Устройство для определения импеданса двухполюсника на свч

 

Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом является упрощение процесса измерения при возможности автоматизации за счет исключения необходимости использования одного из измерителей - измерителя модуля коэффициента передачи, что достигается введением в схему второго pin-диода, с помощью которого второй отрезок линии подключен к центральному проводнику в месте, отстоящем от первого отрезка на расстоянии l, а измеряемый двухполюсник включен на конце центрального проводника. 3 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к измерительной технике на СВЧ.

Для эффективного использования возможностей проектирования устройств СВЧ необходимо проводить измерения импедансов диодов и входных и выходных сопротивлений транзисторов на СВЧ в зависимости от частоты f. Наиболее просто могут быть измерены малосигнальные импедансные характеристики Z(f).

Известно устройство, содержащее генератор СВЧ-сигналов и схему, содержащую измерительную линию, включенную между генератором и двухполюсником. На частоте f с помощью измерительной линии измеряют две характеристики: модуль |Г(f)| и фазу (f) коэффициента отражения, а импеданс двухполюсника Z(f) затем рассчитывают по формулам [1].

Недостатком устройства является то, что процесс измерения импеданса в таком устройстве занимает много времени, так как для определения Z(f)= R(f)+jX(f) в рабочем интервале частот необходимо измерять две характеристики: модуль |Г(f)| и фазу (f).

Кроме того использование измерительной линии затрудняет автоматизацию измерений.

Известно устройство - прототип, содержащее генератор СВЧ-сигнала, измерители модуля коэффициента передачи и модуля коэффициента отражения и схему, состоящую из центрального проводника, отрезка линии длиной l, подключенного к центральному проводнику с помощью pin-диода, и второго отрезка линии длиной l, гальванически соединенного с центральным проводником, а измеряемый двухполюсник включен на конце второго отрезка линии [2].

На частоте f в рабочем интервале частот измеряют значения модуля коэффициента передачи |T(f)| и затем по формулам рассчитывают величину Z(f). Отрезок линии, включенный в схему с помощью pin-диода, используют для достижения однозначности в определении знака реактивной составляющей импеданса X(f).

По сравнению с аналогом в данном устройстве легко осуществить автоматизацию измерений.

Недостатком данного устройства является необходимость измерения модуля коэффициента |Г(f)| и модуля коэффициента передачи |T(f)|, для чего используют два типа измерителей: измеритель модуля коэффициента отражения и измеритель модуля коэффициента передачи.

К недостаткам устройства относится также наличие в нем существенной неоднородности: Т-образного соединения центрального проводника и второго отрезка линии, что приводит к увеличению погрешности измерения импеданса.

Техническим результатом предлагаемого изобретения является существенное упрощение процесса измерения при возможности автоматизации этого процесса.

Технический результат достигается тем, что в известном устройстве для определения импеданса двухполюсника на СВЧ, содержащем генератор СВЧ-сигнала, измеритель модуля коэффициента отражения и схему, состоящую из центрального проводника, отрезка линии длиной l, подключенного к центральному проводнику с помощью pin-диода и второго отрезка линии длиной l, схема содержит дополнительный pin-диод, с помощью которого второй отрезок линии длиной l подключен к центральному проводнику в месте, отстоящем от первого отрезка на расстоянии l, а измеряемый двухполюсник включен на конце центрального проводника.

Определение импеданса двухполюсника в предлагаемом устройстве основано на следующих теоретических предпосылках.

Между СВЧ-генератором и измеряемым двухполюсником, включенным на конце центрального проводника, располагается схема, содержащая переменный параметр аi. Схема описывается обобщенной матрицей передачи , где i - число значений параметра аi. Модуль коэффициента отражения на частоте f определяется выражением где Z= Z(f)= R(f)+jX(f) - импеданс измеряемого двухполюсника; Zo - сопротивление генератора, равное волновому сопротивлению центральной линии; Аi, Вi, Сi, Di - элементы матрицы .

