Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата (la3ga5,5ta0, 5о14)

 

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата методом Чохральского. Технический результат изобретения - получение поликристаллической шихты в компактном виде, в форме профилированных таблеток для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата и сокращение предварительных операций на ее подготовку с тем, чтобы создать экономически рациональный процесс получения высококачественных монокристаллов. Для этого при твердофазном синтезе осуществляют смешивание оксида лантана, оксида галлия и оксида тантала в соотношении La2O3 : Ga2O3 : Ta2O5 = 4,42 : (4,67-4,69) : 1, последующий их нагрев до температуры 1430-1450oC и выдержку в течение 6 ч. 1 табл.

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата методом Чохральского.

Известен способ синтеза шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений путем нагрева смесей соответствующих химически чистых оксидов, взятых в определенном соотношении, до температуры 1150-1200oC с последующей выдержкой при этой температуре в течение 4-5 часов (Монолитные фильтры на основе кристаллов лангасита, работающие на основных колебаниях сдвига /Сахаров С.А., Ларионов И.М., Медведев А.В.// Зарубежная радиоэлектроника, N 9-10, 1994).

Недостатком данного способа является то, что получают многофазную смесь, содержание в которой конечного продукта составляет менее 5%, а более 90% - смесь галлата лантана и оксида галлия, что при последующем направлении способствует улетучиванию оксида галлия, а следовательно, нарушению стехиометрического состава используемых для синтеза оксидов, что снижает качество получаемых монокристаллов. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата La3Ga5,5Na0,5O14) (Милль Б. В. и др. "Доклады АН СССР, 1982, т. 264, N 6, с. 1385-1389), согласно которому смешивают исходные оксиды, прессуют, нагревают до 1410-1430o и спекают.

Недостатком данного способа является - трудоемкость процесса из-за использования промежуточных операций, а следовательно, использование дополнительного оборудования и соответствующих дополнительных веществ, что приводит к загрязнению шихты; - невозможность получения профилированных таблеток лантангаллиевого танталата; Задачей предлагаемого изобретения является получение в компактном рациональном виде (в форме таблеток) поликристаллической шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата при сокращении предварительных операций на ее подготовку с тем, чтобы создать экономичный рациональный процесс получения высококачественных монокристаллов.

Указанная техническая задача решается за счет того, что в известном способе твердофазного синтеза, включающем смешивание исходных оксидов элементов, входящих в состав формулы выращиваемого монокристалла (La3Ga5,5Na0,5O14, взятых в определенном соотношении, нагрев их до температуры синтеза и спекание, смешивание исходных оксидов протекает в соотношении La2O3: Ga2O3: Ta2O2= (4,42): (4,67- 4,69):1, нагрев осуществляется до температуры 1430-1450oC, а спекание в течение 6 часов.

Сопоставительный анализ заявляемого решения с известным показывает, что заявляемый способ отличается от известных тем, что смешивание исходных оксидов лантана, галлия и тантала происходит в соотношении La2O3:Ga2O3:Та2O5= (4,42): (4,67-4,69): 1, нагрев осуществляют до температуры 1430-1450oC, а спекание в течение 6 часов. Использование в способе определенного соотношения при смешивании исходных оксидов, а именно La2O3:Ga2O3:Ta2O5=(4,42): (4,67-4,69): 1, позволяет избежать нарушение стехиометрии в расплаве при последующем выращивании монокристаллов лантангаллиевого танталата, а следовательно, получить высококачественные монокристаллы танталата.

Нагрев смеси исходных оксидов: La2O3, Ga2O3, Ta2O5 до температуры 1430-1450oC позволяет получить практически 100% выход лантангаллиевого танталата. Спекание же смеси в течение 6 ч позволяет получить поликристаллическую шихту в рациональном компактном виде, в форме профилированных таблеток лантангаллиевого танталата, которые дают возможность при выращивании монокристаллов проводить наплавление шихты за один прием и получать качественные кристаллы. Спекание смеси менее 6 часов не дает возможность получать таблетированную шихту, форма которой влияет на многостадийность процесса наплавления в тигель для последующего выращивания монокристаллов, а следовательно, и на качество получаемых монокристаллов. Выдержка более 6 часов экономически нецелесообразна.

