Радиатор для охлаждения силового полупроводникового прибора
Использование: полупроводниковая техника для охлаждения полупроводниковых приборов, в том числе приборов большой мощности, имеющих большой диаметр оснований, при естественном охлаждении. Сущность изобретения: радиатор содержит основание в виде чередующихся пластин двух видов, соединенных между собой, ребра в виде отогнутых свободных концов пластин основания, распложенных параллельно друг другу и на одинаковом расстоянии, и опорную площадку, образованную торцевыми поверхностями соединенных между собой пластин основания. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности охлаждения. 2 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для охлаждения полупроводниковых приборов, в том числе приборов большой мощности, имеющих большой диаметр оснований, при естественном охлаждении, и может быть использовано в преобразовательных устройствах.
Известен радиатор, содержащий основание в виде соединенных между собой пластин, ребра в виде отогнутых концов пластин и опорную площадку для полупроводникового прибора, образованную плоской стороной пакета пластин [1]. Недостатком данного устройства является низкая эффективность охлаждения. Наиболее близким устройством того же назначения к заявляемому устройству по совокупности признаков является радиатор для охлаждения силового полупроводникового прибора, содержащий основание в виде соединенных между собой пластин, ребра в виде отогнутых свободных концов пластин основания, расположенных на одинаковом расстоянии друг от друга, опорную площадку для полупроводникового прибора [2]. Недостатком известного охладителя является недостаточная эффективность охлаждения из-за неравномерного зазора между ребрами. При использовании данного охладителя для охлаждения мощных полупроводниковых приборов, имеющих большую площадь основания, необходимо увеличить количество пластин или их толщину, вследствие чего уменьшается зазор между ребрами охладителя. Задача изобретения - повышение эффективности охлаждения. Для решения поставленной задачи предлагается радиатор для охлаждения силового полупроводникового прибора, содержащий основание в виде соединенных между собой пластин, опорную площадку для полупроводникового прибора, образованную торцевыми поверхностями соединенных между собой пластин основания, ребра в виде отогнутых свободных концов пластин основания, расположенных на одинаковом расстоянии друг от друга, причем основание выполнено из двух видов пластин, чередующихся между собой; вид пластин, выступающих за пределы основания, образует ребра, расположенные параллельно друг другу. На фиг. 1 изображен общий вид (вид сверху) предлагаемого радиатора. На фиг. 2 - вид спереди. Радиатор содержит основание - 1, которое состоит из соединенных с помощью крепежных элементов пластин из термопроводящего материала, опорную площадку - 2 для полупроводникового прибора, образованную торцевыми поверхностями соединенных между собой пластин основания, ребра - 3, образованные свободными концами пластин, выступающими за пределы основания и имеющими форму, обеспечивающую параллельное их расположение, промежуточные пластины - 4, которые не выступают за пределы основания и чередуются с пластинами-ребрами. Промежуточные пластины увеличивают площадь опорной площадки охладителя до необходимых размеров и отводят часть тепла, выделяемого полупроводниковым прибором, и передают тепло через боковую поверхность на ребра охладителя. Эффективная передача тепла, выделяемого полупроводниковым прибором, обеспечивается за счет непосредственного соприкосновения полупроводникового прибора с торцевыми поверхностями соединенных между собой пластин. За счет теплопроводности пластин тепло распространяется вдоль пластин и рассеивается в окружающую среду. Параллельное расположение ребер позволяет обеспечить беспрепятственное прохождение теплоносителя в промежутках между ребрами и равномерное обтекание теплоносителя. Изобретение позволяет при использовании алюминиевых пластин собрать охладитель с более эффективным охлаждением и тем самым увеличить максимально допустимый ток полупроводникового прибора при естественном охлаждении на 20-25%. Использованные источники. 1. Авторское свидетельство СССР N 1594724, кл. H 01 L 23/34, 1990. 2. Авторское свидетельство СССР N 1714724, кл. H 01 L 23/34, опубл. 23.02.92.Формула изобретения