Выражение (l) можно преобразовать к виду: Pi(R2+X2)+2miR+2nix+qi=0, (2) где коэффициенты рi, mi, ni, qiсвязаны с элементами матрицы и с квадратом модуля коэффициента отражения |Гi| соотношениями pi = |Гi|2|Di+CiZo|2-|Di-CiZo|2, (3) qi = |Гi|2|Bi+AiZo|2-|Bi-AiZo|2, Измеряя на частоте f модуль коэффициента отражения |Гi(f)| при двух значениях параметра аi1 и а2), получим систему двух уравнений типа (2). Решение ее сводится к решению квадратного уравнения для R(f)
aR2+bR+c=0 (4)
и вычислению X(f) из формулы
X=-RM/N-Q/(2N), (5)
где a=p1[1+(M/N)2],
b=2p1MQ/N2+2m1-2n1M/N,
c=p1Q2/N2-2n1Q/N+q1,
M=m1p2-m2p1,
N=n1p2-n2p1,
Q=q1p2-q2p1.

Для повышения точности в определении R и Х проводятся измерения |Г(f)| при более чем двух значениях.

В предлагаемом устройстве в качестве параметров выбраны два отрезка линии длиной l, отстоящие друг от друга на расстоянии 1. При этом изменение параметра достигается путем подключения или отключения от центрального проводника этих отрезков линий с помощью pin-диодов. Таким образом получается 4 варианта схемы (i=1, 2, 3, 4).

На частоте f измеряют значения модуля коэффициента отражения |Гi| для каждого варианта схемы (i=1, 2, 3, 4). Разбивая их на пары и проводя расчеты по формулам (2)...(5), на каждой частоте анализа f из рабочего интервала частот, получаем 6 пар значений R(f) и X(f). Усредняя эти значения по всем парам, находим окончательные величины R и X. Это усреднение позволяет повысить точность определения активной R и реактивной Х составляющих импеданса двухполюсника.

Введение в устройство дополнительного pin-диода и второго отрезка линии дает возможность исключить использование одного из измерителей - измерителя модуля коэффициента передачи, что позволяет упростить процесс измерения.

В предлагаемом устройстве отрезки линий соединены с центральным проводником с помощью pin-диодов, что позволит исключить Т-образное сочленение проводников в схеме, которое приводило к увеличению погрешности в определении импеданса. Для снижения этой погрешности требовалось проводить дополнительные измерения. Исключение из устройства Т-бразного сочленения позволит упростить процесс измерения, а следовательно, снизить погрешность измерения.

Устройство для определения импеданса двухполюсника на СВЧ поясняется фиг.1, где генератор СВЧ-сигнала 1, измеритель модуля коэффициента отражения 2, расположенный с генератором на одном конце центрального проводника 3, на другом конце центрального проводника включен исследуемый двухполюсник 4, а схема содержит два отрезка линии 5 длиной l, подключенные к центральному проводнику с помощью pin-диодов 6 и отстоящие друг от друга на расстоянии 1.

На фиг. 2 приведены зависимости от частоты квадрата модуля коэффициента отражения (в дБ) для четырех возможных вариантов схемы в зависимости от состояний двух pin-диодов (включены-отключены), а на фиг.3 - рассчитанные значения активной R(f) и реактивной X(f) составляющих импеданса диода, усредненные по всем вариантам схемы.

Пример
В качестве примера рассмотрен процесс определения импеданса бескорпусного диода Ганна - 4. Используют микрополосковую схему, выполненную на поликоровой подложке =9,6) толщиной h=0,5 мм с одинаковой шириной всех проводников 0,48 мм. Основание диода Ганна располагают на земляной плате, а верхний электрод диода Ганна соединяют с центральным проводником 3 с помощью золотого проводника длиной 1 мм и диаметром 40 мкм. Расстояние от места подключения диода Ганна до первого отрезка линии составляет 2,85 мм, а длины линий 5 и расстояние между ними - 2,5 мм. В качестве pin-диодов 6 используют бескорпусные диоды 2А533А с сопротивлением R=2Ом и емкостью С=0,02 пФ. Переключающие напряжения составляют 0 и - 5 В. Модули коэффициентов отражения |Г(f)| измеряют в рабочем интервале частот 8...12 ГГц с помощью панорамного измерителя КСВН и ослабления 2 типа Р2-67.

Предлагаемое устройство по сравнению с прототипом позволит:
- упростить процесс измерения, так как используется только измеритель модуля коэффициента отражения;
- снизить погрешность в определении импеданса двухполюсника, так как в устройстве отсутствует Т-образное соединение отрезков линии;
- снизить погрешность в определении импеданса двухполюсника из-за сравнительно большого числа возможных вариантов схем и возможности применения статистических методов усреднения результатов измерений.

