеспечены системы современного оружия. Механизм обнаружения, применяемый в системах визуального наблюдения, заключается в контрасте цвета или яркости.

Пассивные системы, работающие в диапазоне 0,8-14 мкм ИК-области спектра электромагнитного излучения и включающие солнечный, низко- и высокотемпературные спектры, осуществляют самонаведение на существующий температурный контраст между объектом и его фоном и его распознавание. К ним относятся впередсмотрящие ИК-системы на летательных аппаратах, ГСН ракет типа "земля-воздух" и "воздух-земля", оптико-электронные и работающие в ИК-области спектра электромагнитного излучения системы наблюдения и предупреждения на наземных или воздушных военных объектах, а также оптико-электронные и работающие в ИК-области спектра датчики космического базирования.

Активные системы современного вооружения включают активные оптические системы. Оптические системы работают как в оптической, так и УФ- и ИК-областях спектра электромагнитного излучения и основаны на принципе возвращения посланного излучения от поверхности цели. К ним относятся лазерные дальномеры ГСН ракет, осуществляющие обнаружение, распознавание, целеуказание и захват цели на автоматическое сопровождение.

Когерентную мощность приемлемой величины при хорошем коэффициенте полезного действия, наряду с узконаправленными лучами, можно получить от лазеров (в лазерных локационных системах) в ИК, оптической и УФ-областях спектра электромагнитного излучения. Хорошее угловое разрешение по дальности делают их полезными для получения более детальной информации о цели. Лазеры менее удобны при обзоре пространства, так как угловые размеры луча относительно малы, вследствие чего исследовать узким лучом большие пространства трудно.

Одним из приоритетных направлений работ, проводимых в США, является создание лазерных локационных средств, решающих задачи обнаружения, высокоточного сопровождения воздушно-космических целей, их подсветки, целеуказания, распознавания и наведения на них оружия и работающих, как правило, на рабочих длинах волн: 0,63:1,06 и 10,6 мкм. При высокоточном сопровождении воздушно-космических целей используется комбинация лазерных средств с пассивными оптико-электронными устройствами, которые в перспективе будут представлять из себя разведывательно-обнаружительные оптико-электронные комплексы для современных систем вооружения космического и авиационного базирования.

Лазерная подсветка используется для повышения эффективности выделения цели на окружающем фоне и выбора точки прицеливания на объекте.

Решение задачи целеуказания включает обработку способов одновременного сопровождения нескольких целей с обеспечением быстрого перенацеливания высокоэнергетического луча лазерного оружия.

Интенсивное развитие современных видов оружия и средств его защиты и противодействия преднамеренным помехам достаточно остро обозначило проблему создания эффективных контрмер, в частности, маскирующих систем, предохраняющих объекты и сооружения от потенциальных угроз со стороны таких систем вооружения.

Существующие маскирующие материалы, хотя и имеют общую цель камуфляжа поверхности объектов и сооружений от наблюдения обнаружения, распознавания и захвата цели на автоматическое сопровождение со стороны ГСН современных систем вооружения, их принцип защиты основан, как правило, либо на ослаблении (затушевывании) контраста и яркости, в том числе температурного, камуфлируемого объекта по сравнению с окружающим фоном, что не обеспечивает скрытности объекта при достаточно высокой чувствительности ГСН современного оружия, либо на изменении характеристик падающего излучения, например, от ГСН современного вооружения, в узком диапазоне и только в одном направлении длин волн электромагнитного излучения. Последние маскирующие материалы также являются малоэффективными в случае, если рабочий диапазон таких ГСН достаточно широк и в случае, если они высокочувствительны, при этом они не обеспечивают защиту маскируемого объекта от высокоэнергетического воздействия (лазерного, светового и т.п.).

Наиболее близким техническим решением (прототипом) является маскирующий материал, содержащий слой частиц, выполненный из полимера на основе мономера с одной двойной связью, преобразующий поглощенное излучение в излучение с большей длиной волны (МКИ F 41 H 3/00, патент Великобритания N 2147978, 1985).