Радиатор для охлаждения силового полупроводникового прибора, содержащий основание в виде соединенных между собой пластин, опорную площадку для полупроводникового прибора, образованную торцевыми поверхностями соединенных между собой пластин основания, ребра в виде отогнутых свободных концов пластин основания, расположенных на одинаковом расстоянии друг от друга, отличающийся тем, что основание выполнено из двух видов чередующихся пластин, причем пластины, выступающие за пределы основания и образующие ребра, расположены параллельно друг другу.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2
Похожие патенты:
Многоэлементный полупроводниковый свч-прибор // 1118242
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к полупроводниковым СВЧ-приборам, таким, например, как лавинно-пролетные диоды, применяемым для генерации, усиления, преобразования и умножения сигналов сверхвысоких частот
Радиатор // 436408
Устройство для испарительного охлаждения // 429565
Патент 414657 // 414657
Устройство для охлаждения // 405144
Полупроводникового прибора // 253931
Теплоотвод (варианты) // 2589942
Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к теплоотводам полупроводниковых приборов повышенной мощности, и может быть использовано в различных теплотехнических устройствах, работающих с большими удельными тепловыми нагрузками. Теплоотвод для охлаждения по крайней мере одного локального источника тепла содержит основание в виде алмазной пластины. На указанном основании закреплена слоистая структура из теплопроводящих пластин. Пластины слоистой структуры расположены параллельно основанию. При этом часть смежных поверхностей указанных пластин имеет тепловой контакт, а в областях между остальными частями этих поверхностей расположено теплоемкое вещество. Технический результат - повышение мощности отводимой от локального источника тепла (полупроводникового прибора) при увеличении времени работы последнего. 8 з.п. ф-лы, 1 ил.
Использование: для монтажа и демонтажа, по крайней мере, одной полупроводниковой микросхемы. Сущность изобретения заключается в том, что корпус микросхемы состоит из фланца и подложки с размещением, по крайней мере, одной микросхемы и подложки на одной стороне фланца, фланец изготавливается из электро- и теплопроводного материала, при этом сборный корпус микросхемы содержит, по крайней мере, одно охлаждающее устройство, а также электрическую изоляцию между выводами, по крайней мере, одной микросхемы и, по крайней мере, одним охлаждающим устройством. Технический результат: обеспечение возможности высокоэффективного отвода тепла. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 2 ил.
Настоящее изобретение относится к полупроводниковому прибору для поверхностного монтажа. Устройство с одним или несколькими приборами для поверхностного монтажа, смонтированными на несущей подложке, причем полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа содержит один полупроводниковый элемент, смонтированный на подложке (1) прибора или интегрированный в подложку (1) прибора, причем подложка (1) прибора имеет верхнюю поверхность и нижнюю поверхность и имеет одну или несколько контактных площадок (2) электрического соединения первой высоты и одну площадку (3) теплового контакта второй высоты, расположенные на нижней поверхности подложки (1) прибора, вторая высота площадки (3) теплового контакта больше, чем первая высота контактной площадки (площадок) (2) электрического соединения, площадка (3) теплового контакта отделена от площадки (площадок) (2) электрического контакта канавкой или зазором, упомянутая несущая подложка содержит металлическую пластину (7) или слой металлической основы, покрытый диэлектрическим слоем (8), на котором расположен электропроводящий слой (9), причем упомянутый электропроводящий слой (9) и упомянутый диэлектрический слой (8) не присутствуют или удалены под площадкой (3) теплового контакта упомянутого прибора и под частью упомянутой канавки или упомянутого зазора, при этом упомянутая площадка (3) теплового контакта соединена термически посредством слоя (5) межсоединений теплового контакта с металлической пластиной (7) или слоем металлической основы, а упомянутые контактные площадки (2) электрического соединения соединены электрически посредством слоя (5) межсоединений электрического контакта с электропроводящим слоем (9), при этом разница по высоте первой высоты и второй высоты равна сумме толщин электропроводящего слоя (9) и диэлектрического слоя (8). Изобретение обеспечивает возможность монтажа просто и надежно непосредственно соединить площадку теплового контакта с металлической подложкой изолированной металлической подложки. 10 з.п. ф-лы, 2 ил.
