Пленочный датчик электрического поля

 

Изобретение относится к устройствам, используемым в электронной технике, при действии сильных электрических полей. Пленочный датчик электрического поля создан на основе перекристаллизованной пленки n-InSb (полученной перекристаллизацией в вакууме) на слюдяной подложке с низкоомными включениями двухфазной системы р-InSb+In, пленка n-InSb имеет толщину 1 - 2 мкм, концентрацию носителей заряда n = (3 - 5)·10¹⁷ см^-3, электропроводность σ = (1,5 - 2,0)·10³ Ом^-1см^-1 и подвижность носителей заряда μ = (2,9 - 3,0)·10⁴ см²/(В·с) при Т = 300 К, что позволяет достигать значений плотности тока j = (4 - 6)·10⁴ А/см² при Е = (30 - 40) В/см в диапазоне температур 77 - 300 К.

Область техники, к которой относится изобретение.

Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике, при действии сильных электрических полей.

Уровень техники.

Монокристаллические датчики электрического поля характеризуются выполнением закона Ома до напряженности электрического поля E = 30 - 40 В/см при плотности тока j = (10² - 10⁴) А/см² в диапазоне температур 77 - 300 К (RU 95104014, G 01 B 11/16, 21.03.95. Никольский Ю.А.).

Сущность изобретения.

Пленочный датчик электрического поля на основе перекристаллизованной пленки n-InSb толщиной 1 - 2 мкм на слюдяной подложке с концентрацией носителей заряда n = (3 - 5)·10¹⁷ см^-3, электропроводностью σ = (1,5 - 2,0)·10³ Ом^-1см^-1 и подвижностью носителей заряда μ = (2,9 - 3,0)·10⁴ см²/(В·с) при Т = 300 К может достигать при выполнении закона Ома (σ = const) значений плотности тока j = (4 - 6)·10⁴ А/см² при E = (30 - 40) В/см в диапазоне температур 77 - 300 К.

Сведения, подтверждающие возможность осуществления изобретения.

Пленка n-InSb, полученная термической перекристаллизацией в вакууме на слюдяной подложке, представляет монокристаллическую матрицу n-InSb стехиометрического состава с низкоомными включениями двухфазной системы InSb + In p-типа проводимости. Пленочный датчик электрического поля изготавливают из такой пленки, для чего на нее напыляют индиевые контакты, к которым припаивают эвтектическим сплавом In + Sn медные проволочки для измерения тока и напряжения.

Формула изобретения

Пленочный датчик электрического поля, содержащий перекристаллизованную пленку антимонида индия n-типа проводимости, на слюдяной подложке, с низкоомными включениями двухфазной системы p - InSb + In, отличающийся тем, что пленка n - InSb, получена перекристаллизацией в вакууме, имеет толщину 1 - 2 мкм, концентрацию носителей заряда n = (3 - 5) · 10¹⁷ см^-3, электропроводность σ = (1,5 - 2,0) · 10³ Ом^-1см^-1 и подвижность носителей заряда μ = (2,9 - 3,0) · 10⁴ см²/(В·с) при T = 300 К, что позволяет достигать значений плотности тока j = (4 - 6) · 10⁴ А/см² при E = 30 - 40 В/см в диапазоне температур 77 - 300 К.