Однако известное техническое решение обеспечивает преобразование поглощенного излучения, посланного, например ГСН ракеты, только в одном направлении в сторону более длинных волн электромагнитного спектра и в сравнительно небольшом диапазоне той же самой области спектра электромагнитного излучения за счет "расшивания" двойных связей в полимере при воздействии на него излучения со строго определенной энергией, достаточной для "расшивания" двойных связей используемого полимера. Все это ограничивает эффективность применения такого маскирующего слоя в случае, если рабочий диапазон ГСН ракеты включает в себя диапазон изменения характеристики длины волны падающего излучения и если аппаратура обнаружения является высокочувствительной. Причем, возможность изменять характеристики падающего излучения от ГСН только в одном направлении (в сторону более длинных волн) также повышает вероятность обнаружения маскируемого объекта, облегчая диапазон поиска аппаратурой обнаружения современных систем вооружения. Следует отметить также, что известный маскирующий материал не позволяет обеспечивать защиту камуфлируемого объекта от высокоэнергетического воздействия современных систем вооружения, например, высокоэнергетических лазеров, ядерного светового излучения и т.п.).

Новым достигаемым техническим результатом предлагаемого изобретения является расширение функциональных возможностей при повышении эффективности маскировки объекта посредством увеличения диапазона изменения характеристик падающего излучения.

По первому варианту новый технический результат достигается тем, что в маскирующем материале, содержащем слой на основе полимера, преобразующего поглощенное излучение в излучение с другой длиной волны, слой на основе полимера выполнен в виде пленки с люминесцентным наполнителем, преобразующим поглощенное излучение в излучение с большей длиной волны другой области спектра электромагнитного излучения или с меньшей длиной волны той же или другой области спектра электромагнитного излучения.

Люминесцентный наполнитель, преобразующий поглощенное излучение в излучение с большей длиной волны другой области спектра электромагнитного излучения, может быть выполнен в виде люминофора.

Люминесцентный наполнитель, преобразующий поглощенное излучение в излучение с меньшей длиной волны той же или другой области спектра электромагнитного излучения, может быть выполнен в виде антистоксового люминофора.

Люминесцентный наполнитель может содержать маскирующий пигмент.

Полимерная пленка может быть выполнена маскирующего цвета.

На тыльную поверхность полимерной пленки может быть нанесен высокоотражающий металлический слой.

На высокоотражающий металлический слой может быть нанесено полимерное покрытие, прозрачное в ИК-области спектра электромагнитного излучения.

По второму варианту новый технический результат достигается тем, что в маскирующем материале, содержащем слой на основе полимера, преобразующего поглощенное излучение в излучение с другой длиной волны, слой на основе полимера выполнен в виде пленки с люминесцентным наполнителем, преобразующим поглощенное излучение в излучение с большей длиной волны другой области спектра электромагнитного излучения или с меньшей длиной волны той же или другой области спектра электромагнитного излучения.

Люминесцентный наполнитель, преобразующий поглощенное излучение в излучение с большей длиной волны другой области спектра электромагнитного излучения, может быть выполнен в виде люминофора.

Люминесцентный наполнитель, преобразующий поглощенное излучение в излучение с меньшей длиной волны той же или другой области спектра электромагнитного излучения, может быть выполнен в виде антистоксового люминофора.

Люминесцентный наполнитель может содержать маскирующий пигмент.

Полимерная пленка может быть выполнена маскирующего цвета.

На тыльную поверхность полимерной пленки может быть нанесен высокоотражающий металлический слой.

На высокоотражающий металлический слой может быть нанесено полимерное покрытие, прозрачное в ИК-области спектра электромагнитного излучения.

На рабочей поверхности пленки могут быть выполнены углубления остроконечной формы с вершинами, направленными в сторону, противоположную указанной поверхности.

По крайней мере одна боковая поверхность по крайней мере части углублений остроконечной формы может быть расположена под углом к поверхности, отличным от угла наклона к этой поверхности боковых поверхностей остальных углублений остроконечной формы.

По крайней мере часть углублений остроконечной формы может быть выполнена в виде пирамид.

Часть пирамид может быть выполнена с числом граней, отличным от числа граней остальных пирамид.

Углубления остроконечной формы могут быть выполнены с высотой боковых граней 2,0 - 1150,0 мкм.

Наклон боковых граней углублений остроконечной формы к рабочей поверхности не должен превышать 16^o.

На фиг. 1, 2, 4 представлены принципиальные схемы конструкций маскирующего материала и на фиг. 3 - принцип его работы.

