Диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, паста на ее основе и способ формирования антибликового покрытия

 

Группа изобретений относится к области электронной техники и может быть использована в производстве газоразрядных индикаторных панелей (ГИП). Техническим результатом является получение антибликового покрытия с высокими светотехническими параметрами способом, исключающим операции травления кислотой, это достигается тем, что диэлектрическое покрытие формируют из нанесенного, например, с помощью диэлектрической пасты слоя порошка диэлектрической композиции, включающей два легкоплавких стекла с температурой деформации Тд₁=415÷435^oC и Тд₂=(1,03÷1,1) Тд₁ и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃≥1,3 Тд₁ с последующим образованием светопоглощающей аморфной фазы в этом слое. 3 с.п. ф-лы.

Группа изобретений относится к области электронной техники и может быть использована в производстве газоразрядных индикаторных панелей (ГИП).

Известен состав для снижения бликовости поверхности, содержащий 5÷25 вес. % электропроводного материала на основе тиофена, 0,5÷3 вес.% кремнесодержащего материала и растворитель из группы, состоящей из спирта и деионизованной воды [з. РФ 97107486/09, H 01 J 31/00, 9/00, 1999 г.].

Недостатком данного состава является то, что изделия, имеющие антибликовую поверхность на основе вышеуказанного состава, не могут подвергаться обработке при температурах до 600^oС вследствие необратимых реакций между компонентами состава.

Известна диэлектрическая паста, содержащая 30÷70% частично расстеклованного порошка на основе борсиликатов Ва и Mg, 10-30% компонента, уменьшающего число проколов, например, двуокиси Si, стекла на основе борсиликата щелочноземельного металла и Аl с температурой размягчения ≥700^oС или их смесь и 20÷50% соответствующего органического связующего [з. Франции 2492396, C 09 D 11/00, 1982 г.].

Недостатком этой пасты является то, что входящее в ее состав стекло на основе борсиликата щелочного металла и Аl или их смеси не позволяют использовать ее при формировании покрытий на стеклоподложках вследствие их низкой температуры деформации, равной (605±10)^oС.

Известен способ формирования антибликового покрытия на поверхности стеклоподложки, заключающийся в активировании поверхности водным раствором Sn Cl, обработки ее водным раствором Ag NO₃, проведении химического меднения в течение 3÷15 мин при температуре раствора меднения 30÷65^oС [пат. США 4379184, 427-169, 1983 г.].

Недостатком этого способа является использование драгметаллов в сложном технологическом процессе формирования антибликового покрытия.

Известен состав для формирования антибликовой поверхности на основе золя кремниевой кислоты, стабилизированного гидроокисью лития [пат. РФ 2070749, H 01 J 17/49, 1996 г.].

Недостатком данного состава является то, что процесс формирования антибликового покрытия на его основе имеет технические сложности технологического процесса, большую трудоемкость изготовления, низкое качество антибликового покрытия.

Известна диэлектрическая паста, состоящая из 15÷55% стеклянного порошка, 15÷65% твердых частиц неорганического наполнителя, 30÷50% органического связующего [з. Великобритании 2143813, 1985 г.].

Недостатком данной пасты является то, что антибликовое покрытие, сформированное на основе указанной пасты, имеет низкий коэффициент светопропускания из-за невозможности получения тонких слоев покрытия на стеклоподложках.

Известен также способ создания антибликового покрытия с низкой отражательной и эмиссионной способностью, заключающийся в напылении на поверхность стеклоподложки серебра со скоростью, обеспечивающей агломерацию частиц серебра с образованием несплошной пленки, при этом напыление прекращают до образования агломерированными частицами серебра сплошной пленки, затем на пленку серебра напыляют медь для получения прозрачной окрашенной двухслойной пленки серебро - медь с низкой отражательной способностью [пат. США 4462884, 204-192, 1984 г.].

Недостатки этого способа: использование драгметалла, большая трудоемкость, нестабильность технологического процесса напыления.

Наиболее близкой к предлагаемой композиции в группе изобретений по совокупности признаков является диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, содержащая легкоплавкое стекло (ЛПС) с температурой деформации Тд₁ [пат. Великобритании 1390888, Н 01 С 7/00, 1975 г. - прототип].

Недостатком указанной композиции является то, что при использовании ее для формирования антибликового покрытия на стеклоподложках нельзя получить термостойкое покрытие из-за присутствия в ней легкоплавкой стеклянной фритты.