Кроме того возможна автоматизация этого процесса вследствие использования электрически управляемых pin-диодов.

Источники информации
1. Измерения на СВЧ. / Перевод под ред. В.Б. Штейншлейгера/ М: Сов. радио. - 1952.-С.87.

2. Патент РФ 2088946, приоритет от 24.07.92 г. МКИ G 01 R 31/26 -прототип.


Формула изобретения

Устройство для определения импеданса двухполюсника на СВЧ, содержащее генератор СВЧ-сигнала, измеритель модуля коэффициента отражения и схему, состоящую из центрального проводника, отрезка линии длиной l, подключенного к центральному проводнику с помощью pin-диода, и второго отрезка линии длиной l, при этом измеритель модуля коэффициента отражения и генератор СВЧ-сигнала расположены на одном конце центрального проводника, отличающееся тем, что схема содержит дополнительный pin-диод, с помощью которого второй отрезок линии длиной l подключен к центральному проводнику в месте, отстоящем от первого отрезка на расстоянии l, а измеряемый двухполюсник включен на противоположном от генератора СВЧ-сигнала конце центрального проводника.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерению электрических величин и может быть использовано в производстве существующих и новых поглощающих материалов типа углепластиков, применяется в СВЧ диапазоне, а также для контроля электрических параметров диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь

Изобретение относится к радиоизмерениям параметров поглощающих диэлектрических материалов на СВЧ, в частности к измерению комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь композиционных материалов типа углепластиков

Изобретение относится к способам измерения диэлектрической проницаемости и удельной проводимости жидких дисперсных систем и может быть использовано для контроля и регулирования величин диэлектрической проницаемости и удельной проводимости преимущественно пожаро-взрывоопасных и агрессивных жидких сред в процессе производства в химической и других областях промышленности

Изобретение относится к расчету переходных процессов, в сложных электрических цепях с распределенными параметрами

Изобретение относится к электроизмерительной технике, а конкретно к мостовым методам измерения на переменном токе параметров трехэлементных двухполюсников

Изобретение относится к системе и процессу для определения композиционного состава многокомпонентных смесей, которые являются либо неподвижными, либо текущими в трубах или трубопроводах, где компоненты имеют различные свойства полного электрического сопротивления и могут, или не могут, присутствовать в различных состояниях

Изобретение относится к области контроля физических свойств материалов и предназначено для измерения на сверхвысоких частотах (СВЧ) поверхностного сопротивления (RS) пленок высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП)

Изобретение относится к радиотехническим измерительным средствам

Изобретение относится к технике изложений на СВЧ и может быть использовано при определении S-параметров СВЧ-устройств

Изобретение относится к измерительной технике - к области измерения и контроля электрофизических свойств жидких технологических сред

Изобретение относится к области радиоизмерений параметров поглощающих диэлектрических материалов на СВЧ, в частности к измерению комплексной относительной диэлектрической проницаемости композиционных материалов типа углепластиков, характеризующихся большими значениями комплексной относительной диэлектрической проницаемости, имеющих шероховатую поверхность

Изобретение относится к области систем обработки информации и может быть использовано при управлении линией электропередачи (ЛЭП), на основе ее Г-образной адаптивной модели, перестраиваемой по текущей информации о параметрах электрического режима ЛЭП

Изобретение относится к технике СВЧ-измерений и может быть использовано для испытаний СВЧ четырехполюсников, а также в частном случае для их контроля и настройки

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в линии электропередачи

Изобретение относится к области радиоизмерений параметров радиопоглощающих низкоимпедансных композиционных диэлектрических материалов на СВЧ типа углепластиков, характеризующихся большими значениями комплексной относительной диэлектрической проницаемости

Изобретение относится к космической технике и предназначено для измерения коэффициента трансформации тока, протекающего по элементам внешней поверхности космического аппарата, в напряжение наводки во фрагментах бортовой кабельной сети, проложенных по этим элементам

Изобретение относится к технике измерений и может быть использовано для испытаний пассивных четырехполюсников по рассеиваемой в них мощности

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к измерительным резонаторам для исследования взаимодействия электромагнитного СВЧ поля с веществом, и может быть использовано в спектрометрах электронного парамагнитного резонанса и двойного электронно-ядерного резонанса
Наверх