Маскирующий материал содержит полимерную пленку 1 с люминесцентным наполнителем, выполненным в виде пигментированного люминофора 2, преобразующего поглощенное излучение в излучение с большей длиной волны другой области спектра электромагнитного излучения (фиг. 1, 3).

Маскирующий материал может также содержать маскирующего цвета полимерную пленку 3 с люминесцентным наполнителем, выполненным в виде антистоксового люминофора 4, преобразующего поглощенное излучение в излучение с меньшей длиной волны той же или другой области спектра электромагнитного излучения, и с последовательно нанесенными на тыльную поверхность 5 полимерной пленки 3 высокоотражающим материалом 6 и полимерным покрытием 7, прозрачным в ИК-области спектра электромагнитного излучения (фиг. 2, 3).

Маскирующий материал может также содержать полимерную пленку 8, на рабочей поверхности 9 которой выполнены углубления остроконечной формы в виде остроконечных конструкций - пирамид 10, с вершинами, направленными в сторону тыльной поверхности 5 (противоположную рабочей поверхности 9), при этом боковая поверхность (грани 11) части пирамид 10 расположена под углом к рабочей поверхности 9, не превышающим 16^o и отличным от угла наклона к рабочей поверхности 9 боковых поверхностей остальных пирамид 10 (фиг. 4). Часть пирамид 10 может быть выполнена с числом граней 11, отличным от числа граней остальных пирамид 10 при высоте граней 2,0 - 1150,0 мкм.

Маскирующий материал на основе полимерной пленки 8 с углублениями остроконечной формы на ее рабочей поверхности функционируют следующим образом.

При попадании на рабочую поверхность углублений остроконечной формы оптическое излучение оптического или ИК-диапазонов претерпевает полное отражение на гранях 11 пирамид 10 или боковой поверхности конусов или углублений иных типов, переотражается или направляется под некотором углом к углу падения падающего излучения в зависимости от угла наклона граней 11 или боковых поверхностей к плоскости рабочей поверхности 9. То есть, в этом случае при обнаружении защищаемого объекта в оптическом или ИК-диапазонах длин волн отраженное излучение от защищаемого предлагаемым маскирующим материалом объекта попадает не на РЛС или ГСН оружия противника, с которых зондирующее излучение было послано, а направляется в совершенно другие направления, определяемые углом наклона боковых поверхностей (граней 11) к рабочей поверхности 9, вызывая, тем самым, ошибочность в действиях персонала РЛС или ГСН оружия противника. Таким образом, защищаемый объект становится трудно обнаруживаемым или даже "невидимым" за счет "размывания" переотраженного излучения в пространстве вокруг летательного аппарата, танка или иного защищаемого объекта, многократно превышающем габариты самого защищаемого объекта (фиг. 4).

Углубления остроконечной формы могут быть выполнены посредством, например, штамповки. В качестве таких углублений остроконечной формы могут быть многогранные пирамиды 10 (трех-, четырех-, пяти-, шестигранные и т.д.), конусы, полуовалы, параболоидальной формы и т.д. Причем пирамиды 10 могут быть как прямыми, в основании которых правильные треугольники, тетраэдры, квадраты, пятиугольники и т.п., так и с гранями 11, расположенными под различными углами к рабочей поверхности 9.

Размеры высоты граней 11 или образующей боковых поверхностей углублений остроконечной формы обусловлены тем, что при габаритах 2,0 мкм технологические трудности получения таких углублений непропорционально возрастают из-за малости их размеров, а близость габаритов таких углублений с длиной волны падающего излучения оптического диапазона снижает эффективность его переотражения в различных направлениях в соответствии с наклоном боковых поверхностей (граней 11) углублений остроконечной формы к рабочей поверхности 9. Размеры высоты граней 11 или образующей боковых поверхностей в 1150,0 мкм являются минимальными для обеспечения эффективного переотражения излучения ИК- (0,8 - 14 мкм) и радиочастотного (от нескольких мм до 10 м) диапазонов длин волн в различных направлениях в соответствии с наклоном боковых поверхностей к основанию остроконечных углублений (к рабочей поверхности 9) при одновременном обеспечении высоких аэродинамических свойств летательных аппаратов при установке маскирующего материала на них, а также легкости и высокой мобильности установки маскирующего материала на защищаемом объекте.

