Электролит для получения пористого кремния

 

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для получения люминесцентных экранов и индикаторов. Предложен электролит для получения пористого кремния путем электрохимического травления монокристаллического кремния, содержащий 50%-ный водный раствор плавиковой кислоты и этанол, взятые в соотношении 1: 1, дополнительно ввести двуокись кремния, концентрация которой не превышает 2 моль/л. Предлагаемый электролит обеспечивает сдвиг спектра фотолюминесценции пористого кремния в видимую область спектра. 1 табл.

Изобретение относится к области электронной техники и, в частности, к изготовлению люминесцентных информационных экранов и индикаторов, В настоящее время пористый кремний представляет особый интерес как материал, на основе которого можно реализовать интегральные схемы с оптическими каналами передачи и обработки сигнала, элементы плоских матричных экранов со встроенными схемами управления и т.п.

Критериями функционального качества получаемых слоев пористого кремния служат спектр и квантовый выход их фотолюминесценции, т.к., во-первых, вид спектра во многом определяется средним размером структурных элементов пористого слоя, а во вторых, спектры фото- и электролюминесценции пористого кремния часто совпадают.

Известен электролит для получения слоя пористого кремния электрохимическим травлением монокристаллического кремния, выполненный в виде раствора плавиковой кислоты, этанола и воды (1).

К недостаткам используемого электролита следует отнести то, что даже для лучших образцов, полученных после травления в нем, спектр фотолюминесценции лежит в красной или оранжево-красной области спектра с пиком интенсивности, соответствующим max 650 нм (1), в то время как для создания светоизлучающих структур на основе пористого кремния необходимо иметь возможность управлять спектром фотолюминесценции (и соответственно - электролюминесценции) пористого кремния так, чтобы он перекрывал нужный участок видимого диапазона, т. е. формировать необходимый спектр излучения непосредственно в технологическом процессе изготовления пористого кремния. Для модификации спектра излучения пористого кремния в этом случае приходится использовать дополнительные специальные методы обработки пористого кремния, которые дают частные результаты, не решая проблемы в целом.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является электролит (2), состоящий из 50%-ного водного раствора плавиковой кислоты и этанола, взятых в объемных отношениях 1:1. В этом случае на кремний n-типа, легированный фосфором, с удельным сопротивлением 1-3 Омсм и ориентацией [100] при анодном травлении в указанном электролите в течение 10 мин при плотности тока 10 мА/см2 облучении УФ-лампой поверхности образца удается получить слой пористого кремния, максимум спектра ФЛ которого соответствует длине волны max = 635 нм. В качестве недостатка известного электролита можно отметить следующее: формирование слоев пористого кремния в этом электролите не позволяет получать структуры с таким характерным размером, который обеспечивал бы спектры фото- и электролюминесценции в заданном интервале видимой области спектра с max < 635 нм (3). Задачей настоящего изобретения является создание электролита, обеспечивающего формирование слоев пористого кремния, спектры фотолюминесценции которых перекрывают всю видимую область спектра.

Техническим результатом, который может быть получен при использовании изобретения, является уменьшение характерного размера структурных элементов слоя пористого кремния, обеспечивающее сдвиг спектра фото- и электролюминесценции в нужную сторону.

Указанный технический результат достигается тем, что электролит для получения пористого кремния путем электрохимического травления монокристаллического кремния содержит 50%-ный водный раствор плавиковой кислоты и этанол, взятые в соотношении 1:1, при этом в его состав введена дополнительно двуокись кремния, концентрация которой не превышает величины, равной 2 моль/л.

При увеличении концентрации двуокиси кремния (диоксида кремния) в электролите спектр фотолюминесценции пористого кремния сдвигается в синюю область. Это связано с тем, что диоксид кремния, реагируя с плавиковой кислотой, образует кислоту H2SiF6: SiO2 + 6HF = H2SiF6 + 2Н2О, которая интенсифицирует процесс образования пористого кремния. В результате характерный размер структуры пористого кремния уменьшается, что приводит к необходимому сдвигу спектра. При концентрации диоксида кремния более 2 моль/л режим формирования пористого кремния сменяется режимом электрохимического травления. Нижний предел концентрации добавки определяется возможностями измерений. В нашем случае это 0,01 моль/л.