Наиболее близкой к предлагаемой диэлектрической пасте по совокупности признаков является диэлектрическая паста, содержащая органическое связующее и порошок диэлектрической композиции, включающей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁ [пат. РФ 2155400, H 01 B 3/12, 3/08, С 03 С 8/22, H 01 J 17/00, 2000 г. - прототип].

Недостатком данной пасты является то, что количество твердой фазы в ее составе составляет 60-80 вес.ч. Это не позволяет получать покрытие с малой толщиной 2-5 мкм. Вследствие этого антибликовое покрытие, сформированное на основе указанной пасты, имеет низкий коэффициент светопропускания (К _свет.), равный 40÷50%.

Наиболее близким к предлагаемому способу в группе изобретений по совокупности признаков является способ формирования антибликового покрытия, заключающийся в нанесении на стеклянную подложку слоя порошка диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁, и последующей его термообработке при температуре плавления легкоплавкого стекла [пат. РФ 2152912, С 03 С 17/04, 2000 г. - прототип].

Несмотря на то, что данный способ позволяет получать матированную поверхность с требуемыми параметрами, он очень трудоемок вследствие длительного цикла изготовления антибликового покрытия, критичен к климатическим условиям технологического процесса, что требует использования дорогостоящего оборудования, экологически вреден из-за использования кислоты для травления остатков легкоплавкого стекла.

Задачей группы изобретений является получение антибликового покрытия с высокими отвечающими требованиям, предъявляемым к индикаторам, светотехническими параметрами способом, исключающим операции травления кислотой, за счет формирования светопоглощающей аморфной фазы в процессе термической обработки.

Указанный единый технический результат при осуществлении группы изобретений по объекту-веществу достигается тем, что известная диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, содержащая легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁, содержит легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁= 415-435^oС и дополнительно включает легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₂=(1,03÷1,1) Тд₁ и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃≥1,3 Тд₁ при следующем соотношении компонентов, вес.%: Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁ - 40 - 47,5 Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₂ - 52 - 58 Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃ - 0,5 - 2,0 Использование данной диэлектрической композиции позволяет получать антибликовое покрытие, термически устойчивое при обработках при 520÷550^oС.

Указанный единый технический результат при осуществлении группы изобретений по объекту-веществу достигается тем, что в известной диэлектрической пасте, содержащей органическое связующее и порошок диэлектрической композиции, включающей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁, диэлектрическая композиция содержит легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁= 415÷435^oС и дополнительно включает легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₂=(1,03÷1,1) Тд₁ и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃≥1,3 Тд₁ при следующем соотношении компонентов, вес.%: Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁ - 40 - 47,5 Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₂ - 52 - 58 Легкоплавкое кристаллизующее стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃ - 0,5 - 2,0, при этом диэлектрическая композиция и органическое связующее взяты в количествах, соответственно, равных,10÷15, 85÷90 вес.%.

Использование данной пасты позволяет формировать слой толщиной 2-5 мкм для получения антибликового покрытия с высоким коэффициентом светопропускания (К_свет.=80÷85%).

Указанный единый технический результат при осуществлении группы изобретений по объекту-способу достигается тем, что в известном способе формирования антибликового покрытия, заключающемся в нанесении на стеклянную подложку слоя порошка диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁, и последующей его термообработке при температуре плавления легкоплавкого стекла, слой формируют толщиной 2÷5 мкм из диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁=415÷435^oС и дополнительно включающей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₂=(1,03÷1,1) Тд₁ и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃≥1,3 Тд₁ при следующем соотношении компонентов, вес.%: Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁ - 40 - 47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₂ - 52 - 58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃ - 0,5 - 2,0
а после нанесения слоя проводят его термообработку для формирования светопоглощающей аморфной фазы.

Данный способ позволяет получить антибликовое покрытие на стеклоподложках с высокими светотехническими параметрами без использования операции травления остатков легкоплавкого стекла в азотной кислоте.

Заявленная группа изобретений соответствует требованию единства изобретения, поскольку изобретение образует единый изобретательский замысел, причем два из заявленных объектов группы - диэлектрическая паста и композиция (состав) предназначены для формирования антибликового покрытия, при этом объекты заявленной группы изобретений направлены на решение одной и той же задачи с получением единого технического результата.

Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленной группы изобретения как для объектов-веществ, так и для объекта-способа, позволяет установить, что заявителем не обнаружены аналоги как для веществ, так и для способа заявленной группы, характеризующихся признаками, идентичными всем существенным признакам как диэлектрических пасты и композиции, так и способа заявленной группы изобретений, а определение из перечня выявленных аналогов прототипов, как наиболее близких по совокупности признаков аналогов, позволил выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату отличительных признаков для каждого из заявленных объектов группы, изложенных в формуле изобретения.