Следует отметить также, что в случае падения на рабочую поверхность защитной маскирующей системы излучения различных диапазонов электромагнитного спектра, при использовании граней 11 с различными углами наклона к основанию, соответствующих углу преломления одного из указанных диапазонов, волны последних переотражаются в основном на соответствующих их длине волны гранях 11 с определенным углом наклона. И, после переотражения на гранях 11 пирамид, все падающие волны также раздельно будут выходить под различными углами к падающему излучению в соответствии с углом наклона соответствующих граней 11 пирамиды или боковых поверхностей иных остроконечных конструкций.

Угол наклона граней 11 пирамид 10 и рабочей поверхности 9, не превышающий 16^o, обусловлен тем, что при таком угле не происходит переотражения падающего излучения на гранях 11 пирамид 10 при боковых поверхностях иных остроконечных конструкций, а происходит его отражение непосредственно в пространство перед пленкой под заданным углом наклона граней 11 и количеством граней 11 в пирамидах 10 направлением. Это важно потому, что трансформация падающего излучения одной длины волны в излучение другой длины волны электромагнитного спектра происходит еще при первом его падении на грани 11 пирамид 10, и его дальнейшее переотражение на других гранях 11 пирамид 10 уже нецелесообразно. Такое переотражение, которое может происходить при угле наклона граней 11 пирамид 10 к основанию свыше 16^o, приведет только к повышению температуры материала пленки 8 за счет отдачи ей части световой энергии и ухудшению ее маскирующих свойств (в частности, повышению заметности в ИК-диапазоне).

Использование полимерных пленок 1, 3, 8 (фиг. 1, 2, 4) в маскирующем материале позволяет также при воздействии на него излучения определенного диапазона определенной области спектра электромагнитного излучения от, например, ГСН современных систем вооружения, типа ракеты, преобразовывать падающее излучение в излучение другого диапазона той же или иной области спектра электромагнитного излучения. Так, излучение, например, от ГСН ракеты, в УФ-области спектра электромагнитного излучения при воздействии на предложенную маскирующую систему преобразовывается (трансформируется) в видимую или в ИК-область спектра электромагнитного излучения или излучение видимой области спектра трансформируется в ИК-область спектра электромагнитного излучения при использовании люминофора 2, преобразующего поглощенное излучение в излучение с большей длиной волны другой области спектра электромагнитного излучения (фиг. 3). При этом невидимое падающее излучение может стать видимым и наоборот.

В качестве таких люминесцентных составов, применяемых в виде люминесцентных наполнителей полимерной пленки 1 (фиг.1), может использоваться, например, люминофор 2, содержащий оксид иттрия, активированный сурьмой и марганцем (26-34 мас.%), и обеспечивающий трансформацию невидимого излучения в УФ-области спектра с длиной волны 200-480 нм в область красной составляющей (500-700 нм) спектра электромагнитного излучения (состав N 1).

Может быть использован люминофор в виде комплексного соединения теноилтрифторацетоната европия с 1,10-фенантролином, преобразующим излучение в УФ-области спектра с длиной волны 250-380 нм в видимую и ИК-области спектра электромагнитного излучения с длиной волны 580-760 нм.

Может быть использован также люминофор 2, соответствующий химической формуле: K₂Y_1-x-yNd_xYb_yF₅, где 0,001 < x ≅0,150; 0,02 ≅y≅0,20, преобразующий излучение УФ и видимой областей спектра с длиной волны 300-670 нм в излучение ИК-области спектра с длиной волны 860-1040 нм (состав N 2).

Спектры люминесценции и спектры возбуждения люминесценции были получены при возбуждении галогенной лампой МКГН-150 с использованием монохроматоров МДР-23 и МДР-2 с регистрацией посредством ФЭУ-79 и ФЭУ-62 со светофильтром КС-18 или КС-19. Полученная информация регистрировалась и обрабатывалась на микроЭВМ "Электроника ДЗ-284".

Для получения пигментированного люминофора 2, трансформирующего падающее излучение одного диапазона области спектра электромагнитного излучения в другой, используют маскирующие пигменты, например красный пигмент оксида железа, желтый - оксида железа, черный - сажи и бурый - сульфида бария и т. д. , используемые как индивидуально, так и в различных соотношениях в зависимости от фона местности, в которой применяется маскирующий материал.

Так, для приготовления пигментированного люминофора 2, например, красного цвета свечения на основе редкоземельных элементов, осуществляют, например, следующий процесс.

