Способ получения кристаллической основы для уваривания утфеля сахарного производства

 

Изобретение относится к способу получения кристаллической основы для уваривания утфеля сахарного производства. Способ предусматривает первоначальный набор сиропа с выпарки в вакуум-аппарат до достижения его объема, равного 40 - 70% от полезного объема аппарата, и сгущение сиропа до достижения коэффициента пересыщения 1,35 - 1,40. Заводку кристаллов проводят при выдерживании сгущенного сиропа в вакуум-аппарате в течение 10 - 20 минут при температуре и разрежении, которые соответствуют температуре и разрежению в процессе его сгущения путем их самопроизвольного образования. Затем кристаллы наращивают. Заданные размеры кристаллов при наращивании достигают путем определения количества сиропа, набираемого в вакуум-аппарат перед его сгущением. Готовую основу выгружают из вакуум-аппарата. Способ обеспечивает возможность регулирования размеров кристаллов в основе, обеспечение их однородности и улучшение качества основы.

Изобретение относится к сахарной промышленности, в частности к варке утфелей.

Известен способ получения кристаллической основы для уваривания утфеля, предусматривающий сгущение сиропа, заводку кристаллов в количестве 10 - 12 на 1 мм поверхности пробного стекла путем введения в вакуум-аппарат затравки в виде пудры и отбор части утфеля из вакуум-аппарата при достижении размеров кристаллов 0,2 - 0,3 мм (См. SU, авторское свидетельство N 1017736, C 13 F 1/02, 1983). Отобранную часть утфеля используют в качестве кристаллической основы при варке утфеля в другом вакуум-аппарате.

Недостаток известного способа заключается в сложности контроля за образованием нужного количества кристаллов и моментом окончания их заводки, что зависит от опыта и квалификации исполнителя.

Ближайшим техническим решением к предложенному является способ получения кристаллической основы для уваривания утфеля сахарного производства, предусматривающий первоначальный набор сахаросодержащего раствора, в качестве которого используют оттек утфеля первого продукта, в вакуум-аппарат до полного закрытия поверхности нагрева, сгущения оттека до достижения коэффициента пересыщения 1,25 - 1,30, заводку кристаллов путем их самопроизвольного образования в процессе выдерживания массы в вкуум-аппарате под разрежением без подогрева в течение 15 - 24 минут, закрепление образовавшихся кристаллов, их наращивание при подаче пара в поверхность нагрева и подкачке сиропа и/или оттека до достижения 88% СВ и выгрузку готовой основы из вакуум-аппарата (см. SU, авторское свидетельство N 1701750, C 13 F 1/02, 1991).

Недостаток известного способа заключается в том, что он не позволяет регулировать размеры кристаллов в основе и, таким образом, обеспечить при ее использовании необходимые размеры кристаллов в готовом утфеле.

Технический результат изобретения заключается в возможности регулирования размеров кристаллов в основе, обеспечении их однородности и улучшении качества кристаллической основы.

Этот результат достигается тем, что в предложенном способе получения кристаллической основы для уваривания утфеля сахарного производства, предусматривающем первоначальный набор сахаросодержащего раствора в вакуум-аппарат, его сгущение в нем под разрежением, заводку кристаллов путем их самопроизвольного образования, закрепление образовавшихся кристаллов, их наращивание путем подкачки сиропа и/или оттека и выгрузку готовой основы из вакуум-аппарата, в качестве сахаросодержащего раствора используют сироп с выпарки и его набор проводят до достижения объема сиропа, равного 40 - 70% от полезного объема аппарата. Сгущение сиропа ведут до достижения коэффициента пресыщения 1,35 - 1,40, а заводку кристаллов - при выдерживании сгущенного сиропа в вакуум-аппарате в течение 10 - 20 минут при температуре и разрежении, которые соответствуют температуре и разрежению в процессе его сгущения. Заданные размеры в конце процесса наращивания достигают путем определения количества сиропа, вводимого в вакуум-аппарат, перед его сгущением.

Предложенный способ заключается в следующем.