Следовательно, каждый из объектов заявленной группы изобретений соответствует требованию "новизна".

Дополнительный поиск известных решений с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от выбранных прототипов признаками для каждого из объектов заявленной группы изобретений, не следует для специалиста явным образом из известного уровня техники, так как не выявлены технические решения, в которых раскрывался бы состав диэлектрической композиции, обеспечивающий получение антибликового покрытия, устойчивого к повторным термическим обработкам при 520÷550^oС за счет использования в диэлектрической композиции трех стекол - легкоплавких стекол с температурами деформации Тд₁= 415÷435^oС, Тд₂= (1,03÷1,1) Тд₁ и легкоплавкого кристаллизующегося стекла с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃≥1,3 Тд₁ при следующем соотношении компонентов, вес.%:
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁ - 40 - 47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₂ - 52 - 58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃ - 0,5 - 2,0
Не выявлены технические решения, в которых бы раскрывался состав диэлектрической пасты, обеспечивающей формирование антибликового покрытия толщиной 2÷5 мкм, имеющих К_свет=80÷85% за счет использования в пасте порошка диэлектрической композиции заданного состава и органического связующего в количествах, равных 90÷85, 10÷15 вес.% соответственно.

Не выявлены технические решения, в которых антибликовое покрытие было бы сформировано способом, исключающим процесс травления в кислоте за счет формирования слоя порошка толщиной 2÷5 мкм из диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁=415÷435^oС, легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₂=(1,03÷1,1) Тд₁ и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃≥1,3 Тд₁ при следующем соотношении компонентов, вес.%:
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁ - 40 - 47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₂ - 52 - 58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃ - 0,5 - 2,0
а после нанесения слоя проводят его термообработку для формирования светопоглощающей аморфной фазы.

Таким образом, каждый из объектов заявленной группы изобретений соответствует требованию "изобретательский уровень".

Для повышения качества отображаемой информации в индикаторе на внешней поверхности лицевой стеклянной пластины формируют антибликовое покрытие, которое снижает коэффициент отражения света от внутренних и внешних источников.

Получение антибликового покрытия, применимого в индикаторах, обеспечивается за счет формирования светопоглощающей аморфной фазы диэлектрической композиции заданного состава при нанесении слоя порошка этой композиции толщиной 2-5 мкм, например, методом трафаретной печати.

Для формирования антибликового покрытия индикатора используют диэлектрическую композицию, содержащую легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁= 415÷435^oС, легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₂= (1,03÷1,1) Тд₁ и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃≥1,3 Тд₁.

В результате воздействия высоких температур на диэлектрическую композицию происходит расплавление порошка стекла с температурой деформации Тд₁, которое частично подплавляет порошок стекла с температурой деформации Тд₂, придавая ему матовый оттенок и одновременно обеспечивая его сцепление со стеклоподложкой. В результате образуется шероховатая матовая поверхность покрытия, придающая ему антибликовый эффект.

Введение в состав диэлектрической композиции стекла с температурой деформации Тд₃≥1,3 Тд₁ позволяет получить антибликовое покрытие, термически устойчивое, за счет оплавления стекла и его последующей кристаллизации. Так как температура деформации закристаллизованной формы значительно выше температуры деформации легкоплавкого стекла, то образовавшаяся трехмерная закристаллизованная структура не размягчается при дальнейших отжигах.

Если использовать легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₂ > 1,1 Тд₁, в процессе отжига диэлектрического покрытия не происходит необходимого подплавления порошка стекла с температурой деформации Тд₂. Частицы порошка стекла имеют углубленный матовый оттенок, что является следствием низкого коэффициента светопропускания антибликового покрытия, равного 50÷60%.

Если температура деформации порошка стекла Тд₂ будет меньше 1,03 Тд₁, то в процессе отжига происходит расплавление стекла с температурой деформации Тд₂. В результате поверхность антибликового покрытия близка к полированной и эффект антиблика отсутствует.

Использование порошка легкоплавкого кристаллизующегося стекла с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃<1,3 Тд₁ не обеспечивает термическую устойчивость антибликового покрытия вследствие того, что температура деформации закристаллизованной формы близка к температуре отжига антибликового покрытия, в процессе которого происходит размягчение образовавшейся трехмерной структуры.