Люминофор на основе редкоземельных элементов в количестве, например 10 кг, распульповывают в 20 л воды в течение 5-10 мин. Затем к полученной суспензии добавляют 10 г азотнокислого алюминия, растворенного в 2 л воды и 370 мл 13,5%-ной суспензии оксида железа (Fe₂O₃) в 2 · 10^-3M растворе пирофосфата натрия. После перемешивания в течение 5 мин к полученной смеси добавляют 20 г фтористого аммония. Смесь перемешивают 15 мин и затем фильтруют на нутч-фильтре. Отделенный при этом осадок пигментированного люминофора промывают 1,5 л воды и затем сушат при 100-110^oC. При этом образуется суспензия пигментированного (красного, желтого и т.д. цветов свечения) люминофора 2 (фиг.1).

Кроме трансформации поглощенного излучения, например от ГСН ракеты, одного диапазона области спектра электромагнитного излучения в излучение другого диапазона с большей длиной волны той же или другой области спектра, для введения противника в заблуждение применяют люминофор, преобразующий падающее излучение одного диапазона области спектра электромагнитного излучения в излучение другого диапазона, в том числе другой области спектра, но уже с меньшей длиной волны, электромагнитного спектра. В качестве такого люминофора применяют так называемые антистоксовые люминофоры 4 (фиг.2, 3).

В качестве таких антистоксовых люминофоров используют, например, люминесцентный состав на основе фторида свинца, оксидов германия и твердого раствора оксидов активирующих элементов - иттербия и туллия, преобразующий падающее излучение ИК-области спектра электромагнитного излучения в видимую (≈ 475 нм) область спектра, например при следующем соотношении компонентов, мас%: PbF₂ (68,2802); GeO₂ (17,5530); Yb₂O₃ (14,1317); Tm₂O₃ (0,035).

В качестве антистоксового люминофора 4 может быть также использован, например, люминесцентный состав на основе фторидов металлов группы цинка с общей формулой (Zn_1-xCd_x)F₂, где x ≅ 0,2, активированных эрбием или эрбием и иттербием, преобразующего излучение ИК-области спектра в диапазоне длин волен 1200-1600 нм электромагнитного излучения в излучение видимой области спектра в диапазоне длин волн от насыщенного красного до желтого в зависимости от фторида соответствующего металла группы цинка (состав N 3).

Люминесцентные составы в виде люминофоров 2 и антистоксовых люминофоров 4, в том числе в виде пигментированных люминофоров 2, 4, одним из известных методов вводятся в полимерную пленку 3 (например, на стадиях гранулирования или расплава) в виде люминесцентных наполнителей (фиг.2).

В качестве полимерной пленки 3 используют, например, полиэтилен, полиэтилтерефталат, лавсан, полихлорвинил и т.д.

Следует отметить, что в случае, если используемый люминесцентный состав не является пигментированным в маскирующий цвет или его пигментирование связано с определенными технологическими трудностями для конкретного используемого люминофора 2, 4, то полимерная пленка 3 может содержать пигмент маскирующего цвета, например тех же оксида железа (красный, желтый); сажи (черный) и т.д., подбираемый соответственно фону, в котором предполагается применение предлагаемого маскирующего материала.

Маскирующий пигмент вводится в полимерную пленку в качестве наполнителя одним из известных способов, как сказано выше, вместе или последовательно с введением люминесцентного состава.

Полимерная пленка 3 может иметь высокоотражающий металлический слой 6, нанесенный на ее тыльную поверхность 5 со стороны поверхности маскируемого объекта одним из известных методов, например, в вакууме, например, из алюминия, меди, их сплавов и т.д. с коэффициентом отражения не ниже 80%.

Наличие такого высокоотражающего металлического слоя 6 на полимерной пленке 3 позволяет расширить функциональные возможности предложенного маскирующего материала за счет возможности защищать маскируемый объект от высокоэнергетических воздействий современного вооружения, например, высокоэнергетического лазера или светового излучения ядерного оружия, посредством его эффективного отражения на границе высокоотражающего покрытия 5.

При таком высокоэнергетическом воздействии происходит испарение полимерной пленки 3 вместе с наполнителями, приводя к обнажению и возможности функционирования высокоотражающего металлического слоя 6.