Ниже приводится пример реализации изобретения.

Пластины монокристаллического кремния марки КЭФ 4,5 (легирующая примесь - фосфор, удельное сопротивление - 4,5 Омсм, ориентация - [100]) подвергались электрохимической обработке в электролите на основе 50%-ного водного раствора плавиковой кислоты и этанола, взятых в объемном соотношении 1:1, с добавлением диоксида кремния марки ОСЧ 12-6 в биполярной ячейке при положительном потенциале на пластине. Формирование пористого кремния проводилось в течение 10 мин при плотности тока 10 мА/см2 при освещении рабочей поверхности УФ-лампой мощностью 150 Вт. Спектр фотолюминесценции измерялся по стандартной методике. Возбуждение люминесценции проводилось при помощи Уф лазера с длиной волны 388 нм. Результаты измерений приведены в таблице.

Таким образом, предлагаемый электролит позволяет формировать слои пористого кремния, спектр фотолюминесценции которых перекрывает весь видимый диапазон, что делает такие структуры весьма перспективными для создания светоизлучающих диодов и плоских фото- и электролюминесцентных экранов.

Литература 1. F. Kozbowski, P. Steiner, W. Lang, H. Zandmaier "Sensor and Actuators", A, 43, 1994, p.p. 153-156.

2. P. Steiner, F. Kozbowski, M. Wielunski, W. Lang Jpn.J.App. Phys. Vol. 33, 1994, p.p.6075-6077, part.l.Nu November 1999. (прототип).

3. В.Л. Левшин. Фотолюминесценция жидких и твердых веществ". М., Л. 1951 г.

Формула изобретения

Электролит для получения пористого кремния путем электрохимического травления монокристаллического кремния, содержащий 50%-ный водный раствор плавиковой кислоты и этанол, взятые в соотношении 1: 1, отличающийся тем, что в его состав введена дополнительно двуокись кремния, концентрация которой не превышает величины, равной 2 моль/л.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области изготовления полупроницаемых мембран для молекулярной фильтрации газовых потоков и для разделения реакционных пространств в химических реакторах

Изобретение относится к области изготовления селективных мембран для молекулярной фильтрации газовых смесей и может найти применение в компактных топливных элементах

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности полупроводниковых пластин от органических загрязнений и получению пористой поверхности кремния при изготовлении различных структур. Очистку от органических загрязнений и получение пористой поверхности полупроводниковых пластин осуществляют совместно в одну стадию в растворах HBF4 или NH4HF2, активированных озоном высокой концентрации 17% и выше. Травление полупроводниковых пластин осуществляют в концентрированных, более 10%, растворах HBF4 или NH4HF2. Применение предложенного способа очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин в растворах HBF4 или NH4HF2, активированных озоном высокой концентрации, позволит упростить технологию, понизить температуру процесса очистки, снизить энергоемкость, сократить число стадий и время обработки пластин, повысить экологическую безопасность очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к области химии, в частности к методикам наноструктурирования и модификации свойств поверхности. Изобретение может быть использовано для изменения смачиваемости поверхности кремния путем изменения пористости поверхности, в том числе для получения гидрофильных или гидрофобных поверхностей на основе кристаллического кремния. Способ включает обработку поверхности кристаллического кремния электрохимическим травлением в растворе плавиковой кислоты концентрацией от 20% до 30% при подаче тока с поверхностной плотностью 750-1000 мА/см2 в течение 5-30 секунд для получения гидрофобного кремния или подаче тока с поверхностной плотностью не более 650 мА/см2 в течение 5-30 секунд для получения гидрофильного кремния. Способ позволяет одноэтапно получать поверхности с мультимодальной пористостью нано- и микромасштаба. 4 ил.
Наверх