Иттрий-алюминиевый сложный оксид в качестве кристаллической среды для лазерных кристаллов

 

Изобретение относится к получению нового сложного оксида на основе иттрия и алюминия, являющегося перспективным материалом для оптоэлектроники. В частности, данный сложный оксид после активации ионами Сr3+ или Ln3+ (в частности, Nd3+, Yb3+) может использоваться в качестве лазерного материала. Сущность изобретения состоит в создании нового сложного оксида состава Y2(Be0,5B0,5)2A1O7, кристаллизующегося в структуре семейства мелилита, что предопределяет возможность промышленного производства этих кристаллов. Кристаллы размером 15 мм и длиной 30 мм хорошего оптического качества были выращены на ростовой установке "Кристалл-3" (атмосфера выращивания - азот/кислород с относительной объемной концентрацией 98/2; иридиевый тигель 40х2х40 мм; температура на поверхности расплава около 1650oС; затравка - иридиевый стержень; скорость вытягивания 1,5-3 мм/ч; скорость вращения штока 10 об/мин; теплоизоляция ростовой камеры - керамика А12О3, ZrO2).

Изобретение относится к получению нового сложного оксида на основе иттрия и алюминия, являющегося перспективным материалом для оптоэлектроники. В частности, данный сложный оксид после активации ионами Cr3+ или Ln3+ (в частности, Nd3+, Yb3+) может использоваться в качестве лазерного материала.

Сложные оксиды со структурами, например, корунда, граната, активированные ионами хрома (корунд, гранат) и неодима (гранат) уже находят применение в лазерной технике [патент РФ 2038434, б.и. 18, 1995 г., с. 175, МКИ C 30 B 29/28].

Из всех активных сред сегодня наиболее широкое применение в квантовой электронике находят кристаллы иттрий-алюминиевого граната (ИАГ), активированного ионами Nd3+ (Y3Al5O12 : Nd-ИАГ : Nd) [Каминский А.А., Аминов Л.К., Ермолаева В.Л. "Физика и спектроскопия лазерных кристаллов". М.: Наука, 1986 г. ] . Это объясняется удачным сочетанием удовлетворительных спектрально-генерационных свойств с высокой механической прочностью, твердостью, высокой теплопроводностью и прозрачностью в широком спектральном диапазоне.

Однако кристаллу ИАГ: Nd3+ присущ ряд серьезных недостатков. Так, недостаточно высокой является поглощательная способность этой активной среды. Кроме того, вследствие низкого коэффициента распределения ионов Nd3+ (KNd = 0,18) качественные монокристаллы ИАГ: Nd3+ можно получить лишь при низких скоростях вытягивания порядка 1 мм/ч.

Задачей данного изобретения является создание нового сложного оксида состава Y2(Be0,5B0,5)2AlO7, кристаллизующегося в структуре семейства мелилита, который был получен по методу Чохральского, что предопределяет возможность промышленного производства этих кристаллов. Кристаллы диаметром 15 мм и длиной 30 мм хорошего оптического качества были выращены на ростовой установки "Кристалл-3" (атмосфера выращивания азот-кислород - N2/O2 с относительной объемной концентрацией 98/2; иридий тигель 40х2х40 мм; температура на поверхности расплава около 1600oC; затравка - иридиевый стержень; скорость вытягивания 1,5 -3 мм/ч; скорость вращения штока 10 об/мин; теплоизоляция ростовой камеры - керамика Al2O3, ZrO2.

В качестве исходных материалов для приготовления шихты использовались высокочистые порошки оксидов иттрия, алюминия, бериллия, оксид бора. Вещества взвешивались в следующем весовом соотношении: оксид иттрия - 67,08-76,10%, оксид бора - 7,51-10,34%, оксид алюминия - 11,00-15,15%, оксид бериллия - остальное содержание до 100%. Вещества тщательно перемешивали, и смесь прессовали в виде таблеток диаметром 30 мм. Таблетки отжигали в муфельной печи при температуре 1200oС в течение 20 ч, после чего таблетки загружали в тигель, плавили и выращивали кристалл.