Кроме вышеописанной цели, высокоотражающий металлический слой 6 предназначен для отражения в процессе маскировки ИК-излучения (теплового), испускаемого от маскируемого объекта и, как следствие, снижения теплового контраста с окружающим фоном. Использование высокоотражающего металлического слоя 6 особенно целесообразно при маскировке поверхностей, имеющих повышенную температуру, например, орудий, генераторов, моторов и т.д.

Для защиты высокоотражающего металлического слоя 6 от повреждений со стороны маскируемого объекта на него может быть нанесено защитное покрытие из материала, прозрачного для ИК-излучения, например, покрытие из полимера 7.

В качестве полимерного покрытия 7, прозрачного в ИК-области спектра электромагнитного излучения, может быть использован, например, полиэтилен, полиэтилен-винилацетатный сополимер, хлорзамещенный полипропилен и т.п.

Применение люминесцентных составов в виде люминофоров 2, преобразующих падающее, например от ГСН ракет, излучение в излучение другого диапазона, в том числе другой области спектра электромагнитного излучения, с большей длиной волны (фиг.3a), или в виде антистоксовых люминофоров 4, преобразующих падающее излучение в излучение другого диапазона, в том числе другой области спектра электромагнитного излучения, но с меньшей длиной волны (фиг.3б), позволяет вводить противника в заблуждение на всех этапах наблюдения, обнаружения, распознавания и захвата цели на автоматические сопровождение за счет того, что аппаратура современного вооружения РЛС, работающая только в одной области спектра электромагнитного излучения или в строго определенных достаточно узких рабочих диапазонах, не воспринимает электромагнитное излучение, возвращающееся от маскируемого объекта, после посылки сигнала от такой аппаратуры, но преобразованное в другой диапазон (другой области) спектра электромагнитного излучения. Таким образом обеспечивается "невидимость" маскируемого объекта для аппаратуры разведки и наблюдения, ГСН систем современного оружия, РЛС и т.д.

С другой стороны, введение маскирующих пигментов в маскирующий материал позволяет повысить незаметность камуфлируемого объекта в видимой области спектра электромагнитного излучения при наблюдении невооруженным глазом или с помощью средств наблюдения в этом диапазоне типа биноклей, дальномеров и т.п. Кроме того, повышается незаметность маскируемого объекта, имеющего повышенную температуру по сравнению с окружающей средой, типа моторов, генераторов и т.д., за счет уменьшения температурного контраста от такого объекта в сравнении с окружающей средой посредством отражения, исходящего от маскируемого объекта теплового излучения, высокоотражающей металлической пленкой 6 в обратном направлении, и его последующем рассеянии, например, через поверхность земли. Следует отметить также, что повышенное тепловое излучение от таких маскируемых объектов ИК-спектра электромагнитного излучения преобразовывается люминесцентным составом, присутствующим в маскирующем материале, в излучение другого диапазона другой области спектра, например видимой, что в свою очередь снижает тепловой контраст камуфлируемого объекта на окружающем фоне.

На основании вышеизложенного заявляемый маскирующий материал позволяет достигнуть следующего технического результата: 1. Расширение функциональных возможностей за счет преобразования падающего излучения, например от ГСН современного оружия, в излучение другой области спектра электромагнитного излучения, в том числе как в сторону больших длин волн, так и в сторону меньших длин волн. Кроме того, расширение функциональных возможностей происходит и за счет обеспечения защиты маскируемого объекта не только от аппаратуры наблюдения, обнаружения, опознания и захвата цели на автоматическое сопровождение, но также и от высокоэнергетического современного оружия.

2. Повышение эффективности маскировки объекта не менее чем на 50% посредством расширения диапазона изменения характеристик падающего света, в том числе посредством его трансформации в другие области спектра электромагнитного излучения, а также за счет снижения температурного контраста камуфлируемого объекта по сравнению с окружающим фоном посредством применения высокоотражающего металлического слоя и применения маскирующего пигмента.

3. Обеспечение возможности применения на подвижных объектах и объектах округлой формы, например в виде тентов, благодаря выполнению маскирующего материала в виде полимерной пленки, а не гранул, как по прототипу.

4. Обеспечение возможности многократного применения высокомобильного маскирующего материала, в том числе для различных объектов, за счет его легкого развертывания и свертывания, при необходимости, в виде тента.