Рассчитывают необходимое количество сиропа с выпарки с 65 - 70% СВ в зависимости от заданных размеров кристаллов кристаллической основы и проводят его первоначальный набор в вакуум-аппарат до достижения объема сиропа, равного 40 - 70% от полезного объема аппарата, и сгущают под разрежением и температуре 65 - 75^oC до достижения коэффициента пересыщения 1,35 - 1,40, после чего ведут заводку кристаллов путем их самопроизвольного образования в процессе выдерживания массы в вакуум-аппарате в течение 10 - 20 минут при температуре и разрежении, которые соответствуют температуре и разрежению в процессе его сгущения. Образовавшиеся кристаллы закрепляют и наращивают путем подкачки сиропа при использовании готовой основы для варки утфеля I кристаллизации или первого оттека этого утфеля при использовании основы при варке утфеля II кристаллизации.

Заданные размеры кристаллов в готовой основе в конце процесса наращивания достигают путем определения количества сиропа, вводимого в вакуум-аппарат перед его сгущением.

Сущность регулирования размера кристаллов в кристаллической основе заключается в том, что при меньшем начальном наборе сиропа (40%), уваривании до одного и того же коэффициента пересыщения (1,35) и самопроизвольном образовании кристаллов в течение одного и того же времени (10 мин) с последующим наращиванием кристаллов до полного объема, (100%), размер кристаллов в кристаллической основе будет больше, чем при получении кристаллической основы в тех же условиях, при большем первоначальном наборе (70%).

Пример 1 В вакуум-аппарате создают разрежение 0,02 МПа и набирают заранее рассчитанное количество сиропа с выпарки 65% СВ, при этом набор проводят до достижения его объема, равного 40% от полезного объема аппарата. Сгущают сироп при температуре 75^oC до достижения пересыщения 1,35 и заводят кристаллы в процессе его выдерживания в течение 10 минут при той же температуре и разрежении, при которых протекает сгущение. Закрепляют и наращивают кристаллы путем подкачки исходного сиропа до полного полезного объема аппарата и достижения заданных размеров кристаллов 0,2 - 0,3 мм и готовую кристаллическую основу выгружают в утфелемешалку.

Полученная кристаллическая основа содержит однородные по размеру кристаллы и позволяет при ее использовании получать утфели также с однородными по размеру кристаллами и, таким образом, улучшить качество готового продукта.

Пример 2 В вакуум-аппарате создают разрежение 0,02 МПа и набирают заранее рассчитанное количество сиропа с выпарки с СВ 65%, необходимое для заполнения 70% от полезного объема аппарата. Сгущают сироп при температуре 75^oC до достижения коэффициента пересыщения 1,35 и заводят кристаллы в процессе его выдерживания в течение 10 минут при той же температуре и разрежении, при которых протекает сгущение. Закрепляют и наращивают кристаллы путем подкачки исходного сиропа до полного полезного объема аппарата и достижения заданных размеров кристаллов 0,1 - 0,2 мм, готовую кристаллическую основу выгружают в утфелемешалку.

Формула изобретения

Способ получения кристаллической основы для уваривания утфеля сахарного производства, предусматривающий первоначальный набор сахаросодержащего раствора в вакуум-аппарат, его сгущение в нем под разрежением, заводку кристаллов путем их самопроизвольного образования, закрепление образовавшихся кристаллов, их наращивание путем подкачки сиропа или оттека и выгрузку готовой основы из вакуум-аппарата, отличающийся тем, что в качестве сахаросодержащего раствора используют сироп с выпарки и его набор проводят до достижения объема сиропа, равного 40-70% от полезного объема аппарата, при этом сгущение сиропа ведут до достижения коэффициента пересыщения 1,35 - 1,40, а заводку кристаллов - при выдерживании сгущенного сиропа в вакуум-аппарате сиропа в течение 10-20 мин при температуре и разрежении, которые соответствуют температуре и разрежению в процессе его сгущения, причем заданные размеры кристаллов в конце процесса наращивания достигают путем определения количества сиропа, вводимого в вакуум-аппарат перед его сгущением.