Состав и строение кристалла Y2(Be0,5В0,5)2АlO7 определены методом рентгеноструктурного анализа: Тетрагональная сингония Пространственная группа: Р-421m Параметры ячейки: а=7,267(8), с=4,708(11)А Объем ячейки: 248,7(7)А3 Молекулярная масса: 336 Число формульных единиц в ячейке: 2 Плотность: 4,518 г/см3 В структуре данного соединения атомы ирридия находятся в искаженных восьмивершинниках - скрученных (томсоновских) кубах, атомы алюминия занимают центры правильных тетраэдров, а атомы (Ве,В) находятся в диортогруппах (Ве, В)2О7. Присутствие в структуре Y2(Be0,5B0,5)2AlO7 додекаэдрической позиции (аналогичная позиция есть в структуре граната) делает возможным введение Ln-активаторов (в частности, Nd3+, Yb3+) в позицию Y3+, а также одновременно в две кристаллографические позиции: додекаэдрическую (ионов Ln3+) и тетраэдрическую (ионов Сr3+).

Съемка обкатанного в сферу монокристаллического образца проведена на дифрактометре CAD-4 [Enraf-Nonius. CAD-4 Software. Version 5.0. Enraf-Nonius. Delft. The Netherlands. 1989.] при комнатной температуре (MoK излучение, графитовый монохроматор, - сканирование, интервал сканирования 1,1+0,345tg, скорость сканирования 1-7 град/мин). Параметры ячейки уточнены по 24 отражениям в угловом интервале 21.0<<21.5. Первичная обработка дифракционных данных проводилась по комплексу программ WinGX-96 [Farrugia L. J. WinGX-96. X-Ray Crystallographic Programs for Windows. Version 1.5a. University of Glasgow. UK. 1996.], причем для кристалла Y2AlBeBO7 вводилась аналитическая поправка на поглощение по сфере [North А.С.T., D.C.Phillips., Mathews F. S. Acta Cryst. 1968. V. A24. P. 351]. Кристаллическая структура соединений уточнена полноматричным МНК в анизотропном приближении для атомов с использованием комплекса программ SHELXL-97 [Sheldrick G.M. SHELXL-97. Program for the Refinement of Crystal Structures. University of Gottingen. Germany. 1997] при учете атомных кривых рассеяния для нейтральных атомов.

Формула изобретения

Иттрий-алюминиевый сложный оксид состава Y2(Be0,5B0,5)2AlO7 в качестве кристаллической среды для лазерных кристаллов.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области лазерной техники и более конкретно - к лазерным медицинским инструментам для стоматологических, дерматологических, оторинологических применений, в том числе с использованием эндоскопов

Изобретение относится к оптической схеме для ослабления оптического шума

Изобретение относится к области лазерной техники и промышленно применимо в перестраиваемых лазерах для целей волоконно-оптической связи и спектроскопии

Изобретение относится к области оптоэлектроники и интегральной оптики, в частности к способу получения направленного когерентного излучения света устройствами микронного размера

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к материалам для лазерной техники и предназначено для применения в твердотельных лазерах с длиной волны стимулированного излучения в интервале от 1,9 мкм до 2,0 мкм

Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к конструкции активного элемента лазера, и может быть использовано при создании лазеров на красителях в твердой матрице
Изобретение относится к активным материалам для оптических квантовых генераторов и усилителей и может быть использовано в тонкопленочных лазерах, предназначенных для применения в интегральной оптике

Изобретение относится к кристаллам для нелинейной оптики

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата методом Чохральского

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата методом Чохральского

Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов на основе оксидов для выращивания монокристаллов, в частности лантангаллиевого силиката (ЛГС)
Изобретение относится к области производства синтетических драгоценных камней

Изобретение относится к получению монокристалла -BaB2O4(ВBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения

Изобретение относится к порошку комплексного оксида металла, содержащему по крайней мере два металлических элемента, который используют в качестве исходного порошка оксидной керамики, которую используют в качестве функционального материала для конструктивного материала, который используют в диспергированном состоянии в качестве наполнителя или пигмента, или который используют в качестве исходного порошка для получения монокристалла или покрытия, нанесенного методом пламенного распыления, и к способу его получения

Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов вытягиванием их из расплава с вращением с применением формообразователей и может быть использовано для получения монокристаллических труб и стержней с периодически изменяющимся содержанием примеси по длине кристалла
Наверх