В настоящее время на государственном предприятии "НПО Астрофизика" и Центральном научно-исследовательском инженерном институте им. Д.М.Карбышева проведены испытания образцов предлагаемого маскирующего материала на различных объектах, показавшие снижение заметности последних не менее чем на 50%. На основании проведенных испытаний выпущена конструкторская документация и техпроцесс на заявляемый маскирующий материал.

Формула изобретения

1. Маскирующий материал, содержащий слой на основе полимера, преобразующий поглощенное излучение в излучение с другой волной волны, отличающийся тем, что слой на основе полимера выполнен в виде полимерной пленки с люминесцентным наполнителем, преобразующим поглощенное излучение в излучение с большей длиной волны другой области спектра электромагнитного излучения или с меньшей длиной волны той же или другой области спектра электромагнитного излучения.

2. Материал по п.1, отличающийся тем, что люминесцентный наполнитель, преобразующий поглощенное излучение в излучение с большей длиной волны другой области спектра электромагнитного излучения, выполнен в виде люминофора.

3. Материал по п.1, отличающийся тем, что люминесцентный наполнитель, преобразующий поглощенное излучение в излучение с меньшей длиной волны той же или другой области спектра электромагнитного излучения, выполнен в виде антистоксового люминофора.

4. Материал по любому из пп.1 - 3, отличающийся тем, что люминесцентный наполнитель содержит маскирующий пигмент.

5. Материал по любому из пп.1 - 3, отличающийся тем, что полимерная пленка выполнена маскирующего цвета.

6. Материал по любому из пп.1 - 5, отличающийся тем, что на тыльную поверхность полимерной пленки нанесен высокоотражающий металлический слой.

7. Материал по п.6, отличающийся тем, что на высокоотражающий металлический слой нанесено полимерное покрытие, прозрачное в ИК-области спектра электромагнитного излучения.

8. Маскирующий материал, содержащий слой на основе полимера, преобразующий поглощенное излучение в излучение с другой длиной волны, отличающийся тем, что слой на основе полимера выполнен в виде полимерной пленки с люминесцентным наполнителем, преобразующим поглощенное излучение в излучение с большей длиной волны другой области спектра электромагнитного излучения или с меньшей длиной волны той же или другой области спектра электромагнитного излучения, при этом на рабочей поверхности пленки выполнены углубления остроконечной формы с вершинами, направленными в сторону, противоположную укаанной поверхности.

9. Материал по п.8, отличающийся тем, что по крайней мере одна боковая поверхность по крайней мере части остроконечных углублений расположена под углом к поверхности, отличным от угла наклона к этой поверхности боковых поверхностей остальных углублений.

10. Материал по п.8 или 9, отличающийся тем, что по крайней мере часть остроконечных углублений выполнена в виде пирамид.

11. Материал по п.10, отличающийся тем, что часть пирамид выполнена с числом граней, отличным от числа граней остальных пирамид.

12. Материал по любому из пп.8 - 11, отличающийся тем, что остроконечные углубления выполнены с высотой боковых граней 2,0 - 1150,0 мкм.

13. Материал по любому из пп.8 - 12, отличающийся тем, что наклон боковых граней остроконечных углублений к рабочей поверхности не превышает 16^o.

14. Материал по любому из пп.8 - 13, отличающийся тем, что люминесцентный наполнитель, преобразующий поглощенное излучение в излучение с большей длиной волны другой области спектра электромагнитного излучения, выполнен в виде люминофора.

15. Материал по любому из пп.8 - 13, отличающийся тем, что люминесцентный наполнитель, преобразующий поглощенное излучение в излучение с меньшей длиной волны той же или другой области спектра электромагнитного излучения, выполнен в виде антистоксового люминофора.

16. Материал по любому из пп.8 - 15, отличающийся тем, что люминесцентный наполнитель содержит маскирующий пигмент.

17. Материал по любому из пп.8 - 15, отличающийся тем, что полимерная пленка выполнена маскирующего цвета.

18. Материал по любому из пп.8 - 17, отличающийся тем, что на тыльную поверхность полимерной пленки нанесен высокоотражающий металлический слой.

19. Материал по п.18, отличающийся тем, что на высокоотражающий металлический слой нанесено полимерное покрытие, прозрачное в ИК-области спектра электромагнитного излучения.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4