Примеры конкретного выполнения (см. таблицу):2306,21 г исходной смеси, в которой соотношение La2O3:Ga2O3:Ta2O5= 4,42:(4,67-4,69:1 смешивали в полиэтиленовой банке с использованием смесителя типа "пьяной бочки", загружали в алундовый тигель, а именно в пространство между его внутренними стенками и алундовой трубкой, установленной в центральной части тигля. Диаметр алундового тигля был 120 мм, равный диаметру иридиевого тигля, из которого в дальнейшем выращивали монокристалл лантангаллиевого танталата. Тигель устанавливали в печь и проводили нагрев до температуры (1430 -1450)oC и выдержку в течение 6 часов. В результате спекания получали профилированную таблетку с отверстием вдоль ее оси. Спекание трех навесок исходной смеси оксидов, массой 2306,21 г каждая, позволяет получить три профилированных таблетки, общий вес которых дает возможность сразу наплавить полный объем иридиевого тигля, из которого в дальнейшем будет выращиваться монокристалл.

Твердофазный синтез шихты для выращивания монокристаллов лантагаллиевого танталата проводили аналогично описанному выше примеру, изменяя при этом соотношение между исходными оксидами, температуру спекания и время спекания. Результаты опытов представлены в таблице. Как видно из данной таблицы, проведение твердофазного синтеза с другими технологическими параметрами, отличными от заявленных в данном способе, не позволяет получить качественной компактной поликристаллической шихты лантангаллиевого танталата в виде профиллированных таблеток.

Таким образом, заявленный способ позволяет получать качественную поликристаллическую шихту в компактном виде в форме профилированных таблеток для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата. Из синтезированной шихты были выращены монокристаллы лантангаллиевого танталата диаметром 2 и 3 дюйма.

Предложенный способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата позволяет - сократить количество предварительных операций; - получить поликристаллическую шихту в компактном виде, в форме профилированных таблеток необходимой массы и размеров для заполнения всего объема иридиевого тигля при выращивании из него монокристалла лантангаллиевого танталата; - избежать нарушения стехиометрии расплава, так как синтезированные таблетки полностью используются при наплавлении их в ростовой иридиевый тигель, а следовательно, получать однородные по своему составу монокристаллы.

Формула изобретения

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата (La3Ga5,5Ta0,5O14), включающий смешивание исходных оксидов элементов, входящих в состав формулы монокристалла, взятых в определенном соотношении, нагрев их до температуры синтеза и спекание, отличающийся тем, что смешивание исходных оксидов происходит в соотношении La2O3 : Ga2O3 : Ta2O5 = (4,42) : (4,67 - 4,69) : (1), нагрев осуществляют до температуры 1430 - 1450oC, а спекание в течение 6 ч.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата методом Чохральского

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Изобретение относится к гидротермальным способам получения монокристаллов ортониобата сурьмы (SbNbO4) и может быть использовано в пьезо- и пироэлектрической областях для создания различных электронных устройств в новой технике
Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов танталата лития, используемых в электронной технике
Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающему возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов метаниобата лития, используемых в электронной технике

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов твердых растворов (Sbi-x Bix) Та04, которые могут быть использованы в пьезоэлектрической области

Изобретение относится к химическому синтезу монокристаллов на основе танталата калия-лития и может быть использовано в оптических затворах и модуляторах, а также в СВЧ-резонаторах

Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов сложных окислов из расплава и может быть использовано для получения кристаллов LiNbOs и Gda(Mo04)3

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата методом Чохральского

Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов на основе оксидов для выращивания монокристаллов, в частности лантангаллиевого силиката (ЛГС)
Изобретение относится к области производства синтетических драгоценных камней

Изобретение относится к получению монокристалла -BaB2O4(ВBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения

Изобретение относится к порошку комплексного оксида металла, содержащему по крайней мере два металлических элемента, который используют в качестве исходного порошка оксидной керамики, которую используют в качестве функционального материала для конструктивного материала, который используют в диспергированном состоянии в качестве наполнителя или пигмента, или который используют в качестве исходного порошка для получения монокристалла или покрытия, нанесенного методом пламенного распыления, и к способу его получения

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к кристаллам для нелинейной оптики
Наверх