Качество антибликового покрытия зависит и от количественного содержания компонентов, входящих в состав диэлектрической композиции.

Если содержание в диэлектрической композиции порошка ЛПС с температурой деформации Тд₁<40%, то в процессе отжига из-за недостатка порошка не происходит подплавление порошка ЛПС с температурой деформации Тд₂=(1,03÷1,1) Тд₁ во всем объеме и закрепление его на стеклоподложке. В результате антибликовое покрытие имеет низкий К_свет. и недостаточную адгезию покрытия.

Количество порошка ЛПС с температурой деформации Тд₁>47,5% приводит к тому, что в процессе отжига антибликового покрытия наблюдается полное расплавление в нем порошка легкоплавкого стекла с температурой деформации Тд₂ и не происходит образования аморфной фазы, поэтому антибликовый эффект отсутствует.

Если диэлектрическая композиция содержит порошок ЛПС с температурой деформации Тд₂=(1,03÷1,1) Тд₁ в количестве менее 52%, то в этом случае антибликовый эффект будет минимальным, т. к. в процессе отжига не образуется достаточное количество частиц, имеющих матовый оттенок.

При содержании в диэлектрической композиции порошка ЛПС с температурой деформации Тд₂= (1,03÷1,1) Тд₁>58% коэффициент светопропускания антиблика равен 60% и менее вследствие того, что антибликовое покрытие имеет в основной массе неподплавленные матовые частицы указанного порошка ЛПС.

Если содержание порошка легкоплавкого кристаллизующегося стекла с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃≥1,3 Тд₁<0,5%, то этого количества недостаточно для получения жесткой закристаллизованной структуры.

При количестве порошка этого стекла >2% качество структуры не ухудшается, но К_свет. уменьшается, т.к. порошок ЛПС с указанной температурой имеет темный цвет.

Антибликовый эффект покрытия на основе заявленной диэлектрической композиции зависит от распределения ее частиц в сформированном из нее слое на стеклоподложке.

Оптимальное распределение частиц диэлектрической композиции на стеклоподложке обеспечивается с помощью диэлектрической пасты со следующим соотношением компонентов, вес.%: диэлектрическая композиция - 10÷15%, органическое связующее - 85÷90%.

При содержании в диэлектрической пасте диэлектрической композиции менее 10% и органического связующего более 90% формируемое покрытие имеет слабо выраженный антибликовый эффект вследствие дискретного неравномерного распределения частиц диэлектрической композиции.

Когда содержание органического связующего в диэлектрической пасте менее 85%, диэлектрической композиции - более 15%, формируемое покрытие, наоборот, имеет плотную упаковку частиц диэлектрической композиции, антибликовый эффект присутствует, но покрытие характеризуется низким коэффициентом светопропускания, равным 50÷60%.

В качестве органического связующего в пасте могут быть использованы растворы целлюлозы в высших спиртах.

Способ формирования антибликового покрытия заключается в формировании слоя толщиной 2-5 мкм порошка диэлектрической композиции, обеспечивающего оптимальное распределение частиц на стеклоподложке и образовании светопоглощающей аморфной фазы диэлектрической композиции в процессе его отжига.

Если толщина сформированного покрытия будет более 5 мкм, то антибликовое покрытие имеет низкий коэффициент светопропускания.

Покрытие, имеющее толщину менее 2 мкм, дает дискретное неравномерное расположение частиц порошка диэлектрической композиции на стеклоподложке и антибликовый эффект отсутствует.

Технологический процесс изготовления антибликового покрытия включает к себя приготовление диэлектрической композиции, диэлектрической пасты, формирование покрытия и его отжиг.

Для получения диэлектрической композиции берутся все компоненты по рецепту и перемешиваются в стеклянной таре со стеклянными шарами в течение 1 ч. Затем рассчитанное количество диэлектрической композиции берут для приготовления диэлектрической пасты.

Диэлектрическую пасту готовят следующим образом. Рассчитанное количество диэлектрической композиции смешивается с необходимым количеством органического связующего на основе терпинеола и этилцеллюлозы, тщательно перемешивается и перетирается на пастотерке. Для формирования антибликового покрытия индикатора на стеклянной подложке формируют слой порошка диэлектрической композиции предложенного состава толщиной 2÷5 мкм. Затем слой порошка обрабатывают при температуре плавления легкоплавкого стекла с температурой деформации Тд₁.

Например, для формирования антибликового покрытия ГИП на внешней стороне лицевой стеклянной подложки формируют слой диэлектрической пасты толщиной 3 мкм. Проводят его сушку при температуре > 120÷150^oС в течение 10÷15 мин. Слой диэлектрической пасты обрабатывают при температуре плавления легкоплавкого стекла с температурой деформации Тд₁=(425±10)^oС в течение 2,5 ч.

Для формирования антибликового покрытия использовались диэлектрические композиции и пасты следующих составов:
Пример 1
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 13
Органическое связующее - 87
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд₁=(425±10)^oС - 43
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд₂=(480±10)^oС - 56
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло СЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃=(605±10)^oС - 1
Антибликовое покрытие, полученное после отжига, имеет высокий К_свет.= 82÷85%, термоустойчиво.

Пример 2
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 13
Органическое связующее - 87
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд₁=(425±10)^oС - 40
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд₂=(480±10)^oС - 58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло СЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃=(605±10)^oС - 2
Антибликовое покрытие, полученное после отжига, имеет высокий К_свет.= 82÷85%, термически устойчиво.

Пример 3
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 7
Органическое связующее - 93
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд₁=(425±10)^oС - 43
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд₂=(480±10)^oС - 56
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло СЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃=(605±10)^oС - 1
Антибликовое покрытие после отжига имеет дискретное (локальное) распределение частиц порошка легкоплавкого стекла, антибликовый эффект практически отсутствует.

Пример 4
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 10
Органическое связующее - 90
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд₁=(425±10)^oС - 39
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд₂=(480±10)^oС - 59
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло CЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃=(605±10)^oС - 2
Антибликовое покрытие, сформированное на основе данной пасты после отжига, имеет низкий коэффициент светопропускания.

Пример 5
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 16
Органическое связующее - 84
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд₁=(425±10)^oС - 41
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд₂=(480±10)^oС - 57,5
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло СЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃=(605±10)^oС - 1,5
Антибликовое покрытие после отжига имеет низкий коэффициент светопропускания, термически неустойчиво.

Пример 6
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 15
Органическое связующее - 85
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд₁=(425±10)^oС - 48
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд₂=(480+10)^oС - 50
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло СЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃=(605±10)^oС - 2
Антибликовый эффект покрытия, сформированного на основе данной пасты, после отжига практически отсутствует.

Таким образом, предложенная группа изобретений позволяет получить термически устойчивое антибликовое покрытие с высоким коэффициентом светопропускания, при формировании которого не используется процесс травления в азотной кислоте.

Формула изобретения

1. Диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, содержащая легкоплавкое стекло с температурой деформации Т_Д1, отличающаяся тем, что композиция содержит легкоплавкое стекло с температурой деформации Т_Д1= 415÷435^oС и дополнительно включает легкоплавкое стекло с температурой деформации Т_Д2= (1,03÷1,1) Т_Д1 и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Т_Д3≥1,3 Т_Д1 при следующем соотношении компонентов, вес. %:
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Т_Д1 - 40÷47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Т_Д2 - 52÷58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд₃ - 0,5÷2,0
2. Диэлектрическая паста, состоящая из органического связующего и порошка диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло с температурой деформации Т_Д1, отличающаяся тем, что диэлектрическая композиция содержит легкоплавкое стекло с температурой деформации Т_Д1= 415÷435^oC и дополнительно включает легкоплавкое стекло с температурой деформации Т_Д2= (1,03÷1,1) Т_Д1 и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Т_Д3≥1,3 Т_Д1 при следующем соотношении компонентов, вес. %:
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Т_Д1 - 40÷47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Т_Д2 - 52÷58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Т_Д3 - 0,5÷2,0
а диэлектрическая композиция и органическое связующее взяты в количествах, соответственно равных 10÷15, 85÷90 вес. %.

3. Способ формирования антибликового покрытия, заключающийся в нанесении на стеклянную подложку слоя порошка диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд₁, и последующей его термообработке при температуре плавления легкоплавкого стекла, отличающийся тем, что слой формируют толщиной 2÷5 мкм из диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло с температурой деформации Т_Д1= 415÷435^oС и дополнительно включающей легкоплавкое стекло с температурой деформации Т_Д2= (1,03÷1,1)Т_Д1 и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Т_Д3≥1,3 Т_Д1 при следующем соотношении компонентов, вес. %:
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Т_Д1 - 40÷47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Т_Д2 - 52÷58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Т_Д3 - 0,5÷2,0
а после нанесения слоя проводят его термообработку для формирования светопоглощающей аморфной фазы.